CMSSH-3E
CMSSH-3AE
CMSSH-3CE
CMSSH-3SE
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
增强规范
表面贴装
硅肖特基二极管
描述:
中环半导体CMSSH -3E
系列类型增强的版本
硅肖特基二极管CMSSH - 3在系列
SOT- 323表面贴装封装。
功能增强的规格:
I
F
从最大100mA 200mA的最大
SOT- 323案例
CMSSH -3E :
CMSSH - 3AE :
CMSSH - 3CE :
CMSSH - 3SE :
单身
双通道,共阳极
双通道,共阴极
双串联
B
VR
从30V分钟至40V MIN
V
F
从1.0V到最高0.8V MAX
代码:
代码:
代码:
代码:
31E
3AE
3CE
3SE
单位
40
200
350
750
250
-65到+150
500
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
记号
记号
记号
记号
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
连续正向电流
功耗
最大额定值:
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流, TP = 10ms的
工作和存储结温
热阻
每二极管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
典型值
最大
IR
VR=25V
VR = 25V , TA = 100℃
IR=100A
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR = 1.0V , F = 1.0MHz的
IF = IR = 10毫安, IRR = 1.0毫安, RL = 100Ω
40
90
25
50
0.29
0.37
0.61
0.65
7.0
5.0
0.33
0.42
0.80
1.0
500
100
IR
单位
nA
μA
V
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
VF
CT
TRR
VF
VF
增强规范
额外的增强规范
R2 (2010年9月)
CMSSH-3E
CMSSH-3AE
CMSSH-3CE
CMSSH-3SE
增强规范
表面贴装
硅肖特基二极管
SOT- 323案例 - 机械外形
销刀豆网络gurations
CMSSH-3E
前导码:
1 )阳极
2 ) NC
3 )阴极
标识代码: 31E
CMSSH-3AE
前导码:
1 )阴极D2
2 )阴极D1
3 )阳极D1,D2
标识代码: 3AE
CMSSH-3CE
前导码:
1 )阳极D2
2 )阳极D1
3 )阴极D1,D2
标识代码: 3CE
CMSSH-3SE
前导码:
1 )阳极D2
2 )阴极D1
3 )阳极D1 , D2阴极
标识代码: 3SE
R2 (2010年9月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMSSH-3E
CMSSH-3AE
CMSSH-3CE
CMSSH-3SE
增强规范
表面贴装,超迷你
硅肖特基二极管
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体CMSSH -3E
系列类型增强的版本
硅肖特基二极管CMSSH - 3在系列
SOT- 323表面贴装封装。
功能增强的规格:
I
F
从最大100 mA至最多为200毫安。
SOT- 323案例
CMSSH -3E :
CMSSH - 3AE :
CMSSH - 3CE :
CMSSH - 3SE :
单身
双通道,共阳极
双通道,共阴极
双串联
B
VR
从30V分钟至40 V分钟。
V
F
从1.0 V至最高0.8V的最大值。
代码:
代码:
代码:
代码:
31E
3AE
3CE
3SE
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
记号
记号
记号
记号
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
最大额定值:
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流, TP = 10ms的
功耗
工作和存储
结温
热阻
40
200
350
750
250
-65到+150
500
每二极管电气特性:
符号
测试条件
IR=100A
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=25V
VR = 25V , TA = 100℃
VR = 1.0V , F = 1.0 MHz的
IF = IR = 10毫安, IRR = 1.0毫安, RL = 100Ω
( TA = 25° C除非另有说明)
民
典型值
40
50
0.29
0.37
0.61
0.65
90
25
7.0
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
A
pF
ns
BVR
VF
VF
VF
VF
0.33
0.42
0.80
1.0
500
100
5.0
IR
IR
CT
TRR
加强规范。
额外的增强规范。
R1 ( 2004年4月)