加利福尼亚微设备公司
CMPWR025
双输入SmartOR 电源开关
特点
自动选择V
CC1
或V
CC2
输入源
集成的低阻抗开关（ 0.2Ω典型值）
工作电源电压范围为2.8V至5.5V
在电源开关无干扰的输出
TRANSITIONS
20μA的低工作电源电流（典型值）
用户可选择滞后电源选择
8引脚SOIC窄或8引脚MSOP封装
应用
PCI卡网络唤醒/唤醒环
双电源系统
具有待机功能的系统
电池备份系统
请参见应用笔记AP211
产品说明
加利福尼亚微设备公司SmartOR CMPWR025是
这两者之间选择双输入开关电源
不同的电源输入，并提供给一个输出。该
器件集成了两个低阻抗电源
开关和自动执行OR功能
其选择的两个输入端的高。滞后是
建于（而且是用户可选），以防止开关喋喋不休。
该CMPWR025是一个有很大改进的解决方案，以简单
或运算的两个二极管中，由于大大减少损耗
在CMPWR025相比，低正向压降
肖特基二极管。
该CMPWR025被设计来操作上述1W
（ 375毫安在3.3V ），睡眠模式等级的PCI声明
修订版2.2规范。事实上， CMPWR025额定电流为
取决于从所得的功率耗散
通过内部开关元件的电压降。看
本数据手册的典型DC特性部分
了解详细信息。
对于IAPC （瞬时可用个人电脑）
应用程序看到CAMD应用说明AP211
“可立即使用的PCI网卡电源管理” 。
引脚图，典型应用电路，以及简化框图
顶视图
V
CC1
V
CC1
V
CC2
V
CC2
1
2
3
4
8
7
6
5
HYS
V
OUT
V
OUT
GND
+
–
CMPWR025
V
CC1
V
CC2
V
CC1
5V
+
V
OUT
V
OUT
+
HYS
GND
V
CC2
5V
–
C
OUT
10F
CMPWR025
8引脚SOIC窄和MSOP封装
引脚图
GND
SW1
0.2
V
CC1
+
–
典型应用电路
GND
SW2
0.2
V
OUT
V
CC2
HYS
GND
GND
GND
简化的框图
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C0970500
215黄玉街， Milpitas，加利福尼亚95035
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1
加利福尼亚微设备公司
绝对最大额定值
参数
ESD保护（ HBM ）
V
CC1
V
CC2
输入电压
存储温度范围
工作环境
工作结
最大直流我
OUT
功耗
等级
2000
6.0 ， -0.5 GND
-40到+150
0至+70
0到+125
750
0.3
CMPWR025
单位
V
V
o
C
mA
W
P·E·R在I N G - C 0 N D I T I O北南
参数
V
CC
1, V
CC
2输入电压
环境温度
等级
2.8到5.5
0到70
单位
V
°C
符号
V
CCDES1
V
CCDES2
V
CC1SEL
V
HYS1
V
HYS2
t
DL
t
DH
R
SW
电气运行特性
（以上操作条件下，除非另有规定）
参数
条件
民
V
CC1
D E发E L E （C T）
不 1
V
CC1
D E发E L E （C T） 2
不 1
V
CC1
性S E L E （C T）
P FE 简权证
N}÷ T E 1
S T é （E S） I S
不 1
切换延迟
注3
开关导通电阻
在开关电压降
(V
CC1,2
– V
OUT
)
V
C C 1
D E发E L E （C T）升EV é升Bé 1。·瓦特V
C C 2
皮8 （ HYS ）F升燕麦我纳克
V
C C 1
D E发E L E （C T）升EV é升Bé 1。·瓦特V
C C 2
皮8 （ HYS ）克 ü N D E D
50
90
10
V
CC1SEL
– V
CC1DES,
8引脚浮动
V
CC1SEL
– V
CC1DES,
8引脚接地
V
CC1, 2
下降时间为100ns <
V
CC1, 2
上升时间为100ns <
I
负载
= 0 500mA的V
CC1,2
= 2.8V
I
负载
= 0 500mA的V
CC1,2
= 5.0V
40
80
典型值
125
200
50
75
150
200
200
0.28
0.21
28
56
140
21
42
105
最大
200
300
100
100
200
单位
mV
mV
mV
mV
mV
ns
0.4
0.3
40
80
200
30
60
150
100
100
V
SW
I
OUT
= 100毫安（V
CC1
, V
CC2
= 2.8V)
I
OUT
= 200毫安（V
CC1
, V
CC2
= 2.8V)
I
OUT
= 500毫安（V
CC1
, V
CC2
= 2.8V)
I
OUT
= 100毫安（V
CC1
, V
CC2
= 5V)
I
OUT
= 200毫安（V
CC1
, V
CC2
= 5V)
I
OUT
= 500毫安（V
CC1
, V
CC2
= 5V)
mV
mV
I
RCC1
I
RCC2
I
CC1,
I
CC2
I
GND
反向漏
电源电流
接地引脚电流
V
CC1
= 0V, V
CC2
= 5V
V
CC1
= 5V, V
CC2
= 0V
当选择（我
OUT
= 0)
当没有选择
V
CC1
= V
CC2
， = 5V ，我
负载
= 0mA至
500mA
20
1.0
20
Α
Α
50
Α
注1 ：
此参数适用于只有25 ℃。
注2 ：
迟滞级别定义在V可接受的噪音的最高水平
CC
期间切换。在V过多的寄生电感
CC
电路板布线的CMPWR025可能需要一个输入电容，充分滤除电源噪声低于迟滞的水平。
这将确保V之间的精确转换发生
CC1
和V
CC2
电源输入。
注3 ：
这是时间，选择/取消选择达到阈值后，用于以使该开关。没有经过测试，保证了装置的设计
和表征。
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接口信号
V
CC1
是主要的动力源，这是考虑优先
当存在。如果引脚8 （ HYS ）未连接，则
迟滞水平为75mV （典型值） 。只要主
电源下降至低于次级电源V
CC2
by
超过125mV ，它会立即成为dese-
选中。当主电源被恢复到
内的二次供应50mV时，主电源
源将再次被选中，并提供所有
输出电流。
当V
CC1
是选定的，它会提供所有的内部
目前的要求这是典型的20μA 。当
V
CC1
没有被选中，将不会有电流负载上
该输入。
V
CC2
是二次电源和被选择
当主源已低于它由多
超过125mV （或200mV的，如果引脚8接地） 。该
二次源将被立即取消一次
的主要来源是内Ⅴ的50mV的恢复到
CC2
.
当V
CC2
是选定的，它会提供所有的内部
目前的要求这是典型的20μA 。当
V
CC2
没有被选中，将不会有电流负载上
该输入。
GND
对于所有电压负参考。
V
OUT
提供对负载的功率。在正常
操作从V阻抗
OUT
到所选择的
供应通常比0.28Ω ，这导致较少
最小的电压损耗从输入到输出。
期间，当两个输入均为冷启动间隔
初始施加的内部电路提供一软
开启的开关，这在浪涌限制峰值
电流。
HYS
是用户可选择的滞后输入。该hyster-
ESIS水平时，接地引脚8.设置为150mV的
默认滞后电平被设置为为75mV留下销8
悬空。使用150mV的滞后，建议
特别是在环境中嘈杂的电源，
高电源阻抗或高负载电流。
如果滞后电平被设定为150mV的，主
电源V
CC1
现在必须下降200mV的二级以下
电源V
CC2
之前它变为取消。
重要注意事项：
有一个内部连接
引脚1和2之间，这些引脚必须连接
外部。
有销3,4之间的内部连接。
这些引脚必须外接。
有引脚6和7之间的内部连接。
这些引脚必须外接。
引脚功能
PIN号
1, 2
3, 4
5
6, 7
8
符号
V
CC1
V
CC2
GND
V
OUT
HYS
描述
初级正电源输入。该输入必须属于二次下面的输入超过125mV
（或者，如果为200mV 8引脚接地），这是取消之前。
二次正电源输入。每当主输入有此输入将被取消
已经恢复到50mV的OFV内
CC2
.
所有电压负基准电压。
正电压输出内部切换至任一V
CC1
或V
CC2
输入源。管脚6和7绝
在外部连接在一起。
滞后调整。未连接为75mV滞后。连接引脚8至引脚5 （ GND ）为150mV的
滞后。
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选择阈值DIAGRAMS
V
CC1SEL
(50mV)
V
CC2
V
CC1DES1
(75mV)
V
HYS1
(75mV)
V
CC1
S
W1
S
W2
关闭
ON
ON
关闭
关闭
ON
供应选择阈值图（迟滞引脚悬空）
V
CC1SEL
(50mV)
V
CC2
V
CC1DES1
(200mV)
V
HYS2
(150mV)
V
CC1
S
W1
S
W2
关闭
ON
ON
关闭
ON
关闭
关闭
ON
供应选择阈值图（迟滞引脚接地）
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典型的直流特性
Hysterresis电压（毫安）
CMPWR025
200
175
150
125
100
75
50
25
0
2.5
3.0
4.5
5.5
6.5
7.5
V
HYS1
V
HYS2
V
CC1SEL
开关导通电阻与V
CC
随温度
在网络连接gure
1显示了在500mA的负载电流测量的开关电阻，
在很宽的V
CC
电压范围。的电阻示
在0 ℃，25 ℃，和70℃的环境温度下。当
将温度从25℃上升到70℃时，开关
阻力增加约20％ 。
0.40
开关导通电阻（ Ω ）
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
2.5
70C
25C
0C
温度（℃）
图3.滞后电压vs.Temperature
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
功耗
和输出电流审议
该CMPWR025在标准SOIC和MSOP供应
包，其中有一个最大功耗
0.3W的评级。重要的是，产生的热量
以内的部分不超过本次评级。热
由负载电流产生由下式给出：
P
DISS
= V
SW
X我
负载
or
P
DISS
= R
SW
X（我
负载
)
2
在375毫安的P的典型负载
DISS
仅仅是0.4× （ 0.375 ）
2
= 56mW 。
一个主要的考虑因素是最大结温
TURE ，T
J（下最大）
，可使用下面的计算
公式：
T
J（下最大）
= T
A
+
θ
JA
X P
DISS
其中：T
A
=环境温度
θ
JA
=热阻= 100 ° C / W
P
DISS
功耗
在上面的例子中，运行在70 ℃的周围，
T
J（下最大）
将是：
T
J（下最大）
= 70 ° C + （ 0.056W ） （ 100 ° C / W ） = 75.6 ℃，
最大功耗，包括从电源
该装置内的其他电路，提出了一种电流
约的评价：
V
CC
(V)
图1 。
开关导通电阻与V
CC
随温度
电源电流与V
CC
随温度
在图2中
显示了小型的内部电源电流随
V
CC
电压和温度。该电流将被吸引
从所选择的V
CC
输入，并且将被消散
通过接地引脚5 ，该电流是独立的
负载电流。
40
35
30
70C
25C
0C
I
CC
(A)
25
20
15
10
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
CC
(V)
P
DISS
– P
INT
R
SW
= I
负载
0.3W – 100W
图2.电源电流与V
CC
与温度（空载）
0.4
= 865毫安
注意，这是超出的最大电流额定值
的装置，该装置是为750mA最大。
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