CMLDM7585
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM7585
由互补的N沟道和P沟道
增强型硅MOSFET设计用于
高速脉冲放大器和驱动器应用。
这些MOSFET提供非常低的RDS（ON）和低
阈值电压。
标识代码： 87℃
SOT- 563案例
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
VDS = 16V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 200毫安
VGS = 0时， IS = 250毫安
VGS = 4.5V ，ID = 600毫安
VGS = 4.5V ，ID = 350毫安
VGS = 2.5V ，ID = 500毫安
VGS = 2.5V ，ID = 300毫安
VGS = 1.8V ， ID = 350毫安
VGS = 1.8V ， ID = 150毫安
产品特点：
ESD保护高达2kV的
350mW的功耗
极低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 563表面贴装封装
符号N - CH （ Q1 ）
VDS
20
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
N-CH （ Q1 ）
最小典型最大
-
-
1.0
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
1.1
1.1
-
-
-
0.7
-
1.3
350
300
150
-65到+150
357
P- CH （ Q2 ）
最小典型最大
-
-
10
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.37
-
-
100
-
1.0
-
1.1
-
-
0.5
-
0.8
8.0
650
1.0
P- CH （ Q2 ）
单位
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
μA
nA
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
0.14 0.23
0.2 0.275
0.25 0.36
注：（ 1）陶瓷或铝芯PCB板与4.0平方毫米铜安装焊盘面积
（ 2 ） FR- 4环氧树脂PCB与4.0平方毫米铜安装焊盘面积
（ 3 ） FR- 4环氧树脂PCB与1.4平方毫米铜安装焊盘面积
R3 （ 2011年27月）
CMLDM7585
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
QGS
QGD
QGD
政府飞行服务队
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDS = 10V ，ID = 400毫安
VDS = 10V ，ID = 200毫安
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
N沟道
民
-
-
-
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
(Q1)
典型值
1.58
-
0.17
-
0.24
-
-
-
18
100
16
10
25
P- CH （ Q2 ）
民
典型值
-
-
-
1.2
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
0.24
-
0.36
-
-
25
100
21
38
48
单位
nC
nC
nC
nC
nC
nC
S
S
pF
pF
pF
ns
ns
SOT- 563案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： 87℃
R3 （ 2011年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMLDM7585
表面贴装硅
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM7585
由互补的N沟道和P沟道
增强型硅MOSFET设计用于
高速脉冲放大器和驱动器应用。
这些MOSFET提供非常低的RDS（ON）和低
阈值电压。
标识代码： 87℃
产品特点：
ESD保护达1800V （人体模型）
350mW的功率pissipation
极低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 563表面贴装封装
符号N - CH （ Q1 ）
VDS
20
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
N-CH （ Q1 ）
最小典型最大
-
-
1.0
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
1.1
1.1
-
-
-
0.7
-
1.3
350
300
150
-65到+150
357
P- CH （ Q2 ）
最小典型最大
-
-
10
-
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.37
-
-
100
-
1.0
-
1.1
-
-
0.5
-
0.8
8.0
650
1.0
P- CH （ Q2 ）
单位
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
μA
nA
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
SOT- 563案例
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
VDS = 16V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 200毫安
VGS = 0时， IS = 250毫安
VGS = 4.5V ，ID = 600毫安
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
ID=350mA
ID=500mA
0.14 0.23
0.2 0.275
0.25 0.36
VGS = 2.5V ，ID = 300毫安
VGS = 1.8V ， ID = 350毫安
VGS = 1.8V ， ID = 150毫安
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R4 （ 5 - 2013年6月）
CMLDM7585
表面贴装硅
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 400毫安
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
QG （ TOT ）
QG （ TOT ）
QGS
QGS
QGD
QGD
吨
花花公子
VDS = 10V ，ID = 200毫安
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ，
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ，
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ，
ID=200mA
ID=500mA
ID=200mA
N-CH （ Q1 ）
民
典型值
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
100
16
1.58
-
0.17
-
0.24
-
10
25
P- CH （ Q2 ）
民
典型值
-
-
0.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
100
21
-
1.2
-
0.24
-
0.36
38
48
单位
S
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
SOT- 563案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： 87℃
R4 （ 5 - 2013年6月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMLDM7585
表面贴装硅
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
N沟道电气特性
R4 （ 5 - 2013年6月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMLDM7585
表面贴装硅
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
P- CHANNEL电气特性
R4 （ 5 - 2013年6月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2881677436 复制
