CMPT8099 NPN
CMPT8599 PNP
表面贴装
补充
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMPT8099和
CMPT8599是互补硅晶体管
通过外延平面工艺,环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装,专为
通用音频放大器应用。
标记代码: CMPT8099 : CKB
CMPT8599 : C2W
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
CMPT8099
80
80
6.0
500
350
-65到+150
357
CMPT8599
80
80
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
测试条件
VCB=80V
VBE=6.0V
VBE=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=10A
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
CMPT8099
最小最大
0.1
0.1
-
80
80
6.0
0.4
0.6
100
100
75
150
6.0
25
0.3
0.8
300
0.6
100
100
75
150
4.5
30
兆赫
pF
pF
80
80
5.0
0.4
0.3
0.8
300
CMPT8599
民
最大
0.1
-
0.1
单位
A
A
A
V
V
V
V
V
V
R5 ( 2010年1月)
CMPT8099 NPN
CMPT8599 PNP
表面贴装
补充
硅晶体管
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
标记代码:
CMPT8099 : CKB
CMPT8599 : C2W
R5 ( 2010年1月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
符号
的hFE
fT
COB
兴业银行
测试条件
VCE = 5.0V , IC =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
CMPT8099
最小最大
75
150
6.0
25
CMPT8599
最小值最大值单位
75
150
兆赫
4.5
pF
30
pF
以英寸(毫米)的所有尺寸。
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
R2
195