CMPT5401
PNP硅晶体管
中央
描述:
TM
半导体公司
该
中央
半导体
CMPT5401类型是PNP硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在表面安装封装,
设计用于高电压放大器应用。
标识代码是C2L 。
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25
o
C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
160
150
5.0
500
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C / W
电气特性
(TA=25
o
C除非另有说明)
符号
ICBO
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=100V
VCB = 100V , TA = 150
o
C
IC=100A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC = 50毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
民
最大
50
50
单位
nA
A
V
V
V
V
V
V
V
160
150
5.0
0.2
0.5
1.0
1.0
50
60
50
100
240
300
6.0
兆赫
pF
184
符号
的hFE
NF
测试条件
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 5.0V , IC = 200μA , RS = 10Ω
F = 10Hz到15.7kHz
民
40
最大
200
8.0
单位
dB
以英寸(毫米)的所有尺寸。
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
R2
185