【大陆设备印度有限公司一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商SOT- 23形成SMD封装】,IC型号CMBT918,CMBT918 PDF资料,CMBT918经销商,ic,电子元器件-51电子网

大陆设备印度有限公司

一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商

SOT- 23形成SMD封装

CMBT918

IS / ISO 9002

里克＃ QSC / L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

甚高频/超高频晶体管

N-P -N晶体管

记号

CMBT918 = 3B

包装外形细节

在M中所有尺寸

m

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

3

1

2

绝对最大额定值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（直流）

在T总功率耗散

AMB

= 25°C

直流电流增益

–I

C

= 3毫安; -V

CE

= 1 V

–V

CBO

–V

首席执行官

–V

EBO

–I

C

P

合计

h

FE

马克斯。

最大

分钟。

30

15

3

350

225

20

V

mA

mW

评级

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

–V

CBO

集电极 - 发射极电压（开基）

–V

首席执行官

发射极 - 基极电压（集电极开路）

–V

EBO

集电极电流（直流）

–I

C

马克斯。

30

15

3

350

V

mA

大陆设备印度有限公司

数据表

第1页3

CMBT918

在T总功率耗散

AMB

= 25°C

储存温度

结温

热特性

T

j

= P（R＆

第j个-T

+ R

个S-A

) + T

AMB

热阻

从结点到环境

P

合计

T

英镑

Tj

最大

225

-55到+150

马克斯。

150

mW

°C

R

日J-一

556

° C /毫瓦

特征

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

集电极 - 发射极击穿电压

–V

（ BR ） CEO

分钟。

–I

C

= 3毫安; -I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

–V

（ BR ） CBO

分钟。

–I

C

= 1

毫安;

–I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

–V

（ BR ） EBO

分钟。

–I

E

= 10

毫安;

–I

C

= 0

集电极截止电流

–I

CBO

马克斯。

–V

CB

= 15 V ; -I

E

= 0

输出电容在f = 1 MHz的

C

c

马克斯。

–V

CB

= 10 V ;我

E

= 0

输入电容在f = 1 MHz的

C

e

马克斯。

–V

EB

= 0.5 V ;我

C

=0

饱和电压

–I

C

= 10毫安; -I

B

= 1毫安

直流电流增益

–I

C

= 3毫安; -V

CE

= 1 V

噪声系数为R

S

= 50

W

–I

C

= 1毫安; -V

CE

= 6 V

F = 60MHz的

跃迁频率

V

CE

= 10 V ;我

C

= 4毫安; F = 100 MHz的

–V

CESAT

–V

BESAT

h

FE

马克斯。

分钟。

15

30

3

50

1.7

2

0.4

1

20

V

nA

pF

V

NF

马克斯。

6

dB

f

T

分钟。

600

兆赫

大陆设备印度有限公司

数据表

分页： 1 2 3

笔记

放弃

该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的

在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S），从而

要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/

CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任

信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;

它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用

储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体

设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己

风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。

CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。

CDIL是公司的注册商标

大陆设备印度有限公司

C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。

电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290

电子邮件sales@cdil.com

www.cdil.com

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数据表

第3页3

RECTRON

半导体

技术规格

见下文

为

产品编号

SOT -23 - 功率晶体管和达林顿

最大额定值

产品编号

电气特性

（大=

25 ° C除非另有说明）

极性V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

P

D

I

C

(V) (V) (V)

( W)

(A)

O

闵縻嗯分钟@ 25℃

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

1

I

CBO

V

h

FE

I

@

CB FE

@

C

（ UA）

(A)

最小最大

最大

100

15

20

30

200

20

100

110

200

125

50

67

36

600

450

800

475

800

100

2

25

1

*BC807

*BC808

*BC817

*BC818

*BC846

*BC847

*BC848

*BC849

*BC850

*BC856

*BC857

*BC858

*BC859

*BC860

BF820

BF821

BF822

BF823

BF840

BF841

*

50

1

30

1

50

1

30

1

80

50

30

50

80

50

30

50

300

250

40

2

45

25

45

25

65

45

30

45

65

45

30

45

300

2

300

2

250

40

3

5

6

5

4

0.25

0.5

0.1

V

CE

V

I

f

T

V

CE （ SAT ）， BE （ SAT ）

@

C

@

(V)

（ A）（兆赫）

(V)

MIN -

民

最大

1

0.70

500

1

0.70

500

1

0.70

500

1

0.70

500

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

20

10

0.65

0.60

0.80

0.60

0.80

100

30

380

I

C

（MA ）

10

1

30 125

0.05 10

0.025 100

5

222

125

h

FE

V

CES

V

CER

I

CEX

民

最大

产品编号

CMBT918

CMBT2222A

CMBT2907A

CMBT3904

CMBT3906

CMBT4401

CMBT4403

CMBT5401

CMBT5551

CMBTA05

CMBTA06

CMBTA13

CMBTA14

CMBTA42

CMBTA55

CMBTA56

CMBTA92

CMMT451

CMMT491

CMMT551

CMMT591

CSA1162GR

CSA1362GR

CSC2712GR

CSD1306E

1

极性V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

P

D

I

C

（ V）（ V）（ V）（ W）（A ）

分分分

NPN

30 15

3 0.225 0.35

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

3

I

CBO

@ V

CB

h

FE

h

FE

@ I

C

（ UA）

(V)

(A)

最大

最小最大

50

15 20

3

10

50

3

50

3

60

50

30

35

100

300

240

250

-

150

300

150

10

150

10

100

10

100

10

150

500

150

500

2

100

2

150

75

60

40

60

40

160

40

60

40

150

6

5

6

5

6

5

6

4

10

6

4

5

0.25

0.5

0.6

0.2

0.6 100

3

0.6 100

3

0.5

0.6

0.5

0.3

0.5

50

100

120 60

120 80

60

80

30

100

10k

20k

180 160

60

80

30

60

80

30

1

30

1

300 300

60 60

80 80

300 300

80

50

15

60

30

4

200 40

60 100

80 100

200 40

60

50

100

50

0.5 100

0.5 250

1.0 100

100

100-

0.70

0

60

50

15

50

15

0.5 1.0

0.15 0.15

0.2 0.80

0.15 0.15

0.2

60 100 300

50 200 400

15 200 400

60 200 400

20 400

800

V

CE

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

@

(V)

最大的Mn -MX

1

0.40

-

1.00

4

10

0.30 0.60

4

1.20

5

10

0.40

-

1.30

5

1

0.20 0.65

4

0.85

5

1

0.25 0.65

4

0.85

5

1

0.40 0.75

4

0.95

5

2

0.40 0.75

4

0.95

5

-

5

0.20

1.00

5

0.15

-

1.00

5

1

0.25

-

1

0.25

-

5

1.50

-

5

1.50

-

10

0.50

-

0.90

5

1

0.25

-

1

0.25

-

10

0.50

-

0.90

5

10

0.35

-

1.10

5

0.25

-

10

0.35

-

1.10

5

0.30

-

6

0.30

-

1

0.25

-

6

0.25

-

1

0.50

-

I

C

f

T

@ I

C

（毫安）（兆赫）（MA ）

10

150

10

150

10

100

20

100

20

150

500

150

500

100

400

100

500

-

300

5

300

5

-

120

4

-

250

4

20

50

10

20

10

100

10

50

1

10

1

150

I

CE0

2

I

CBO

V

CES

I

CER

f

T

典型值

大陆设备印度有限公司

通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司

SOT- 23形成SMD封装

CMBT918

甚高频/超高频晶体管

N-P -N晶体管

记号

CMBT918 = 3B

包装外形细节

在M中所有尺寸

m

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

3

1

2

绝对最大额定值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（直流）

在T总功率耗散

AMB

= 25°C

直流电流增益

–I

C

= 3毫安; -V

CE

= 1 V

–V

CBO

–V

首席执行官

–V

EBO

–I

C

P

合计

h

FE

马克斯。

最大

分钟。

30

15

3

350

225

20

V

mA

mW

评级

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

–V

CBO

集电极 - 发射极电压（开基）

–V

首席执行官

发射极 - 基极电压（集电极开路）

–V

EBO

集电极电流（直流）

–I

C

马克斯。

30

15

3

350

V

mA

大陆设备印度有限公司

数据表

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CMBT918

在T总功率耗散

AMB

= 25°C

储存温度

结温

热特性

T

j

= P（R＆

第j个-T

+ R

个S-A

) + T

AMB

热阻

从结点到环境

P

合计

T

英镑

Tj

最大

225

-55到+150

马克斯。

150

mW

°C

R

日J-一

556

° C /毫瓦

特征

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

集电极 - 发射极击穿电压

–V

（ BR ） CEO

分钟。

–I

C

= 3毫安; -I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

–V

（ BR ） CBO

分钟。

–I

C

= 1

A;

–I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

–V

（ BR ） EBO

分钟。

–I

E

= 10

A;

–I

C

= 0

集电极截止电流

–I

CBO

马克斯。

–V

CB

= 15 V ; -I

E

= 0

输出电容在f = 1 MHz的

C

c

马克斯。

–V

CB

= 10 V ;我

E

= 0

输入电容在f = 1 MHz的

C

e

马克斯。

–V

EB

= 0.5 V ;我

C

=0

饱和电压

–I

C

= 10毫安; -I

B

= 1毫安

直流电流增益

–I

C

= 3毫安; -V

CE

= 1 V

噪声系数为R

S

= 50

–I

C

= 1毫安; -V

CE

= 6 V

F = 60MHz的

跃迁频率

V

CE

= 10 V ;我

C

= 4毫安; F = 100 MHz的

–V

CESAT

–V

BESAT

h

FE

马克斯。

分钟。

15

30

3

50

1.7

2

0.4

1

20

V

nA

pF

V

NF

马克斯。

6

dB

f

T

分钟。

600

兆赫

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分页： 1 2 3

客户注意事项

放弃

该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的

在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S），从而

要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/

CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任

信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;

它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用

储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体

设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己

风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。

CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。

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C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。

电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119

email@cdil.com

www.cdilsemi.com

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CDIL是公司的注册商标