2.0-9.0 GHz的
砷化镓MMIC放大器
2008年2月 - 修订版03 -FEB -08
CMM-9-BD
芯片图
特点
宽带宽
13分贝典型增益
小尺寸： 39x35密耳
直接级联
自偏置
单电源供电
概述
MIMIX宽带的CMM- 9是2 9 GHz的砷化镓MMIC
放大器。它是一个两阶段的反馈设计，它提供
高增益和良好的动力采用单电源供电。
应用范围包括振荡器缓冲器， RF和IF增益模块
和驱动放大器。
在CMM - 9是一个非常小的芯片，它提供增益13分贝
并从6伏电源17 dBm的功率。该芯片是
直接级联的，无需额外的部件。该
电路的自偏置功能可提供出色的性能
从5到7伏的电源。必须小心，以分离出
来自外部的直流电压输入。
MIMIX的MMIC制造在离子注入砷化镓材料
与金基金属化。在FET栅极是分一半
微米，三通截面结构。空气桥用于
对于顶层互连。氮化硅作为
电容器介质和表面钝化。梅萨电阻
用于反馈和偏置功能。
在CMM - 9芯片形式提供。它可以被筛选，以
满足商用，军用高可靠性和空间级的可靠性
要求。特殊定制晶圆资格
电气和/或可靠性的要求也可用。
绝对最大额定值
电压
连续功率耗散
通道温度
储存温度
安装温度
输入功率
JC
8V
1.25 W
+175 C
-65到+175
C
+320 C
+20 dBm的
80 ° C / W
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2008
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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规格（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 6V ， 2-9千兆赫）
键合图
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典型性能（T
A
= 25C)
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典型的散射参数，T
A
= 25C
（ S-参数包括焊线寄生）
等效电路
晶圆鉴定程序
100％的直流文本
100％的视觉督察。
样机械
评价
采样电路
性能测试*
可靠性
评定
* 80 ％的测试样本必须符合规格
晶圆验收。
NF ，增益， P1dB为，
VSWR
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搬运和装配信息
注意！
- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓（GaAs ），这会危害人体和
环境。为安全起见，请遵循以下步骤：
不要摄取。
不要改变这个产品通过焚烧的形式转化为气体，粉末或液体，破碎或化学
处理这些副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
废弃本产品时，应遵守政府法律和公司章程。该产品必须是
丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。
生命支持政策
- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件
系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用： （1 ）寿命
支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持设备或系统
生命，而其不履行时，按照标示中提供的使用说明正确使用，可以
合理预期造成显著伤害到用户。 （ 2 ）关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统，其不履行可以合理预期造成的生命支持设备或系统故障，或影响其
安全性和有效性。
ESD
- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供
容器，应在无尘室条件下被打开，在适当接地的防静电工作站。设备需要
谨慎处理使用正确设计夹头，真空或皮卡，小心，锋利的镊子。
模具附件：
导电环氧树脂或预芯片粘接是中建议
谁料。对于瓶坯模具高度：瓶胚：金锡（ 80 ％金， 20 ％
SN ） ;舞台温度： 290 C ， ±5 C ;搬运工具：镊子;
时间： 1分钟或更少。
引线键合：
线材规格： 0.7 1.0密耳直径（前
强调） ;热压粘合，优选在
热压粘接。对于热压粘合：第一阶段
温度： 250 C ;焊头温度： 150 C ;合
提示压力：取决于电线的大小18 40克。
符合RoHS标准，
- 所有MIMIX产品均符合RoHS标准，除非另有说明。
订购信息
如需订购部件号
CMM-9-BD-000X
描述
其中“ X”是符合RoHS标准模具装在“V” - 真空释放凝胶包或
W“ - 华夫饼干的托盘
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
操作此设备时，适当的ESD程序应遵循。
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QQ：2880707522 复制
