CMST3904 NPN
CMST3906 PNP
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
表面贴装
补充
硅晶体管
描述：
中央半导体CMST3904 ，
CMST3906类型是互补硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
成型的超迷你表面贴装封装，
设计用于小信号通用放大器和
开关应用。
标记代码： CMST3904 ： 1AC
CMST3906 ： 2AC
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
CMST3904
60
40
6.0
200
275
CMST3906
40
40
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
-65到+150
455
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3904
符号
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
测试条件
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
民
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
最大
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
CMST3906
民
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
250
最大
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
兆赫
单位
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
R4 （ 2010年10月）
CMST3904 NPN
CMST3906 PNP
表面贴装
补充
硅晶体管
电气特性 - 续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3904
CMST3906
符号
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
td
tr
ts
tf
测试条件
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
民
-
-
1.0
0.5
100
1.0
-
-
-
-
-
最大
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
35
35
200
50
民
-
-
2.0
0.1
100
3.0
-
-
-
-
-
最大
4.5
10
12
10
400
60
4.0
35
35
225
75
单位
pF
pF
kΩ
x10
-4
μS
dB
ns
ns
ns
ns
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100mA时RS = 1.0kΩ
F = 10Hz到15.7kHz
VCC=3.0V,
VCC=3.0V,
VCC=3.0V,
VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
SOT- 323案例 - 机械外形
销刀豆网络gurations
LEAD码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMST3904 ： 1AC
CMST3906 ： 2AC
CMST3904 NPN
CMST3906 PNP
R4 （ 2010年10月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMST3904 NPN
CMST3906 PNP
表面贴装
超迷你
TM
补充
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMST3904 ，
CMST3906类型是互补硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个超小
TM
表面
贴装封装，专为小信号一般
目的放大器和开关应用。
标记代码：
CMST3904 ： 1AC
CMST3906 ： 2AC
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
-65到+150
455
°C
° C / W
VCEO
VEBO
IC
PD
CMST3904
60
40
6.0
200
275
CMST3906
40
40
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3904
符号
测试条件
民
最大
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
IC=10A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
40
70
100
60
30
300
300
0.65
50
60
40
6.0
0.20
0.30
0.85
0.95
CMST3906
民
最大
50
40
40
5.0
0.25
0.40
0.65
0.85
0.95
60
80
100
60
30
250
300
单位
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R3 （ 2004年4月）
中央
TM
CMST3904 NPN
CMST3906 PNP
表面贴装
超迷你
TM
补充
硅晶体管
CMST3906
民
最大
4.5
10
2.0
0.1
100
3.0
12
10
400
60
μmhos
半导体公司
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3904
符号
测试条件
民
最大
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100mA时RS = 1.0kΩ
F = 10Hz到15.7kHz
td
tr
ts
tf
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5 ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5 ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
5.0
35
35
200
50
1.0
0.5
100
1.0
4.0
8.0
10
8.0
400
40
单位
pF
pF
k
x10-4
4.0
35
35
225
75
dB
ns
ns
ns
ns
SOT- 323案例 - 机械外形
CMST3904 NPN
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMST3904 ： 1AC
CMST3906 ： 2AC
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
CMST3906 PNP
R3 （ 2004年4月）
td
tr
ts
tf
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
数据
SHEETS
414
QQ：2880707522 复制
