中央
符号
fT
fT
COB
兴业银行
兴业银行
缺氧缺血性脑病
缺氧缺血性脑病
HRE
HRE
的hFE
的hFE
HOE
HOE
rb'Cc
NF
吨
td
tr
花花公子
ts
ts
tf
tf
TM
半导体公司
CMKT2207
超小型
表面贴装
互补晶体管
NPN ( Q1 )
最小最大
300
-
-
-
-
8.0
-
25
-
-
2.0
8.0
0.25
1.25
-
8.0
-
4.0
50
300
75
375
5.0
35
25
200
150
-
4.0
-
-
-
10
-
25
-
-
-
225
-
-
-
60
-
-
PNP ( Q2)
最小最大
-
-
200
-
-
8.0
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
-
10
-
40
-
100
-
-
-
80
-
-
-
30
单位
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
k
k
x10-4
x10-4
测试条件
VCE = 20V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCE = 20V , IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 2.0V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 1.0kHz
VCB = 10V , IE = 20mA时, F = 31.8MHz
VCE = 10V , IC = 100μA , RS = 1.0kΩ , F = 1.0kHz
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 30V , VBE = 0.5V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 30V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 30V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
μmhos
μmhos
ps
dB
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SOT- 363案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射Q1
2 )基Q1
3 ) Q2集电极
4 )发射Q2
5 ) Q2基
6 ) Q1集电极
Q1 = NPN
Q2 = PNP
R0 ( 2001年9月)