CMPT591E
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CMPT591E
类型是PNP硅晶体管制造
外延平面工艺，环氧树脂模制在一个
表面贴装封装，专为高
目前，通用放大器应用。
标记代号为C59 。
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
集电极电流
IC
基极电流
IB
集电极电流（峰值）
ICM
功耗
PD
工作和存储
结温
TJ ， TSTG
热阻
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
200
2.0
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
A
mA
A
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=60V
VEB=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=100A
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 1.0A ， IB =百毫安
IC = 1.0A ， IB =百毫安
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 500毫安
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A
VCE = 5.0V ， IC = 2.0A
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
民
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
60
5.0
0.20
0.40
1.1
1.0
200
200
50
15
150
600
10
兆赫
pF
R2 （ 2001年30月）
CMPT591E
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CMPT591E
类型是PNP硅晶体管制造
外延平面工艺，环氧树脂模制在一个
表面贴装封装，专为高
目前，通用放大器应用。
标记代号为C59 。
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
集电极电流
IC
基极电流
IB
集电极电流（峰值）
ICM
功耗
PD
工作和存储
结温
TJ ， TSTG
热阻
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
200
2.0
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
A
mA
A
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=60V
VEB=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=100A
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 1.0A ， IB =百毫安
IC = 1.0A ， IB =百毫安
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 500毫安
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A
VCE = 5.0V ， IC = 2.0A
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
民
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
60
5.0
0.20
0.40
1.1
1.0
200
200
50
15
150
600
10
兆赫
pF
R2 （ 2001年30月）
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