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CMLDM7003E
CMLDM7003JE
增强规范
表面贴装
双N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
SOT- 563案例
特点
ESD保护高达2kV的
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
最大漏电流脉冲
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻
描述：
中央半导体CMLDM7003E
和CMLDM7003JE是增强模式
N沟道场效应晶体管，制造
由N沟道DMOS的方法，其设计用于高
高速脉冲放大器和驱动器应用。该
CMLDM7003E利用美国的引脚配置，
而CMLDM7003JE利用日本的引脚
配置。这些特殊的双晶体管器件
提供对态电阻低漏源（ RDS（ON） ）
和ESD保护高达2kV的。
标记代码： CMLDM7003E ： C73
CMLDM7003JE ： C7J
符号
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
° C / W
50
50
12
280
1.5
350
300
150
-65到+150
357
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
VGS=5.0V
50
IGSSF ， IGSSR
VGS=10V
0.5
IGSSF ， IGSSR
IGSSF ， IGSSR
VGS=12V
1.0
IDSS
VDS = 50V ， VGS = 0
50
BVDSS
VGS = 0时， n = 10μA
50
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
0.49
1.2
VSD
VGS = 0时， IS = 115毫安
1.4
VGS = 1.8V ， ID = 50毫安
1.6
2.3
RDS （ ON）
RDS （ ON）
VGS = 2.5V ，ID = 50毫安
1.3
1.9
RDS （ ON）
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
1.1
1.5
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 200毫安
200
CRSS
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
5.0
西塞
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
50
科斯
VDS = 25V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
25
单位
nA
μA
μA
nA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
增强规范
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R2 （ 2010年18月）
CMLDM7003E
CMLDM7003JE
增强规范
表面贴装
双N沟道
增强型
硅MOSFET
SOT- 563案例 - 机械外形
销刀豆网络gurations
CMLDM7003E
（ USA引脚）
CMLDM7003JE
（日本引脚）
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ）排水Q2
4 ）门Q2
5 ） Q2源
6 ）排水Q1
标识代码： C73
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： C7J
R2 （ 2010年18月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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CY7C1372B-167AC
CAT24C023J-30TE13
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