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CMPDM7003
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMPDM7003是
一个增强型N沟道场效应
晶体管,由N通道DMOS制
工艺,专为高速脉冲放大器和
驱动器应用。这种MOSFET提供了低RDS(ON )
和ESD保护高达2kV的。
标识代码: C7003
SOT- 23 CASE
应用范围:
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值:
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
最大漏电流脉冲
功耗
工作和存储结温
热阻
产品特点:
ESD保护高达2kV的
低RDS ( ON)
低VDS ( ON)
低阈值电压
快速开关
逻辑电平兼容
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
50
50
12
280
1.5
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
典型值
IGSSF , IGSSR
VGS=5.0V
IGSSF ,
IGSSF ,
IDSS
IGSSR
IGSSR
VGS=10V
VGS=12V
VDS = 50V , VGS = 0
VGS = 0时, n = 10μA
VDS = VGS ,ID = 250μA
VGS = 0时, IS = 115毫安
VGS=1.8V,
VGS=2.5V,
VGS=5.0V,
VDS=10V,
VDS=25V,
VDS=25V,
ID=50mA
ID=50mA
ID=50mA
200
最大
100
2.0
2.0
50
单位
nA
μA
μA
nA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
BVDSS
VGS ( TH)
VSD
RDS ( ON)
RDS ( ON)
RDS ( ON)
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
50
0.49
1.6
1.3
1.1
1.0
1.4
3.0
2.5
2.0
5.0
50
25
ID=200mA
VGS = 0时, F = 1.0MHz的
VGS = 0时, F = 1.0MHz的
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
R1 ( 2010年27月)
CMPDM7003
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1 ) GATE
2 )资料来源
3 )排水
标识代码: C7003
R1 ( 2010年27月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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