CMNDM8001
表面贴装
P沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMNDM8001
是增强型P沟道MOSFET ，
由P沟道DMOS工艺制造的
设计用于高速脉冲放大器和驱动器
应用程序。这种MOSFET具有低RDS（ON）和
低阈值电压。
标识代码：BC
SOT- 953案例
设备是
无卤
通过设计
产品特点：
低0.5毫米套餐简介
低RDS （ ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小， FEMTOmini 1.0× 0.8毫米， SOT- 953
表面贴装封装
符号
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ ， TSTG
20
10
100
200
250
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
连续漏电流
功耗
工作和存储结温
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IGSSF ， IGSSR VGS = 10V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 20V ， VGS = 0
BVDSS
VGS = 0时， n = 100μA
VGS （ TH）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 4.0V ， ID = 10毫安
VGS=2.5V,
VGS=1.5V,
ID=10mA
ID=1.0mA
100
15
45
15
35
80
最大
1.0
1.0
单位
μA
μA
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
20
0.6
1.1
8.0
12
45
VDS = 10V ，ID =百毫安
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 3.0V ， VGS = 2.5V ， ID = 10毫安
VDD = 3.0V ， VGS = 2.5V ， ID = 10毫安
R1 （ 2010年25月）
CMNDM8001
表面贴装
P沟道
增强型
硅MOSFET
SOT - 953案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）排水
2 ）排水
3 ）排水
4 ）资料来源
5 ）门
标识代码：BC
R1 （ 2010年25月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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