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CMPDM7002AHC
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMPDM7002AHC
是一个高电流版本2N7002A Enhancement-的
型N沟道MOSFET ，设计用于高速
脉冲放大器和驱动器应用。
标识代码： 702H
SOT- 23 CASE
设备是
无卤
通过设计
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功耗
工作和存储结温
热阻
产品特点：
ESD保护高达2kV的
350mW的功耗
低RDS （ON ） ： 0.22Ω MAX @ VGS = 10V
工业标准SOT- 23表面贴装封装
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
° C / W
单位
μA
nA
V
V
V
Ω
Ω
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
60
60
20
1.0
5.0
350
-65到+150
357
最大
10
500
2.3
0.9
0.22
0.30
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 20V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0
BVDSS
VGS = 0时， n = 100μA
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
VSD
VGS = 0时， = 500毫安
RDS （ ON）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 500毫安
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
QGD
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
CRSS
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
吨
VDD = 30V ， VGS = 4.5V ， ID = 1.0A
RG = 6.0Ω ， RL = 30Ω
花花公子
VDD = 30V ， VGS = 4.5V ， ID = 1.0A
RG = 6.0Ω ， RL = 30Ω
另有说明）
民
典型值
63
1.2
0.15
0.20
2.3
1.0
0.7
25
240
50
35
50
R2 （ 2011年2月）
CMPDM7002AHC
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 23案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ） GATE
2 ）资料来源
3 ）排水
标识代码： 702H
R2 （ 2011年2月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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型号
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封装
单价/备注
操作
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