【CMM0618-BDVNP @秒 @ QXNP @ gh @ QW @ MMIC @一“ - ” 】,IC型号CMM0618-BD,CMM0618-BD PDF资料,CMM0618-BD经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMM0618-BD

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教育部“ @ b~ ” ...... “ ” l在我“ @ QPWYU 1 R ' 1 R NL @ H \u003e S ”L @ TY “ @ WWPYY

t'Z @ RXQNYXXNTVPP @@ F“ YZ @ RXQNYXXNTVQU @@ N ” OE“ ... ” ...... “ ” “

RPPU @萌“ @ b~ ” ...... “ ” l在我“

CELERITEK INC 。

先进的产品技术指标

(

)

产品描述：

6-18GHz 1W MMIC放大器

产品应用：

项目工程师：

卡罗Poledrelli

屏蔽号码：

M400

版本号：

部件号：

CMM0618-BD

BM编号：

待定

修改：

发布日期：

10/29/04

主要特点

在平衡的配置中使用的2级设计的理想

芯片的输入/输出DC模块集成

30dBm的典型PSAT

10.5分贝标称增益

偏见： 6V ， 750毫安

芯片尺寸： 2.815x1.980mm

室温下的电气规格在VDD = 6.5V ， IDQ = 775毫安。

(

)

参数

符号

民

典型值

工作频段

在1dB压缩输出功率

饱和输出功率

PSAT峰 - 峰值的变化在频率

线性增益

法律信息网的峰 - 峰值变化在频率

输出三阶截点@ 10GHz的

静态电流

热阻

稳定性

P1dB

PSAT

ΔP1dB

法律信息网

ΔGlin

OIP3

IDQ

RTH

无条件稳定

6.0

28.0

29.0

8.5

700

29.0

30.0

36.0

775

最大

18.0

2.0

12.5

3.0

850

待定

单位

GHz的

DBM

° C / W

(

)

规格若有变更。

(

)

基于使用Celeritek的连接器连接固定装置拍摄的RAW数据。

电气规格在工作温度： -35 ÷ 75 ℃。

参数

符号

民

典型值

最大

单位

从室温值P1dB的变化

从室温值GLIN变异

ΔP1dB

ΔGlin

±0.5

±0.7

DBM

绝对最大额定值

(

)

参数

符号

民

等级

最大

单位

漏极电压电源

漏电流

耗散功率

输入功率

储存温度

通道温度

工作温度背面

VDD

IDS

PDISS

针

TSTG

总胆固醇

5.0

-50

-40

8.0

1.0

8.0

25.0

150

175

DBM

°C

(

)

(

)

以外的这些限制操作可能会造成永久性的损害。

(

)

使用下面的公式计算出的最高工作温度：最高温度= 175至（ PDISS [W ]× Rth的[℃ / W] ） [° C] 。

6.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC

功率放大器

2007年8月 - 修订版30 - 8 - 07

CMM0618-BD

芯片设备布局

特点

宽带功率放大器

正增益斜率

10.5分贝小信号增益

29.0 dBm的P1dB压缩点

36.0 dBm的三阶截取

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883

方法2010

概述

MIMIX宽带的二级6.0-18.0 GHz的砷化镓

MMIC功率放大器具有10.5的小信号增益

分贝与29.0 dBm的P1dB的输出压缩点

是理想的均衡配置使用。这

MMIC采用MIMIX宽带公司的0.3微米的GaAs PHEMT

设备模型的技术，和基于电子

束光刻技术以确保高重复性和

均匀性。该芯片具有表面钝化保护

并提供了坚固的部分与通孔背面

和镀金，让无论是导电

环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这

器件非常适合于测试仪器仪表，军工，

航天，微波点对点无线电站，卫星通信和

VSAT应用。

绝对最大额定值

电源电压（ VD）

电源电流（ Id1,2 ）

栅极偏置电压（ VG）

输入功率（Pin ）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

8.0伏

500 ， 500毫安

+0.0 VDC

25.0 dBm的

-65 + 165

-55到MTTF图

MTTF图

（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ F）

输入回波损耗（ S11 ）

输出回波损耗（ S22 ）

小信号增益（ S21 ）

增益平坦度（ S21 ）

反向隔离（ S12 ）

输出功率的1dB压缩（ P1dB为）

输出三阶互调（ OIP3 ）

饱和输出功率（ PSAT ）

漏极偏置电压（ Vd1,2 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2 ）

电源电流（ ID1）（VD = 7.0 V， V G = -0.8 V（典型））

电源电流（ ID2）（VD = 7.0 V， V G = -0.8 V（典型））

单位

GHz的

DBM

VDC

分钟。

6.0

-2.0

典型值。

7.0

5.0

10.5

+/-1.5

40.0

+29.0

+36.0

+30.0

+6.0

-0.8

375

马克斯。

18.0

+7.5

-0.1

425

100 ％的晶片直流测试和100％的RF晶片资格。晶圆资格包括来自每个象限测试样品

有80 ％的合格率要求。

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

第1页5

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2007

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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功率放大器

2007年8月 - 修订版30 - 8 - 07

CMM0618-BD

功率放大器的测量

CMM0618 -BD Vd1,2 = 7.0 V， Id1,2 = 750毫安

反向隔离度（dB ）

CMM0618 -BD Vd1,2 = 7.0 V， Id1,2 = 750毫安

-10

增益（dB ）

3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

频率（GHz ）

-20

-30

-40

-50

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

频率（GHz ）

CMM0618 -BD Vd1,2 = 7.0 V， Id1,2 = 750毫安

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-20

-35

-40

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

频率（GHz ）

-25

3.0

4.0

5.0

输出回波损耗（dB ）

输入回波损耗（dB ）

CMM0618 -BD Vd1,2 = 7.0 V， Id1,2 = 750毫安

-10

-15

6.0

7.0

8.0

9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

频率（GHz ）

CMM0618 -BD Vd1,2 =见传奇， Id1,2 = 800毫安

输出功率的P1dB （ dBm的）

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

频率（GHz ）

Vd1,2 = 6.0 V

Vd1,2 = 6.5 V

Vd1,2 = 7.0 V

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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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功率放大器

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CMM0618-BD

0.674

(0.027)

1.531 1.781

(0.060) (0.070)

2.650

(0.104)

机械制图

1.980

(0.078)

1.023

(0.040)

1.023

(0.040)

0.0

0.674

(0.027)

2.650 2.815

(0.104) (0.111)

1.531 1.781

(0.060) (0.070)

（注：工程代号为M400 ）

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的门直流焊垫是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ）。所有的RF / DC漏接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）。

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 3.455毫克。

焊盘＃ 1 （ RF输入）

焊盘＃ 2 （ VG2绕道）

焊盘＃ 3 （ Vd2的）

焊盘＃ 4 （ VG1绕道）

焊盘＃ 5 （ Vd1的）

焊盘＃ 6 （ RF输出）

焊盘＃ 7 （ Vd1的绕道）

焊盘＃ 8 （ VG1 ）

焊盘＃ 9 （ Vd2的绕道）

焊盘＃ 10 （ VG2 ）

偏置安排

Vd2

Vd1

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

在RF

RF OUT

Vg2

Vg1

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功率放大器

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应用笔记[1]偏置

- 注偏压可以从装置的任一侧施加。建议单独地偏置每个放大器级

VD1通过Vd2的在Vd的（ 1,2） = 6.0V与为Id1 = 375毫安，和ID2 = 375毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高温中使用

饱和度，其中栅极精馏将改变有效栅极控制电压的电平。对于非关键应用是可能的平行

所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极电流Id （总） = 750毫安。此外，还建议使用有源偏置来

保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据电源电压

可用和功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低

串联地用于感测电流的漏极供给值电阻。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流

因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.8V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制

施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正排前

供应量。

应用笔记[2]偏置安排

- 每个DC垫（ Vd1,2和Vg1,2 ）需要有DC旁路电容（ 100200 pF）的尽量靠近器件

成为可能。漏极（ Vd1,2 ）旁路路径也必须包括一个2-3转金空心线圈，如图所示。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）是

还建议。

MTTF图

1.0E+07

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

CMM0618 -BD VD = 6.0 V ，ID = 750毫安

1.00E+03

CMM0618 -BD VD = 6.0 V ，ID = 750毫安

1.0E+06

平均无故障时间（小时）

1.00E+02

1.0E+05

FITS

1.00E+01

1.0E+04

1.00E+00

1.0E+03

105

115

125

背板温度（摄氏度）

1.00E-01

105

115

125

底板温度（摄氏度）

CMM0618 -BD VD = 6.0 V ，ID = 750毫安

210

200

190

TCH （ ℃）

180

170

160

150

140

130

105

115

125

背板温度（摄氏度）

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搬运和装配信息

注意！

- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓（GaAs ），这会危害人体

和环境。为安全起见，请遵循以下步骤：

勿摄取。

不改变本产品通过燃烧的形式转化为气体，粉末或液体，粉碎，或化学

处理这些副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃本产品时，公司的规定。该产品必须是

丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。

生命支持政策

- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件

系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用：（1）

生命支持设备或系统指：（a ）打算通过外科手术移植到体内的装置或系统，或（b ）

支持或维持生命，而其不履行正确的使用按照规定使用说明

标签，可以合理预期造成显著伤害到用户。（ 2 ）关键部件是任何组件

生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

ESD

- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供

容器，应在无尘室条件下被打开，在适当的接地防静电工作站。设备

需要小心处理的正确使用夹头设计，真空或皮卡，小心，锋利的镊子。

芯片连接

- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.100毫米（ 0.004" ）厚，通过向背面有孔

使接地电路。微带基片应使尽可能靠近模具成为可能。安装面

应该是干净，平整。如果使用导电环氧树脂，环氧树脂建议是田中TS3332LD ，模垫DM6030HK或

DM6030HK铂固化在按照生产商的固化时间为氮气气氛。适用于环氧谨慎，以避免得到任何

上的管芯的顶表面上。环氧角应在总芯片周边可见。有关其他信息

请参阅MIMIX "Epoxy规格裸Die"应用笔记。若共晶的安装是优选的，然后无焊剂

金 - 锡（金锡）预型件，约0.001厚，置于模具和安装面之间应使用。一模

键合机是利用加热夹套，并提供擦洗行动，以确保总湿润，防止空隙形成的

氮气氛中，推荐。金 - 锡共晶（80％金20％ Sn）的具有大约280 C的熔点

（注：金锗应避免）。该工作站的温度应该是310 C +/- 10℃ 。暴露于这些

极端的温度应保持在最低限度。套爪应加热，并在模具预加热，以避免过度的

热冲击。空中桥梁和影响力的是避免放置过程中是至关重要的。

引线键合

- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供以允许引线键合到管芯的金

焊垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米（ 0.003" X 0.0005" ） 99.99 ％的纯金丝带

用0.5-2 ％的伸长率，以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米（ 0.001" ）直径的楔形或球债券

可接受的直流偏置连接。应避免使用铝线。热压粘合推荐

虽然热超声键合，可以使用提供所述键的超声波含量最小化。粘结力，时间和

超声波都是至关重要的参数。键应当在管芯的封装或基板上而制成的键合焊盘。所有

债券应尽可能地短。

如需订购部件号

CMM0618-BD-000V

PB-CMM0618-BD-0000

描述

符合RoHS标准模具装在真空释放凝胶包

CMM0618 -BD评估模块

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

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他们有义务要符合美国的出口法律。