CMLDM5757
表面贴装
双P沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM5757
由双P通道增强型硅
专为高速脉冲放大器的MOSFET
和驱动器应用。这些MOSFET提供非常
低RDS （ ON）和低阈值电压。
标识代码： 77℃
产品特点：
ESD保护高达2kV的
350mW的功耗
极低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 563表面贴装封装
互补双N沟道器件： CMLDM3737
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
μA
μA
V
1.0
1.2
0.9
1.2
2.0
20
175
30
V
V
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
SOT- 563案例
应用范围：
负荷开关/电平转换
电池充电
升压开关
电致发光背光
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
20
8.0
430
750
350
300
150
-65到+150
357
最大
2.0
1.0
PER晶体管电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
民
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 16V ， VGS = 0
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
CRSS
西塞
科斯
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 350毫安
VGS = 4.5V ，ID = 430毫安
VGS = 2.5V ，ID = 300毫安
VGS = 1.8V ， ID = 150毫安
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
20
0.45
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R1 （ 2011年7月30日）
CMLDM5757
表面贴装
双P沟道
增强型
硅MOSFET
PER晶体管电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
典型值
最大
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
1.2
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
0.24
QGD
吨
花花公子
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安， RG = 10Ω
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安， RG = 10Ω
0.36
38
48
单位
nC
nC
nC
ns
ns
SOT- 563案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： 77℃
R1 （ 2011年7月30日）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMLDM5757
表面贴装硅
双P沟道
增强型
MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM5757
由双P通道增强型硅
专为高速脉冲放大器的MOSFET
和驱动器应用。这些MOSFET提供非常低
RDS（ON）和低阈值电压。
标识代码： 77℃
产品特点：
ESD保护达1800V （人体模型）
350mW的功耗
极低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 563表面贴装封装
互补双N沟道器件： CMLDM3737
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
μA
μA
V
1.0
1.2
0.9
1.2
2.0
20
175
30
V
V
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
SOT- 563案例
应用范围：
负荷开关/电平转换
电池充电
升压开关
电致发光背光
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
20
8.0
430
750
350
300
150
-65到+150
357
最大
2.0
1.0
PER晶体管电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
民
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 16V ， VGS = 0
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
CRSS
西塞
科斯
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 350毫安
VGS = 4.5V ，ID = 430毫安
VGS = 2.5V ，ID = 300毫安
VGS = 1.8V ， ID = 150毫安
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
20
0.45
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R2 （ 5 - 2013年6月）
CMLDM5757
表面贴装硅
双P沟道
增强型
MOSFET
PER晶体管电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
典型值
最大
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
1.2
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
0.24
QGD
吨
花花公子
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安， RG = 10Ω
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安， RG = 10Ω
0.36
38
48
单位
nC
nC
nC
ns
ns
SOT- 563案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： 77℃
R2 （ 5 - 2013年6月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMLDM5757
表面贴装硅
双P沟道
增强型
MOSFET
典型电气特性
R2 （ 5 - 2013年6月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
