CMLDM8002A
CMLDM8002AJ
表面安装PICOmini
TM
双P沟道
增强型
硅MOSFET
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CMLDM8002A和
CMLDM8002AJ是双芯片的增强模式
P沟道场效应晶体管，由制
P沟道DMOS工艺，专为高速脉冲
放大器和驱动器应用。该CMLDM8002A利用
在美国的引脚配置，而CMLDM8002AJ ，
利用日本的引脚配置，可作为
特殊订货。这些特殊的双晶体管器件具有低
RDS （ on）和低VDS （ ON） 。
SOT- 563案例
标识代码： CMLDM8002A ： C08
CMLDM8002AJ ： CJ8
产品特点：
双芯片器件
低RDS （ON ）
低VDS （上）
低阈值电压
快速开关
兼容逻辑电平
小型SOT- 563封装
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器
电路
最大额定值
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功耗
功耗
功耗
工作和存储
结温
热阻
电池供电便携式
设备
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
50
50
20
280
280
1.5
1.5
350
300
150
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
毫瓦（注1 ）
毫瓦（注2 ）
毫瓦（注3）
°C
° C / W
PER晶体管电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
IGSSF
VGS = 20V ， VDS = 0V
100
IGSSR
VGS = 20V ， VDS = 0V
100
IDSS
VDS = 50V ， VGS = 0V
1.0
IDSS
VDS = 50V ， VGS = 0V ， TJ = 125°C
500
ID （上）
VGS = 10V ， VDS = 10V
500
BVDSS
VGS = 0V ，ID = 10μA
50
注：（ 1）陶瓷或铝芯PCB板与4.0mm的铜安装焊盘面积
2
4.0毫米（ 2 ） FR- 4环氧树脂PCB铜安装焊盘面积
2
1.4毫米（3英寸）的FR-4环氧树脂PCB铜安装焊盘面积
2
单位
nA
nA
A
A
mA
V
R0 （ 2006年24月）
中央
TM
CMLDM8002A
CMLDM8002AJ
表面安装PICOmini
TM
双P沟道
增强型
硅MOSFET
半导体公司
PER晶体管电气特性
-
持续
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
单位
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
1.0
2.5
V
VDS （上）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
1.5
V
VDS （上）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
0.15
V
RDS （ ON）
VGS = 10V ，ID = 500毫安
2.5
Ω
RDS （ ON）
VGS = 10V ， ID = 500毫安， TJ = 125°C
4.0
Ω
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
3.0
Ω
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50mA时TJ = 125°C
5.0
Ω
YFS
VDS = 10V ，ID = 200毫安
200
毫秒
CRSS
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
7.0
pF
西塞
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
70
pF
科斯
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
15
pF
吨
VDD = 30V ， VGS = 10V ， ID =的200mA，
20
ns
花花公子
RG = 25Ω ， RL = 150Ω
20
ns
VSD
VGS = 0V， IS = 115毫安
1.3
V
SOT- 563案例 - 机械外形
CMLDM8002A
（ USA引脚）
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）排水Q2
4 ）门Q2
5 ） Q2源
6 ）排水Q1
标识代码： C08
CMLDM8002AJ
（日本引脚）
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： CJ8
R0 （ 2006年24月）
CMLDM8002A
CMLDM8002AG*
CMLDM8002AJ
表面贴装
双P沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
这些中央半导体器件
双芯片的增强型P沟道场效应
晶体管，以P沟道DMOS制
工艺，专为高速脉冲放大器和
驱动器应用。该CMLDM8002A利用美国
引出线配置，而CMLDM8002AJ ，利用
日本的引脚配置，可作为
特殊订货。这些特殊的双晶体管器件
提供低RDS（ON ）和低VDS （ ON） 。
标记代码： CMLDM8002A ：
C08
CMLDM8002AG * ： CG8
CMLDM8002AJ ： CJ8
产品特点：
SOT- 563案例
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻
双芯片器件
低RDS （ON ）
低VDS （上）
低阈值电压
快速开关
兼容逻辑电平
小型SOT- 563封装
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
50
50
20
280
280
1.5
1.5
350
300
150
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
mW
mW
°C
° C / W
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
IGSSF ， IGSSR
IDSS
IDSS
ID （上）
BVDSS
VGS （ TH）
VGS = 20V ， VDS = 0
VDS = 50V ， VGS = 0
VDS = 50V ， VGS = 0 ， TJ = 125°C
VGS = 10V ， VDS = 10V
VGS = 0时， n = 10μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
100
1.0
500
500
50
1.0
单位
nA
μA
μA
mA
V
V
2.5
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R3 （ 2010年18月）
CMLDM8002A
CMLDM8002AG*
CMLDM8002AJ
表面贴装
双P沟道
增强型
硅MOSFET
电动
符号
VDS （上）
VDS （上）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
吨/ Toff的
特性PER晶体管 - 续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
测试条件
民
最大
单位
VGS = 10V ，ID = 500毫安
1.5
V
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
0.15
V
VGS = 0时， IS = 115毫安
1.3
V
VGS = 10V ，ID = 500毫安
2.5
Ω
VGS = 10V ， ID = 500毫安， TJ = 125°C
4.0
Ω
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
3.0
Ω
VGS = 5.0V ， ID = 50mA时TJ = 125°C
5.0
Ω
VDS = 10V ，ID = 200毫安
200
mS
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
7.0
pF
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
70
pF
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
15
pF
VDD = 30V ， VGS = 10V ， ID = 200毫安
RG = 25Ω ， RL = 150Ω
20
ns
SOT- 563案例 - 机械外形
CMLDM8002A
（ USA引脚）
CMLDM8002AG*
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）排水Q2
4 ）门Q2
5 ） Q2源
6 ）排水Q1
标记代码：
CMLDM8002A ： C08
CMLDM8002AG * ： CG8
CMLDM8002AJ
（日本引脚）
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）排水Q2
4 ）门Q2
5 ） Q2源
6 ）排水Q1
标识代码： CJ8
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
R3 （ 2010年18月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2881677436 复制
