CMPD2003
CMPD2004
CMPD2004S
高压
开关二极管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体
CMPD2003 ， CMPD2004 ， CMPD2004S类型
制造硅开关二极管
外延平面工艺，设计用于
应用程序需要高电压能力。
SOT- 23 CASE
下面的配置：
CMPD2003
CMPD2004
CMPD2004S
单身
单身
双串联
标识代码： A82
标识代码： D53
标识代码： DB6
最大额定值
(TA=25oC)
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
CMPD2003
200
250
200
250
625
4000
1000
350
CMPD2004
CMPD2004S
240
300
200
225
625
4000
1000
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
oC
摄氏度/ W
连续反向电压
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 1
s
正向浪涌电流， TP = 1秒
功耗
工作和存储
结温
热阻
-65到+150
357
电气特性
值（TA = 25℃ ，除非另有说明）
CMPD2004
CMPD2003
CMPD2004S
符号
测试条件
民
最大
民
最大
BVR
IR=100
A
250
300
IR
VR=200V
100
-
IR
VR = 200V ， TA = 150℃
100
-
IR
VR=240V
-
100
IR
VR = 240V ， TA = 150℃
-
100
VF
IF=100mA
1.0
1.0
单位
V
nA
A
nA
A
V
132
符号
VF
CT
TRR
CMPD2003
测试条件
民
最大
IF=200mA
1.25
VR = 0中，f = 1 MHz的
5.0
IF = IR = 30mA时RECOV 。 TO 3.0毫安，
RL=100
50
CMPD2004
CMPD2004S
民
最大
-
5.0
50
单位
V
pF
ns
以英寸（毫米）的所有尺寸。
NO
连接
A
C1
A2
C
CMPD2003
CMPD2004
A1 ， C2
CMPD2004S
R2
133
CMPD2003
'
CMPD2003C
^
CMPD2003S
CMPD2004
'
CMPD2004C
CMPD2004S
表面贴装
高压开关二极管
中央
描述
TM
半导体公司
中央半导体CMPD2003 ，
CMPD2003C ， CMPD2003S ， CMPD2004 ，
CMPD2004C和CMPD2004S类型的硅
切换通过外延制二极管
平面工艺，设计用于
需要高电压能力。
SOT- 23 CASE
下面的配置：
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
CMPD2004
CMPD2004C
CMPD2004S
单身
双通道，共阴极
双串联
单身
双通道，共阴极
双串联
标识代码：
标识代码：
标识代码：
标识代码：
标识代码：
标识代码：
A82
C3C
C3S
D53
DB7
DB6
最大额定值
(TA=25°C)
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Q
JA
连续反向电压
峰值电压RepetitiveReverse
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 1毫秒
正向浪涌电流， TP = 1秒
功耗
工作和存储
结温
热阻
CMPD2003
CMPD2004
CMPD2003C CMPD2004C
CMPD2003S CMPD2004S
200
240
250
300
200
200
250
225
625
625
4000
4000
1000
1000
350
-65到+150
357
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
民
最大
250
100
CMPD2004
CMPD2004C
CMPD2004S
民
最大
300
-
符号
BVR
IR
测试条件
IR=100mA
VR=200V
单位
V
nA
170
符号
IR
IR
IR
VF
VF
CT
TRR
测试条件
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
民
最大
100
-
-
1.0
1.25
5.0
50
顶视图
CMPD2004
CMPD2004C
CMPD2004S
民
最大
-
100
100
1.0
-
5.0
50
单位
mA
nA
mA
V
V
pF
ns
VR = 200V ， TA = 150℃
VR=240V
VR = 240V ， TA = 150℃
IF=100mA
IF=200mA
VR = 0中，f = 1 MHz的
IF = IR = 30mA时拍摄。于： 3.0毫安，RL = 100W
以英寸（毫米）的所有尺寸。
120,1$/
120,1$/
0$;,080
0$;,080
1&
$
$
$
&
$
＆放大器;
& ？ & ？
$ ?? & ？
CMPD2003
CMPD2004
CMPD2003C
CMPD2004C
CMPD2003S
CMPD2004S
R3
171
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
CMPD2004
CMPD2004A
CMPD2004C
CMPD2004S
中央
TM
半导体公司
表面贴装
高压
硅开关二极管
描述：
中央半导体CMPD2003 ，
CMPD2003C ， CMPD2003S ， CMPD2004 ，
CMPD2004A ， CMPD2004C和CMPD2004S
类型硅开关二极管制造
通过外延平面工艺，设计用于
需要高电压应用
能力。
SOT- 23 CASE
下面的配置：
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
CMPD2004
CMPD2004A
CMPD2004C
CMPD2004S
单身
双通道，共阴极
双串联
单身
双通道，共阳极
双通道，共阴极
双串联
标识代码： A82
标识代码： C3C
标识代码： C3S
标识代码： D53
标识代码： DB8
标识代码： DB7
标识代码： DB6
最大额定值：
(TA=25°C)
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
200
250
200
250
625
4.0
1.0
350
符号
连续反向电压
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 1.0微秒
正向浪涌电流， TP = 1.0秒
功耗
工作和存储
结温
热阻
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
CMPD2004
CMPD2004A
CMPD2004C
CMPD2004S
240
300
200
225
单位
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
-65到+150
357
R7 （ 2003年6月）
中央
TM
半导体公司
CMPD2003
CMPD2003C
CMPD2003S
CMPD2004
CMPD2004A
CMPD2004C
CMPD2004S
表面贴装
高压
硅开关二极管
每二极管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMPD2004
CMPD2003
CMPD2004A
CMPD2003C
CMPD2004C
CMPD2003S
CMPD2004S
符号
测试条件
最小最大
最小最大
BVR
IR
IR
IR
IR
VF
VF
CT
TRR
IR=100A
VR=200V
VR = 200V ， TA = 150℃
VR=240V
VR = 240V ， TA = 150℃
IF=100mA
IF=200mA
VR = 0V ， F = 1.0 MHz的
IR = IF = 30mA时RL = 100Ω ，建议。到3.0毫安
250
100
100
-
-
1.0
1.25
5.0
50
300
-
-
100
100
1.0
-
5.0
50
单位
V
nA
A
nA
A
V
V
pF
ns
SOT- 23案例 - 机械外形
标识代码：
见前页
2
1
2
1
2
1
2
1
D1
D2
D1
D2
D1
D2
3
3
3
3
前导码：
CMPD2003
CMPD2004
1 ）阳极
2 ）无连接
3 ）阴极
前导码：
CMPD2004A
1 ）阴极D2
2 ）阴极D1
3 ）阳极D1 ， D2阳极
前导码：
CMPD2003C
CMPD2004C
1 ）阳极D2
2 ）阳极D1
3 ）阴极D1 ， D2阴极
前导码：
CMPD2003S
CMPD2004S
1 ）阳极D2
2 ）阴极D1
3 ）阳极D1 ， D2阴极
R7 （ 2003年6月）
QQ：2881677436 复制
