CMLDM3757
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMLDM3757
由互补的N沟道和P沟道
增强型硅MOSFET设计用于
高速脉冲放大器和驱动器应用。
这些MOSFET提供非常低的RDS（ON）和低
阈值电压。
标识代码： 3C7
SOT- 563案例
设备是
无卤
通过设计
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲（ TP = 10微秒）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
VDS = 16V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 350毫安
VGS = 4.5V ，ID = 540毫安
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
VGS=2.5V,
VGS=1.8V,
ID=430mA
ID=500mA
ID=300mA
产品特点：
ESD保护高达2kV的
350mW的功耗
极低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 563表面贴装封装
符号N - CH （ Q1 ）
VDS
20
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
N-CH （ Q1 ）
民
最大
-
5.0
-
20
0.45
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
1.0
1.2
0.55
-
0.7
-
0.9
-
8.0
540
1500
350
300
150
-65到+150
357
P- CH （ Q2 ）
民
最大
-
2.0
-
20
0.45
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
1.0
1.2
-
0.9
-
1.2
-
2.0
430
750
P- CH （ Q2 ）
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
°C
° C / W
单位
μA
μA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
ID=350mA
VGS = 1.8V ， ID = 150毫安
注：（ 1）陶瓷或铝芯PC板为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 2 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为4.0mm的铜安装焊盘面积
2
（ 3 ） FR- 4环氧树脂印制电路板，为1.4mm的铜安装焊盘面积
2
R1 （ 2010年22月）
CMLDM3757
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补MOSFET
电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
测试条件
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
QGS
QGS
QGD
QGD
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
吨
花花公子
VDS=10V,
VDS=10V,
VDS=10V,
VGS=4.5V,
VGS=4.5V,
VGS=4.5V,
ID=500mA
ID=200mA
ID=500mA
N-CH （ Q1 ）
TYP MAX
1.58
-
-
-
0.17
-
0.24
-
-
-
-
10
25
-
-
-
-
-
-
20
150
25
-
-
-
-
P- CH （ Q2 ）
TYP MAX
-
-
1.2
-
-
0.24
-
0.36
-
-
-
-
-
22
55
-
-
-
-
20
175
30
-
-
-
-
单位
nC
nC
nC
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 200毫安
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 540毫安，
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 540毫安，
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安，
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 215毫安，
RG=10Ω
RG=10Ω
RG=10Ω
RG=10Ω
SOT- 563 - 机械概要
引脚配置
前导码：
1 ）资料来源Q1
2 ）门Q1
3 ）排水Q2
4）源Q2
5 ） Q2门
6 ）排水Q1
标识代码： 3C7
R1 （ 2010年22月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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