CMPT6428
CMPT6429
NPN硅晶体管
中央
描述:
TM
半导体公司
SOT- 23 CASE
该
中央
半导体
CMPT6428 , CMPT6429类型NPN硅
通过外延制造晶体管
平面工艺,环氧树脂模制在一个表面
贴装封装,专为高增益
放大器应用。
标记代码是C1K和C1L
分别。
最大额定值
(TA=25
o
C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
CMPT6428
60
50
CMPT6429
55
45
6.0
200
350
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C / W
-65到+150
357
电气特性
(TA=25
o
C除非另有说明)
CMPT6428
测试条件
民
最大
VCB=30V
10
VCE=30V
100
VBE=5.0V
10
IC=100A
60
IC=1.0mA
50
IC = 10毫安, IB = 0.5毫安
0.20
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
0.60
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
0.56
0.66
VCE = 5.0V , IC = 10μA
250
VCE = 5.0V , IC = 100μA
250
650
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
250
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
250
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安中,f = 100MHz的100
700
CMPT6429
民
最大
10
100
10
55
45
0.20
0.60
0.56
0.66
500
500
1250
500
500
100
700
符号
ICBO
ICEO
IEBO
BVCBO
BVCEO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
190
符号
COB
兴业银行
测试条件
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
CMPT6428
民
最大
3.0
8.0
CMPT6429
民
最大
3.0
8.0
单位
pF
pF
以英寸(毫米)的所有尺寸。
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
R2
191