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CMPDM7002A
CMPDM7002AG*
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMPDM7002A
和CMPDM7002AG是特殊版本
2N7002增强型N沟道场效应
晶体管,由N通道DMOS制
工艺,专为高速脉冲放大器和
驱动器应用。这些特殊器件具有低
RDS(ON)和低VDS ( ON) 。
标记代码: CMPDM7002A :
C702A
CMPDM7002AG * : 702G
SOT- 23 CASE
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
最大额定值:
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流(体二极管)
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
另有说明)
60
60
40
280
280
1.5
1.5
350
-65到+150
357
最大
100
1.0
500
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
电气特性:
( TA = 25℃ ,除非
符号
测试条件
IGSSF , IGSSR VGS = 20V , VDS = 0
IDSS
VDS = 60V , VGS = 0
IDSS
VDS = 60V , VGS = 0 , TJ = 125°C
ID (上)
VGS = 10V , VDS = 10V
BVDSS
VGS = 0时, n = 10μA
VGS ( TH)
VDS = VGS ,ID = 250μA
VDS (上)
VGS = 10V ,ID = 500毫安
VDS (上)
VGS = 5.0V , ID = 50毫安
VSD
VGS = 0时, IS = 400毫安
RDS ( ON)
VGS = 10V ,ID = 500毫安
RDS ( ON)
VGS = 10V , ID = 500毫安, TJ = 125°C
RDS ( ON)
VGS = 5.0V , ID = 50毫安
RDS ( ON)
VGS = 5.0V , ID = 50mA时TJ = 125°C
政府飞行服务队
VDS = 10V ,ID = 200毫安
CRSS
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
吨, Toff的
VDD = 30V , VGS = 10V , ID =的200mA,
RG = 25Ω , RL = 150Ω
500
60
1.0
2.5
1.0
0.15
1.2
2.0
3.5
3.0
5.0
5.0
50
25
20
80
R4 ( 2010年27月)
CMPDM7002A
CMPDM7002AG*
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1 ) GATE
2 )资料来源
3 )排水
标记代码:
CMPDM7002A : C702A
CMPDM7002AG * : 702G
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
R4 ( 2010年27月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMPDM7002A
N沟道
增强型
表面贴装MOSFET
中央
TM
半导体公司
描述:
中央
半导体
CMPDM7002A是2N7002的特殊版本
增强型N沟道场效应
晶体管,由N沟道制造
DMOS工艺,专为高速脉冲
放大器和驱动器应用。这种特殊的
器件还提供低RDS (ON )和低VDS ( ON) 。
标识代码是C702A 。
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流(体二极管)
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
单位
nA
nA
A
A
mA
V
V
V
V
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
60
60
40
280
280
1.5
1.5
350
-65到+150
357
最大
100
100
1.0
500
2.5
1.0
0.15
2.0
3.5
3.0
5.0
5.0
50
25
20
20
1.2
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
VGS = 20V , VDS = 0V
IGSSF
IGSSR
VGS = 20V , VDS = 0V
IDSS
VDS = 60V , VGS = 0V
IDSS
VDS = 60V , VGS = 0V , TJ = 125°C
ID (上)
VGS = 10V , VDS
2VDS(ON)
500
BVDSS
VGS = 0V ,ID = 10μA
60
VGS ( TH)
VDS = VGS ,ID = 250μA
1.0
VDS (上)
VGS = 10V ,ID = 500毫安
VDS (上)
VGS = 5.0V , ID = 50毫安
RDS ( ON)
VGS = 10V ,ID = 500毫安
RDS ( ON)
VGS = 10V , ID = 500毫安, TJ = 125°C
RDS ( ON)
VGS = 5.0V , ID = 50毫安
RDS ( ON)
VGS = 5.0V , ID = 50mA时TJ = 125°C
政府飞行服务队
VDS
2VDS ( ON)时, ID = 200毫安
80
CRSS
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 25V , VGS = 0 , F = 1.0MHz的
VDD = 30V , VGS = 10V , ID =的200mA,
花花公子
RG = 25Ω , RL = 150Ω
VSD
VGS = 0V, IS = 400毫安
R0 ( 2001年05月)
中央
TM
CMPDM7002A
N沟道
增强型
表面贴装MOSFET
半导体公司
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1 ) GATE
2 )资料来源
3 )排水
标识代码: C702A
R0 ( 2001年05月)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:深圳市福田区都会大厦B座24K
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