CMBT3904E NPN
CMBT3906E PNP
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMBT3904E
（NPN）和CMBT3906E （PNP）是通用的
晶体管具有增强的规范。这些
器件非常适合应用在超小型
尺寸和功耗是首要的要求。
包装在
FEMTOmini
SOT- 923封装，
这些晶体管提供的性能特点
适用于约束最苛刻的大小
应用程序。
标记代码： CMBT3904E ： B
CMBT3906E ：
应用
DC / DC转换器
电压钳位
保护电路
电池供电的应用，包括：
手机，数码相机，寻呼机，
掌上电脑，笔记本电脑等。
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
60
40
6.0
200
100
-65到+150
1250
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
SOT- 923案例
特点
非常小的封装尺寸
200毫安集电极电流
低VCE （ SAT ） （典型值0.1V @ 50毫安）
小型0.8× 0.6× 0.4毫米
超低的高度轮廓
FEMTOmini
表面贴装封装
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICEV
BVCEO
测试条件
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
IC=10A
IC=1.0mA
IE=10A
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
0.650
民
60
40
6.0
NPN
典型值
115
60
7.5
0.057
0.100
0.750
0.850
PNP
典型值
90
55
7.9
0.050
0.100
0.750
0.850
最大
50
单位
nA
V
V
V
BVCBO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
0.100
0.200
0.850
0.950
V
V
V
V
加强规范。
R1 （ 2010年8月）
CMBT3904E NPN
CMBT3906E PNP
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
电气特性 - 续：
符号测试条件
NPN
典型值
130
150
150
120
55
兆赫
4.0
8.0
1.0
0.1
100
1.0
12
10
400
60
4.0
IC=10mA,
IC=10mA,
IB1=1.0mA
IB1=1.0mA
35
35
200
50
μS
dB
ns
ns
ns
ns
pF
pF
kΩ
X10
-4
300
PNP
最大
民
90
100
100
70
30
300
典型值
240
235
215
110
50
单位
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
td
tr
ts
tf
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 1.0KΩ ，
F = 10Hz到15.7kHz
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ，
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ，
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安，
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安，
加强规范。
IB1=IB2=1.0mA
IB1=IB2=1.0mA
SOT - 923案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMBT3904E ： B
CMBT3906E ：
R1 （ 2010年8月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMBT3904E NPN
CMBT3906E PNP
增强规范
互补FEMTOmini
TM
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMBT3904E （ NPN ）
和CMBT3906E （ PNP ）是通用晶体管
具有增强的规范。这些器件非常适合
对于应用中的超小尺寸和功率
散热是首要的要求。包装在
FEMTOmini
SOT- 923封装，这些晶体管
提供适合的性能特征
最苛刻的尺寸受限的应用。
标记代码： CMBT3904E ： B
CMBT3906E ：
应用
DC / DC转换器
电压钳位
保护电路
电池供电的应用，包括：
手机，数码相机，寻呼机，
掌上电脑，笔记本电脑等。
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
60
40
6.0
200
100
-65到+150
1250
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
SOT- 923案例
特点
非常小的封装尺寸
200毫安集电极电流
低VCE （ SAT ） （典型值0.1V @ 50毫安）
小型0.8× 0.6× 0.4毫米
超低的高度轮廓
FEMTOmini
表面贴装封装
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极 - 发射极电压
功耗
工作和存储
结温
热阻
BVCBO
BVCEO
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
NPN
符号
测试条件
民
典型值
ICEV
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
IC=10A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
60
40
6.0
115
60
7.5
0.057
0.100
0.650
0.750
0.850
PNP
典型值
90
55
7.9
0.050
0.100
0.750
0.850
最大
50
单位
nA
V
V
V
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
0.100
0.200
0.850
0.950
V
V
V
V
加强规范。
R0 （ 2007年17月）
中央
符号
测试条件
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
TM
CMBT3904E NPN
CMBT3906E PNP
增强规范
互补FEMTOmini
TM
硅晶体管
NPN
典型值
240
235
215
110
50
PNP
典型值
130
150
150
120
55
兆赫
4.0
8.0
1.0
0.1
100
1.0
12
10
400
60
4.0
35
35
200
50
μmhos
dB
ns
ns
ns
ns
pF
pF
k
X10-4
300
半导体公司
电气特性
（续）
民
90
100
100
70
30
300
最大
单位
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
td
tr
ts
tf
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 1.0KΩ ，
F = 10Hz到15.7kHz
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
加强规范。
SOT - 923 - 机械概要
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
R0 （ 2007年17月）
QQ：2880707522 复制
