CMLM0575
多离散模块
表面贴装硅
N沟道MOSFET和
低VF肖特基二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLM0575
是一个多离散模块由单一的
N沟道增强型MOSFET和一个
低VF肖特基二极管封装在一个节省空间
PICOmini SOT- 563表面贴装情况。这
设备是专为小信号通用
应用规模和运营效率
首要的要求。
标识代码： 75℃
SOT- 563案例
应用范围：
直流 - 直流转换器
升压转换器
电机驱动控制
电池供电的便携式设备
产品特点：
大电流MOSFET （ ID = 650毫安）
ESD保护高达2kV的
低RDS （ ON） MOSFET （ 275mΩ MAX @ VGS = 2.5V ）
低VF肖特基二极管（ 0.47V MAX @ 0.5A ）
符号
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
符号
VDS
VGS
ID
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
300
150
-65到+150
357
单位
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
V
V
mA
单位
V
mA
A
A
最大额定值 - 案例：
(TA=25°C)
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻
最大额定值 - Q1 ：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
最大额定值 - D1 ：
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
峰值重复正向电流， tp≤1.0ms
峰值正向浪涌电流， TP = 8.0ms
20
8.0
650
40
500
3.5
10
电气特性 - Q1 ：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 16V ， VGS = 0
BVDSS
VGS = 0时， n = 250μA
20
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
0.5
VSD
VGS = 0时， IS = 200毫安
VGS = 4.5V ，ID = 600毫安
0.14
RDS （ ON）
RDS （ ON）
VGS = 2.5V ，ID = 500毫安
0.2
RDS （ ON）
VGS = 1.8V ， ID = 350毫安
注意事项：
（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
最大
1.0
100
1.1
1.1
0.23
0.275
0.7
单位
μA
nA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
R1 （ 2011年27月）
CMLM0575
多离散模块
表面贴装硅
N沟道MOSFET和
低VF肖特基二极管
电气特性 - Q1续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号测试条件
民
典型值
最大
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
1.58
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
0.17
QGD
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
0.24
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID =百毫安
200
CRSS
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
18
西塞
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
100
科斯
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
16
吨
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
10
花花公子
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
25
电气特性 - D1 ：
(TA=25°C)
符号测试条件
IR
VR=10V
IR
VR=30V
BVR
IR=500μA
VF
IF=100μA
VF
IF=1.0mA
VF
IF=10mA
VF
IF=100mA
VF
IF=500mA
CT
VR = 1.0V ， F = 1.0MHz的
民
典型值
最大
20
100
0.13
0.21
0.27
0.35
0.47
50
单位
nC
nC
nC
mS
pF
pF
pF
ns
ns
40
单位
μA
μA
V
V
V
V
V
V
pF
SOT- 563案例 - 机械外形
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）阴极D1
4 ）阳极D1
5 ）阳极D1
6 ）排水Q1
标识代码： 75℃
R1 （ 2011年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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