CMLT5554
表面贴装
PICOmini
TM
DUAL互补
高压
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMLT5554
由一个2N5551型硅NPN晶体管
和一个单独的隔离互补
2N5401 PNP硅晶体管，制造
通过外延平面工艺和环氧
成型的SOT- 563表面贴装封装。
这PICOmini 设备被设计为
高电压放大器的应用。
标识代码： 5C4
SOT- 563案例
最大额定值：
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
(TA=25°C)
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
NPN （ Q1 ）
180
160
6.0
600
350
-65到+150
357
PNP （ Q2）
160
150
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICBO
ICBO
ICBO
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
的hFE
NF
测试条件
VCB=120V
VCB=100V
VCB = 120V ， TA = 100℃
VCB = 100V ， TA = 150℃
IC=100A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安
VCE = 5.0V ， IC = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ， RS = 10Ω ，
F = 10Hz到15.7kHz
NPN
民
-
-
-
-
180
160
6.0
-
-
-
-
80
80
30
100
-
50
-
(Q1)
最大
50
-
50
-
-
-
-
0.15
0.2
1.0
1.0
-
250
-
300
6.0
200
8.0
PNP （ Q2）
最小最大
-
-
-
50
-
-
-
50
160
-
150
-
5.0
-
-
0.2
-
0.5
-
1.0
-
1.0
50
-
60
240
50
-
100 300
-
6.0
40
200
8.0
单位
nA
nA
A
A
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
R0 （ 2004年26月）
QQ：2880707522 复制
