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CMKT2207
超小型
表面贴装
互补晶体管
中央
描述:
TM
半导体公司
中央半导体CMKT2207
型是一款双互补硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在一个超小型表面贴装
包,专为小信号一般
目的和开关应用。
标记代号为K70 。
SOT- 363案例
最大额定值:
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
集电极电流
IC
功耗
PD
工作和存储
结温
TJ , TSTG
热阻
Θ
JA
NPN ( Q1 )
75
40
6.0
600
350
-65到+150
357
PNP ( Q2)
60
60
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
PER晶体管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
ICBO
ICBO
ICBO
IEBO
ICEV
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
测试条件
VCB=60V
VCB=50V
VCB = 60V , TA = 125°C
VCB = 50V , TA = 125°C
VEB=3.0V
VCE = 60V , VEB ( OFF) = 3.0V
VCE = 30V , VEB ( OFF) = 500mV的
IC=10A
IC=10mA
IE=10A
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 10V , IC = 0.1毫安
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 150毫安
VCE = 1.0V , IC = 150毫安
VCE = 10V , IC = 500毫安
NPN ( Q1 )
最小最大
-
10
-
-
-
10
-
-
-
10
-
10
-
-
75
-
40
-
6.0
-
-
0.3
-
1.0
0.6
1.2
-
2.0
35
-
50
-
75
-
100 300
50
-
40
-
PNP ( Q2)
最小最大
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
50
60
-
60
-
5.0
-
-
0.4
-
1.6
-
1.3
-
2.6
75
-
100
-
100
-
100 300
-
-
50
-
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
R0 ( 2001年9月)
中央
符号
fT
fT
COB
兴业银行
兴业银行
缺氧缺血性脑病
缺氧缺血性脑病
HRE
HRE
的hFE
的hFE
HOE
HOE
rb'Cc
NF
td
tr
花花公子
ts
ts
tf
tf
TM
半导体公司
CMKT2207
超小型
表面贴装
互补晶体管
NPN ( Q1 )
最小最大
300
-
-
-
-
8.0
-
25
-
-
2.0
8.0
0.25
1.25
-
8.0
-
4.0
50
300
75
375
5.0
35
25
200
150
-
4.0
-
-
-
10
-
25
-
-
-
225
-
-
-
60
-
-
PNP ( Q2)
最小最大
-
-
200
-
-
8.0
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
-
10
-
40
-
100
-
-
-
80
-
-
-
30
单位
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
k
k
x10-4
x10-4
测试条件
VCE = 20V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCE = 20V , IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 2.0V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCB = 10V , IE = 20mA时, F = 31.8MHz
VCE = 10V , IC = 100μA , RS = 1.0kΩ , F = 1.0kHz
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 30V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 30V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
μmhos
μmhos
ps
dB
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SOT- 363案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射Q1
2 )基Q1
3 ) Q2集电极
4 )发射Q2
5 ) Q2基
6 ) Q1集电极
Q1 = NPN
Q2 = PNP
R0 ( 2001年9月)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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23000
SOT-363
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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