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CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C
CMLD2004S
CMLD2004DO
表面贴装
双通道,高电压
硅开关二极管
中央
描述:
TM
半导体公司
中央半导体CMLD2004
系列包含两个( 2 )高压硅
开关二极管,通过外延制
平面工艺,环氧树脂模制在一个PICOmini
表面贴装封装,专为
应用程序需要高电压能力。
SOT- 563案例
下面的配置:
CMLD2004
双路,隔离
CMLD2004A
双通道,共阳极
CMLD2004C
双通道,共阴极
CMLD2004S
双串联
CMLD2004DO双路,隔离反对
最大额定值:
(TA=25°C)
连续反向电压
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流, TP = 1微秒
正向浪涌电流, TP = 1秒
功耗
工作和存储
结温
热阻
记号
记号
记号
记号
记号
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
代码:
代码:
代码:
代码:
代码:
04D
04A
04C
04S
04O
单位
240
300
200
225
625
4.0
1.0
250
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
-65到+150
500
每二极管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
最大
IR
VR=240V
100
IR
BVR
VF
CT
TRR
VR = 240V , TA = 150℃
IR=100A
IF=100mA
VR = 0中,f = 1.0兆赫
IF = IR = 30mA时拍摄。为了3.0毫安, RL = 100Ω
300
1.0
5.0
50
100
单位
nA
A
V
V
pF
ns
R3 ( 2003年04月)
中央
TM
半导体公司
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C
CMLD2004S
CMLD2004DO
表面贴装
双通道,高电压
硅开关二极管
SOT- 563案例 -
机械概要
D
E
A
6
5
4
E
B
G
F
标识代码:
CMLD2004 :
04D
CMLD2004A : 04A
CMLD2004C : 04C
CMLD2004S : 04S
CMLD2004DO : 04O
1
2
3
C
H
R0
引脚配置
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C
CMLD2004S
CMLD2004DO
前导码:
1 )阳极D1
2 ) NC
3 )阳极D2
4 )阴极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 ) NC
2 )阳极D1,D2
3 ) NC
4 )阴极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 )阴极D1 ,
2 )阴极D1 ,
3 )阳极D2
4 )阳极D1
5 )阴极D1 ,
6 )阴极D1 ,
D2
D2
前导码:
1 ) NC
2 ) NC
3 )阳极D1 ,
阴极D2
4 )阳极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 )阳极D1
2 ) NC
3 )阴极D2
4 )阳极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
D2
D2
R3 ( 2003年04月)
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C CMLD2004S
CMLD2004DO
表面贴装
双通道,高电压
硅开关二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMLD2004
系列包含两个( 2 )高压硅
开关二极管,通过外延平面制
过程中,环氧树脂模制在一个PICOmini 表面贴装
包,专为要求高的应用
电压能力。
SOT- 563案例
下面的配置:
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C
CMLD2004S
CMLD2004DO
双通道,
双通道,
双通道,
双通道,
双通道,
隔离
共阳极
共阴极
串联
隔离反对
记号
记号
记号
记号
记号
代码:
代码:
代码:
代码:
代码:
04D
04A
04C
04S
04O
单位
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
最大额定值:
(TA=25°C)
连续反向电压
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流, TP =是1.0μs
峰值正向浪涌电流, TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
240
300
200
225
625
4.0
1.0
250
-65到+150
500
每二极管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号测试条件
最大
IR
IR
BVR
VF
CT
TRR
VR=240V
VR = 240V , TA = 150℃
IR=100μA
IF=100mA
VR = 0 , F = 1.0MHz的
IF = IR = 30mA时拍摄。为了3.0毫安, RL = 100Ω
100
100
300
1.0
5.0
50
单位
nA
μA
V
V
pF
ns
R4 ( 2010年18月)
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C CMLD2004S
CMLD2004DO
表面贴装
双通道,高电压
硅开关二极管
SOT- 563案例 - 机械外形
标记代码:
CMLD2004 :
CMLD2004A :
CMLD2004C :
CMLD2004S :
CMLD2004DO :
销刀豆网络gurations
CMLD2004
CMLD2004A
CMLD2004C
CMLD2004S
CMLD2004DO
04D
04A
04C
04S
04O
前导码:
1 )阳极D1
2 ) NC
3 )阳极D2
4 )阴极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 ) NC
2 )阳极D1,D2
3 ) NC
4 )阴极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 )阴极D1 ,
2 )阴极D1 ,
3 )阳极D2
4 )阳极D1
5 )阴极D1 ,
6 )阴极D1 ,
D2
D2
D2
D2
前导码:
1 ) NC
2 ) NC
3 )阳极D1 ,
阴极D2
4 )阳极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
前导码:
1 )阳极D1
2 ) NC
3 )阴极D2
4 )阳极D2
5 ) NC
6 )阴极D1
R4 ( 2010年18月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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CMLD2004C
CENTRAL
2443+
23000
SOT-563
一级代理专营,原装现货,价格优势
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