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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
SOT- 23形成SMD封装
CMBT 6520
高压晶体管
P- N-P晶体管
记号
CMBT6520 = 2Z
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流(直流)
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
直流电流增益
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 10 V
–V
CBO
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
P
合计
h
FE
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
分钟。
350
350
5
500
225
30
V
V
V
mA
mW
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
–V
CBO
集电极 - 发射极电压(开基)
–V
首席执行官
发射极 - 基极电压(集电极开路)
–V
EBO
集电极电流(直流)
–I
C
P
合计
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
储存温度
T
英镑
结温
Tj
马克斯。
350
马克斯。
350
马克斯。
5
马克斯。
500
最大
225
-55到+150
马克斯。
150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
CMBT 6520
热特性
T
j
= P(R&
第j个-T
+ R
个S-A
) + T
AMB
热阻
从结点到环境
R
日J-一
556
° C /毫瓦
特征
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 发射极击穿电压
–V
( BR ) CEO
–I
C
= 1毫安
集电极 - 基极击穿电压
–I
C
= 100
A
–V
( BR ) CBO
发射极 - 基极击穿电压
–I
E
= 10
A
–V
( BR ) EBO
集电极截止电流
–V
CB
= 250 V
–I
CBO
发射极截止电流
–V
EB
= 4 V
–I
EBO
输出电容在f = 1 MHz的
–V
CB
= 20 V
C
c
输入电容在f = 1 MHz的
–V
EB
= 0.5 V
C
e
饱和电压
–I
C
= 10毫安; -I
B
= 1毫安
–I
C
能力= 20 mA ; -I
B
= 2毫安
–I
C
= 30毫安; -I
B
= 3毫安
–I
C
= 50毫安; -I
B
= 5毫安
直流电流增益
–I
C
= 1毫安; -V
CE
= 10 V
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 10 V
–I
C
= 30毫安; -V
CE
= 10 V
–I
C
= 50毫安; -V
CE
= 10 V
–I
C
= 100毫安; -V
CE
= 10 V
基极发射极电压
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V
跃迁频率
–V
CE
= 20V; -I
C
= 10毫安; F = 20MHz的
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
350
350
5
50
50
6
100
V
V
V
nA
nA
pF
pF
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
CESAT
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
0.3
0.75
0.35
0.85
0.5
0.9
1.0
V
V
V
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
BE(上)
f
T
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
20
30
30
200
20
200
15
2
20
200
V
兆赫
兆赫
大陆设备印度有限公司
数据表
分页: 1 2 3
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电话:+ 91-11-2579 6150 , 5141 1112传真+ 91-11-579 5290 , 5141 1119
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数据表
第3页3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CMBT6520
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