CMPDM7002A
CMPDM7002AG*
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMPDM7002A
和CMPDM7002AG是特殊版本
2N7002增强型N沟道场效应
晶体管，由N通道DMOS制
工艺，专为高速脉冲放大器和
驱动器应用。这些特殊器件具有低
RDS（ON）和低VDS （ ON） 。
标记代码： CMPDM7002A ：
C702A
CMPDM7002AG * ： 702G
SOT- 23 CASE
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
另有说明）
民
60
60
40
280
280
1.5
1.5
350
-65到+150
357
最大
100
1.0
500
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 20V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0 ， TJ = 125°C
ID （上）
VGS = 10V ， VDS = 10V
BVDSS
VGS = 0时， n = 10μA
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS （上）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
VDS （上）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
VSD
VGS = 0时， IS = 400毫安
RDS （ ON）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
RDS （ ON）
VGS = 10V ， ID = 500毫安， TJ = 125°C
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50mA时TJ = 125°C
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 200毫安
CRSS
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
吨， Toff的
VDD = 30V ， VGS = 10V ， ID =的200mA，
RG = 25Ω ， RL = 150Ω
500
60
1.0
2.5
1.0
0.15
1.2
2.0
3.5
3.0
5.0
5.0
50
25
20
80
R4 （ 2010年27月）
CMPDM7002A
CMPDM7002AG*
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
1 ） GATE
2 ）资料来源
3 ）排水
标记代码：
CMPDM7002A ： C702A
CMPDM7002AG * ： 702G
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
R4 （ 2010年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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