CMPT4401 NPN
CMPT4403 PNP
补充
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMPT4401 ，
CMPT4403类型是互补硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为小信号一般
目的放大器和开关应用。
标记代码：
CMPT4401 ： C2X
CMPT4403 ： C2T
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
CMPT4401
60
40
6.0
600
350
-65到+150
357
CMPT4403
40
40
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPT4401
符号测试条件
民
最大
ICEV
IBEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE = 35V ， VEB = 0.4V
VCE = 35V ， VEB = 0.4V
IC=100A
IC=1.0mA
60
40
6.0
0.40
0.75
0.75
20
40
80
0.95
1.2
0.1
0.1
CMPT4403
民
最大
0.1
0.1
40
40
5.0
0.40
0.75
0.75
30
60
100
0.95
1.3
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
IE=100A
VCE （ SAT ） IC = 150毫安， IB = 15毫安
VCE （ SAT ） IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
IC=150mA,
IC=500mA,
IB=15mA
IB=50mA
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
R4 （2002年26月）
中央
TM
半导体公司
CMPT4401 NPN
CMPT4403 PNP
补充
硅晶体管
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPT4401
符号测试条件
民
最大
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 150毫安
100
300
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
td
tr
ts
tf
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
VCE = 10V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCC = 30V ， VBE = 2.0 ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 30V ， VBE = 2.0 ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 30V ， IC = 150毫安，
VCC = 30V ， IC = 150毫安，
IB1=IB2=15mA
IB1=IB2=15mA
-
40
250
6.5
30
1.0
0.1
40
1.0
15
8.0
500
30
15
20
225
30
-
CMPT4403
民
最大
-
-
100
20
200
8.5
30
1.5
0.1
60
1.0
15
8.0
500
100
15
20
225
30
300
单位
兆赫
pF
pF
k
x10-4
μmhos
ns
ns
ns
ns
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMPT4401 ： C2X
CMPT4403 ： C2T
R4 （2002年26月）
CMPT4401 NPN
CMPT4403 PNP
补充
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMPT4401 ，
CMPT4403类型是互补硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为小信号一般
目的放大器和开关应用。
标记代码：
CMPT4401 ： C2X
CMPT4403 ： C2T
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
CMPT4401
60
40
6.0
600
350
-65到+150
357
CMPT4403
40
40
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPT4401
符号测试条件
民
最大
ICEV
IBEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE = 35V ， VEB = 0.4V
VCE = 35V ， VEB = 0.4V
IC=100A
IC=1.0mA
60
40
6.0
0.40
0.75
0.75
20
40
80
0.95
1.2
0.1
0.1
CMPT4403
民
最大
0.1
0.1
40
40
5.0
0.40
0.75
0.75
30
60
100
0.95
1.3
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
IE=100A
VCE （ SAT ） IC = 150毫安， IB = 15毫安
VCE （ SAT ） IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
IC=150mA,
IC=500mA,
IB=15mA
IB=50mA
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
R4 （2002年26月）
中央
TM
半导体公司
CMPT4401 NPN
CMPT4403 PNP
补充
硅晶体管
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPT4401
符号测试条件
民
最大
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 150毫安
100
300
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
td
tr
ts
tf
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
VCE = 10V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCC = 30V ， VBE = 2.0 ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 30V ， VBE = 2.0 ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 30V ， IC = 150毫安，
VCC = 30V ， IC = 150毫安，
IB1=IB2=15mA
IB1=IB2=15mA
-
40
250
6.5
30
1.0
0.1
40
1.0
15
8.0
500
30
15
20
225
30
-
CMPT4403
民
最大
-
-
100
20
200
8.5
30
1.5
0.1
60
1.0
15
8.0
500
100
15
20
225
30
300
单位
兆赫
pF
pF
k
x10-4
μmhos
ns
ns
ns
ns
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMPT4401 ： C2X
CMPT4403 ： C2T
R4 （2002年26月）
QQ：2881677436 复制
