CMLT3904E CMLT3904EG * NPN
CMLT3906E CMLT3906EG * PNP
CMLT3946E CMLT3946EG * NPN / PNP
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
这些中央半导体器件
是双，增强规范组合
节省空间的SOT- 563封装的晶体管，
设计用于小信号通用放大器和
开关应用。
标记代码： CMLT3904E ：
CMLT3906E ：
CMLT3946E ：
CMLT3904EG * ：
CMLT3906EG * ：
CMLT3946EG * ：
L04
L06
L46
C4G
C6G
46G
SOT- 563案例
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
增强产品规格：
BVCBO从MIN 40V至60V MIN （ PNP ）
BVEBO从5.0V MIN至6.0V MIN （ PNP ）
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻
的hFE从60分钟到70分钟（ NPN / PNP ）
VCE （ SAT）从0.3V MAX为0.2V MAX （ NPN ）
从0.4V MAX为0.2V MAX （ PNP ）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
° C / W
60
40
6.0
200
350
300
150
-65到+150
357
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
NPN
PNP
符号
测试条件
民
典型值
典型值
最大
ICEV
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
-
-
-
50
IC=10A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=10mA
IC=50mA
60
40
6.0
-
-
0.65
-
90
100
100
70
30
115
60
7.5
0.057
0.100
0.75
0.85
240
235
215
110
50
90
55
7.9
0.050
0.100
0.75
0.85
130
150
150
120
55
-
-
-
0.100
0.200
0.85
0.95
-
-
300
-
-
单位
nA
V
V
V
V
V
V
V
增强规范
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
R4 （ 2010年20月）
CMLT3904E CMLT3904EG * NPN
CMLT3906E CMLT3906EG * PNP
CMLT3946E CMLT3946EG * NPN / PNP
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
PER晶体管电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
民
最大
fT
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
300
COB
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
4.0
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
td
tr
ts
tf
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 1.0kΩ
F = 10Hz到15.7kHz
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
1.0
0.1
100
1.0
8.0
12
10
400
60
4.0
35
35
200
50
单位
兆赫
pF
pF
kΩ
x10
-4
μS
dB
ns
ns
ns
ns
SOT- 563案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射Q1
2 ）基Q1
3 ） Q2集电极
4 ）发射Q2
5 ） Q2基
6 ） Q1集电极
CMLT3904E
CMLT3904EG*
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
CMLT3906E
CMLT3906EG*
CMLT3946E
CMLT3946EG*
R4 （ 2010年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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