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CMLDM7003TG
表面贴装
双N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM7003TG
是双增强模式N沟道MOSFET ，
由N沟道DMOS工艺制造的
设计用于高速脉冲放大器和驱动器
应用程序。该器件具有低RDS（ON） ，低
VGS （ th）时，以及ESD保护高达2kV的。
标识代码： CTG
SOT- 563案例
设备是
无卤
通过设计
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
最大漏电流脉冲
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
50
50
12
280
1.5
350
300
150
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
° C / W
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
IGSSF ， IGSSR
VGS=5.0V
50
IGSSF ， IGSSR
VGS=10V
0.5
IGSSF ， IGSSR
VGS=12V
1.0
IDSS
VDS = 50V ， VGS = 0
50
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
VGS = 0时， n = 10μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 115毫安
VGS=1.8V,
VGS=2.5V,
VGS=5.0V,
VDS=10V,
VDS=25V,
VDS=25V,
ID=50mA
ID=50mA
ID=50mA
200
5.0
50
25
50
0.7
1.6
1.3
1.1
1.2
1.4
2.3
1.9
1.5
单位
nA
μA
μA
nA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ID=200mA
VGS = 0时， F = 1.0MHz的
VGS = 0时， F = 1.0MHz的
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R2 （2010年15月）
CMLDM7003TG
表面贴装
双N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 563案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）排水Q2
4 ）门Q2
5 ） Q2源
6 ）排水Q1
标识代码： CTG
R2 （2010年15月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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CY7C429-15DMB
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CY7C1548V18
CY7C408A-409A
C8051F060-GQR
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    CMLDM7003TG
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CMLDM7003TG
CENTRAL
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16800
SOT-563
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CMLDM7003TG
CENTRAL
2443+
23000
SOT-563
一级代理专营，原装现货，价格优势
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CMLDM7003TG
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CMLDM7003TG
CENTRAL主营品牌
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