CMLM0205
M ü LT I D I S C R é T E M O对 ü L E
表面贴装
N沟道MOSFET和
低VF硅肖特基二极管
TM
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMLM0205是
多离散模块
由单一的
N沟道MOSFET和低VF肖特基二极管
封装在一个节省空间的PICOmini SOT- 563
情况。该器件是专为小信号
一般用途的应用规模和
运营效率是首要的要求。
组合： N沟道MOSFET和
低VF肖特基二极管。
SOT- 563案例
标识代码：
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
C25
350
-65到+150
357
单位
mW
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
单位
V
mA
A
A
单位
nA
nA
A
A
mA
V
V
V
V
毫姆欧
最大额定值（ SOT- 563封装） ：
(TA=25°C)
功耗
工作和存储
结温
热阻
最大额定值Q1 ：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
最大额定值D1 ：
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
峰值重复正向电流， TP
≤
1ms
正向浪涌电流， TP = 8毫秒
60
60
40
280
280
1.5
1.5
40
500
3.5
10
最大
100
100
1.0
500
电气特性Q1 ：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IGSSF
VGS = 20V ， VDS = 0V
IGSSR
VGS = 20V ， VDS = 0V
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0V
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0V ， TJ = 125°C
ID （上）
VGS = 10V ， VDS
≥
2VDS(ON)
500
BVDSS
VGS = 0V ，ID = 10μA
60
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
1.0
VDS （上）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
VDS （上）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
RDS （ ON）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
RDS （ ON）
VGS = 10V ， ID = 500毫安， TJ = 125°C
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50mA时TJ = 125°C
政府飞行服务队
VDS
≥
2VDS （ ON）时， ID = 200毫安
80
2.5
1.0
0.15
2.0
3.5
3.0
5.0
R0 （ 2004年12月）
中央
符号
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VSD
CMLM0205
TM
M ü LT I D I S C R é T E M O对 ü L E
表面贴装
N沟道MOSFET和
低VF硅肖特基二极管
民
最大
5.0
50
25
20
20
1.2
单位
pF
pF
pF
ns
ns
V
半导体公司
电气特性Q1
（续）
测试条件
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 30V ， VGS = 10V ， ID =的200mA，
RG = 25Ω ， RL = 150Ω
VGS = 0V， IS = 400毫安
电气特性D1 （ TA = 25 ° C）
IR
VR = 10V
IR
VR = 30V
BVR
IR = 500μA
VF
IF = 100μA
VF
IF = 1.0毫安
VF
IF = 10毫安
VF
IF = 100毫安
VF
IF = 500毫安
CT
VR = 1.0V ， F = 1.0 MHz的
20
100
40
0.13
0.21
0.27
0.35
0.47
50
A
A
V
V
V
V
V
V
pF
SOT- 563 - 机械概要
D
A
6
E
5
E
4
B
G
F
1
2
3
C
H
R0
标识代码： C25
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）阴极D1
4 ）阳极D1
5 ）阳极D1
6 ）排水Q1
R0 （ 2004年12月）
QQ：2880707522 复制
