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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
SOT- 23形成SMD封装
CMBT5400
高压晶体管
P- N-P晶体管
记号
CMBT5400 = K2
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流(直流)
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
直流电流增益
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 5 V
–V
CBO
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
P
合计
h
FE
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
分钟。
马克斯。
130
120
5
500
250
40
180
V
V
V
mA
mW
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
–V
CBO
集电极 - 发射极电压(开基)
–V
首席执行官
发射极 - 基极电压(集电极开路)
–V
EBO
集电极电流(直流)
–I
C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
130
120
5
500
V
V
V
mA
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
CMBT5400
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
储存温度
结温
热特性
T
j
= P(R&
第j个-T
+ R
个S-A
) + T
AMB
热阻
从结点到环境
P
合计
T
英镑
Tj
最大
250
-55到+150
马克斯。
150
mW
°C
°C
R
日J-一
200
° C /毫瓦
特征
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 发射极击穿电压
–V
( BR ) CEO
分钟。
–I
C
= 1毫安;我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
–V
( BR ) CBO
分钟。
–I
C
= 100
A;我
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
–V
( BR ) EBO
分钟。
–I
E
= 10
A;
I
C
= 0
集电极截止电流
–I
CBO
马克斯。
–V
CB
= 100V ;我
E
= 0 V
发射极截止电流
–I
EBO
马克斯。
–V
EB
= 3V ;我
C
= 0
输出电容在f = 1 MHz的
C
c
马克斯。
I
E
= 0; –V
CB
= 10 V
饱和电压
–I
C
= 10毫安; -I
B
= 1毫安
–I
C
= 50毫安; -I
B
= 5毫安
–I
C
= 50毫安; -I
B
= 5毫安
直流电流增益
–I
C
= 1毫安; -V
CE
= 5 V
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 5 V
–I
C
= 50毫安; -V
CE
= 5 V
噪声系数为R
S
= 1 k
–I
C
= 200
A;
–V
CE
= 5 V
F = 10 Hz至15.7千赫
120
130
5
100
50
6
V
V
V
nA
nA
pF
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
CESAT
–V
BESAT
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
0.2
1
0.5
1
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
50
40
180
40
NF
马克斯。
8
dB
大陆设备印度有限公司
数据表
分页: 1 2 3
客户注意事项
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担不准确或不完整的责任
信息。此外, CDIL不承担任何责任,所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话:+ 91-11-2579 6150 , 5141 1112传真:+ 91-11-2579 5290 , 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
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数据表
第3页3
大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
SOT- 23形成SMD封装
CMBT5400
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
高压晶体管
P- N-P晶体管
记号
CMBT5400 = K2
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流(直流)
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
直流电流增益
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 5 V
–V
CBO
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
P
合计
h
FE
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
分钟。
马克斯。
130
120
5
500
250
40
180
V
V
V
mA
mW
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
–V
CBO
集电极 - 发射极电压(开基)
–V
首席执行官
发射极 - 基极电压(集电极开路)
–V
EBO
集电极电流(直流)
–I
C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
130
120
5
500
V
V
V
mA
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数据表
第1页3
CMBT5400
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
储存温度
结温
热特性
T
j
= P(R&
第j个-T
+ R
个S-A
) + T
AMB
热阻
从结点到环境
P
合计
T
英镑
Tj
最大
250
-55到+150
马克斯。
150
mW
°C
°C
R
日J-一
200
° C /毫瓦
特征
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 发射极击穿电压
–V
( BR ) CEO
分钟。
–I
C
= 1毫安;我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
–V
( BR ) CBO
分钟。
–I
C
= 100
毫安;
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
–V
( BR ) EBO
分钟。
–I
E
= 10
毫安;
I
C
= 0
集电极截止电流
–I
CBO
马克斯。
–V
CB
= 100V ;我
E
= 0 V
发射极截止电流
–I
EBO
马克斯。
–V
EB
= 3V ;我
C
= 0
输出电容在f = 1 MHz的
C
c
马克斯。
I
E
= 0; –V
CB
= 10 V
饱和电压
–I
C
= 10毫安; -I
B
= 1毫安
–I
C
= 50毫安; -I
B
= 5毫安
–I
C
= 50毫安; -I
B
= 5毫安
直流电流增益
–I
C
= 1毫安; -V
CE
= 5 V
–I
C
= 10毫安; -V
CE
= 5 V
–I
C
= 50毫安; -V
CE
= 5 V
噪声系数为R
S
= 1千瓦
–I
C
= 200
毫安;
–V
CE
= 5 V
F = 10 Hz至15.7千赫
120
130
5
100
50
6
V
V
V
nA
nA
pF
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
CESAT
–V
BESAT
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
0.2
1
0.5
1
V
V
V
V
h
FE
h
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分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
50
40
180
40
NF
马克斯。
8
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笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担不准确或不完整的责任
信息。此外, CDIL不承担任何责任,所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
www.cdil.com
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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