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CMPT3646
NPN硅晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25
o
C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
中央半导体
CMPT3646类型是一个NPN硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在表面安装封装，
设计用于高电流，超高速
开关应用。
标识代码C2R 。
40
40
15
5.0
200
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C / W
电气特性
(TA=25
o
C除非另有说明）
符号
冰
冰
BVCBO
BVces
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
测试条件
VCE=20V
VCE = 20V ， TA = 65
o
C
IC=100A
IC=10A
IC=10mA
IE=100A
IC = 30mA时IB = 3.0毫安
IC = 30mA时IB = 3.0毫安， TA = 65
o
C
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 300毫安， IB = 30毫安
IC = 30mA时IB = 3.0毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 300毫安， IB = 30毫安
VCE = 0.4V ， IC = 30毫安
VCE = 0.5V ， IC =百毫安
民
最大
0.5
3.0
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
40
40
15
5.0
0.20
0.30
0.28
0.50
0.95
1.20
1.70
120
0.75
30
25
170
符号
的hFE
fT
COB
兴业银行
吨
花花公子
tS
测试条件
民
VCE = 1.0V ， IC = 300毫安
15
VCE = 10V ， IC = 30mA时F = 100MHz的
350
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCC = 10V ， IC = 300毫安， IB1 = 30毫安
VCC = 10V ， IC = 300毫安， IB1 = IB2 = 30毫安
VCC = 10V ， IC = IB1 = IB2 = 10毫安
以英寸（毫米）的所有尺寸。
最大
单位
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
5.0
8.0
18
28
18
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
R2
171
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CDEP134-2R7MC
CY7C195-12
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供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
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