CMLT591E
表面贴装
PICOmini
TM
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
CC
E
CC
描述:
中央半导体CMLT591E
类型是PNP低VCE (星期六) 1.0安培晶体管,
环氧模制在一个节省空间的PICOmini
SOT- 563表面贴装封装和设计
对于要求高电流容量的应用程序
低饱和电压。
标识代码: L59
B
SOT- 563案例
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电流(峰值)
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
ICM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
200
2.0
250
-65到+150
500
单位
V
V
V
A
mA
A
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=60V
VEB=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=100A
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 1.0A , IB =百毫安
IC = 1.0A , IB =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0A
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=10V,
VCB=10V,
IC=500mA
IC=1.0A
IC=2.0A
IC = 50mA时F = 100MHz的
IE = 0 , F = 1.0MHz的
民
最大
100
100
80
60
5.0
0.20
0.40
1.1
1.0
200
200
50
15
150
10
600
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
R2 ( 2003年7月)