CMPTA42E NPN
CMPTA92E PNP
增强规范
硅互补
高压晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体CMPTA42E &
CMPTA92E类型增强的版本
CMPTA42 & CMPTA92互补面
安装高压晶体管。
标记代码是C1DE & C2DE分别。
增强产品规格:
BVCBO从300V分钟至350V分钟。
BVCEO从300V分钟至350V分钟。
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
的hFE从25分钟至50分钟。
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
350
350
6.0
500
350
-65到+150
357
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
典型值
符号测试条件
MIN CMPTA42E CMPTA92E最大单位
ICBO
IEBO
VCB=200V
VBE=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
350
350
6.0
590
475
8.7
125
50
50
50
100
6.0
110
110
110
500
450
9.6
150
105
105
105
兆赫
pF
350
0.9
250
100
nA
nA
V
V
V
mV
V
BVCBO
BVCEO
BVEBO
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
IE=100A
VCE ( SAT ) IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VBE ( SAT ) IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=1.0mA
IC=10mA
VCE = 10V , IC = 30毫安
VCE = 20V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
加强规范。
R0 (2002年6月11日)
CMPTA42E NPN
CMPTA92E PNP
增强规范
表面贴装
补充
高压硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体CMPTA42E &
CMPTA92E类型增强的版本
CMPTA42 & CMPTA92互补面
安装高压晶体管。
标记代码: CMPTA42E : C1DE
CMPTA92E : C2DE
功能增强的规格:
BVCBO从300V分钟至350V分钟。
BVCEO从300V分钟至350V分钟。
的hFE从25分钟至50分钟。
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
350
350
6.0
500
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
测试条件
VCB=200V
VBE=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
IE=100A
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=10mA
IC=30mA
350
350
6.0
590
475
8.7
125
50
50
50
50
110
110
110
75
500
450
9.6
150
105
105
105
75
6.0
兆赫
pF
350
0.9
民
典型值
CMPTA42E CMPTA92E
最大
250
100
单位
nA
nA
V
V
V
mV
V
BVCBO
BVCEO
VCE ( SAT )
的hFE
的hFE
fT
COB
VBE ( SAT )
的hFE
BVEBO
VCE = 20V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
加强规范。
R2 ( 2003年10月)