CMPF4391
CMPF4392
CMPF4393
表面贴装
N沟道
硅JFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMPF4391系列
类型是N沟道硅场效应晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为
开关应用。
标识代码：
CMPF4391 ：
6J
CMPF4392 ：
6K
CMPF4393 ：
6G
符号
VGD
VGS
VDS
IG
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏源电压
栅电流
功耗
工作和存储结温
热阻
40
40
40
50
350
-65到+150
357
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPF4391
CMPF4392
符号
IGSS
IGSS
IDSS
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
BVGSS
VGS （关闭）
VGS （ F）
VDS （上）
VDS （上）
VDS （上）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
西塞
测试条件
VGS=20V
VGS = 20V ， TA = 100℃
VDS=20V
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VGS=12V
VGS=7.0V
VGS=5.0V
VGS = 12V ， TA = 100℃
VGS = 7.0V ， TA = 100℃
VGS = 5.0V ， TA = 100℃
民
-
-
50
-
-
-
-
-
-
40
4.0
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.2
150
0.1
-
-
0.2
-
-
-
10
1.0
0.4
-
-
30
30
14
民
-
-
25
-
-
-
-
-
-
40
2.0
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.2
75
-
0.1
-
-
0.2
-
5.0
1.0
-
0.4
-
60
60
14
CMPF4393
民
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.2
30
-
-
0.1
-
-
0.2
-
3.0
1.0
-
-
0.4
100
100
14
单位
nA
A
mA
nA
nA
nA
A
A
A
V
V
V
V
V
V
Ω
Ω
pF
IG=1.0A
VDS = 20V ，ID = 1.0nA
IG=1.0mA
ID=12mA
ID=6.0mA
ID=3.0mA
ID = 1.0毫安， VGS = 0
VGS = 0， n = 0中，f = 1.0kHz
VDS = 20V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
R5 （ 2010年27月）
CMPF4391
CMPF4392
CMPF4393
表面贴装
N沟道
硅JFET
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPF4391
CMPF4392
符号
测试条件
最小最大
最小最大
CRSS
VGS = 12V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
-
3.5
-
-
CRSS
CRSS
吨
吨
吨
花花公子
花花公子
花花公子
VGS = 7.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
VGS = 5.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
ID(ON)=12mA
ID(ON)=6.0mA
ID(ON)=3.0mA
VGS(OFF)=12V
VGS(OFF)=7.0V
VGS(OFF)=5.0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
-
-
15
-
-
35
-
CMPF4393
最小最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
-
-
15
-
-
50
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
1 ）排水
2 ）资料来源
3 ）门
标记代码：
CMPF4391 ： 6J
CMPF4392 ： 6K
CMPF4393 ： 6G
R5 （ 2010年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMPF4391
CMPF4392
CMPF4393
N沟道JFET
中央
描述：
TM
半导体公司
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25
o
C)
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏源电压
栅电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VGD
VGS
VDS
IG
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
该
中央
半导体
CMPF4391系列类型是N沟道硅
由所制造的场效应晶体管
外延平面工艺，环氧树脂模制在一个
表面贴装封装，专为切换
应用程序。
标记代码是6J ， 6K ，以及6G
分别。
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C / W
40
40
40
50
350
-65到+150
357
电气特性
(TA=25
o
C除非另有说明）
CMPF4391
符号测试条件
最小最大
IGSS
VGS=20V
0.1
o
C
IGSS
VGS = 20V ， TA = 100
0.2
IDSS
VDS=20V
50
150
的ID （OFF） VDS = 20V ，V GS = 12V
0.1
ID （ OFF） VDS = 20V ， VGS = 7.0V
-
的ID （OFF） VDS = 20V ，V GS = 5.0V
-
ID （ OFF） VDS = 20V ， VGS = 12V ， TA = 100
o
C
0.2
o
C
ID （ OFF） VDS = 20V ， VGS = 7.0V ， TA = 100
-
o
C
ID （ OFF） VDS = 20V ， VGS = 5.0V ， TA = 100
-
BVGSS
IG=1.0A
40
VGS （OFF） VDS = 20V ，ID = 1.0nA
4.0
10
VGS （ F）
IG=1.0mA
1.0
VDS （ ON） ID = 12毫安
0.4
VDS （ ON） ID = 6.0毫安
-
VDS （ ON） ID = 3.0毫安
-
CMPF4392
最小最大
0.1
0.2
25
75
-
0.1
-
-
0.2
-
40
2.0
5.0
1.0
-
0.4
-
CMPF4393
最小值最大值单位
0.1
nA
0.2
A
5.0
30
mA
-
nA
-
nA
0.1
nA
-
A
-
A
0.2
A
40
V
0.5
3.0
V
1.0
V
-
V
-
V
0.4
V
146
符号
RDS （ ON）
RDS （ ON）
西塞
CRSS
CRSS
CRSS
吨
吨
吨
花花公子
花花公子
花花公子
CMPF4391
测试条件
最小最大
ID = 1.0毫安， VGS = 0
30
VGS = 0， n = 0中，f = 1.0kHz
30
VDS = 20V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
14
VGS = 12V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
3.5
VGS = 7.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
-
VGS = 5.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
-
ID(ON)=12mA
15
ID(ON)=6.0mA
-
ID(ON)=3.0mA
-
VGS(OFF)=12V
20
VGS(OFF)=7.0V
-
VGS(OFF)=5.0V
-
CMPF4392
最小最大
60
60
14
-
3.5
-
-
15
-
-
35
-
CMPF4393
最小值最大值单位
100
100
14
pF
-
pF
-
pF
3.5
pF
-
ns
-
ns
15
ns
-
ns
-
ns
50
ns
以英寸（毫米）的所有尺寸。
前导码：
1 ）排水
2 ）资料来源
3 ）门
R2
147
QQ：2880707522 复制
