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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
SOT- 23形成SMD封装
CMBT2222
CMBT2222A
硅平面外延晶体管
N-P - N型硅晶体管
记号
CMBT2222 = 1B中
CMBT2222A = LP
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
CMBT2222
CMBT2222A
集电极 - 基极电压(开ernitter )
V
CB0
集电极 - 发射极电压(开基)
V
CE0
发射极基极电压(集电极开路)
V
EB0
集电极电流(直流)
I
C
总功率耗散高达至T
AMB
= 25°C P
合计
直流电流增益
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10V
h
FE
LC = 500毫安; V
CE
= 10V
跃迁频率在f = 100 MHz的
f
T
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
60
30
5,0
600
250
100至300
75
40
6,0
V
V
V
mA
mW
& GT ;
& GT ;
30
250
40
300
兆赫
大陆设备印度有限公司
数据表
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CMBT2222
CMBT2222A
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
CMBT2222
CMBT2222A
集电极 - 基极电压(发射极开路)
V
CBO
集电极 - 发射极电压(开基)
V
首席执行官
发射极 - 基极电压(集电极开路)
V
EBO
集电极电流(直流转换, )
I
C
总功率耗散高达至T
AMB
= 25°C P
合计
存储温度范围
T
英镑
结温
T
j
热阻
从结点到环境
特征
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
马克斯。
rnax 。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
60
30
5,0
600
250
-55到+150
150
75
40
6,0
V
V
V
mA
mW
°C
°C
R
日J-一
500
K / W
CMBT2222
CMBT2222A
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
E =
0; V
CB
= 60 V
I
E =
0; V
CB
= 50 V ;牛逼
i
– 125 °C
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j =
125 °C
V
EB
= 3 V; V
CE
= 60 V
基极电流
与反向偏置发射结
V
FB
= 3V; V
CE
= 60V
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 3V
饱和电压
I
C
= 150毫安;升
B
= 15毫安
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CEX
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;?
0,01
10
0,01
10
10
A
A
A
A
nA
I
BEX
I
EBO
& LT ;
& LT ;
400
1.3
1.6
2.6
30
60
5,0
20
10
nA
nA
V
CESAT
& LT ;
V
BESAT
& LT ;
V
BESAT
V
CESAT
& LT ;
V
BESAT
& LT ;
V
( BR ) CEO
& GT ;
V
( BR ) CBO
& GT ;
V
( BR ) EBO
& GT ;
300
mV
V
0,6到1,2 V
1.0
2.0
40
75
6,0
V
V
V
V
V
I
C
= 500毫安;升
B
= 50毫安
击穿电压
I
C
= 1,0μ A;我
B
= 0
I
C
= 100μA ;我
E
= 0
I
C
= 0; I
E
= 10A
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
CMBT2222
CMBT2222A
CMBT2222
CMBT2222A
直流电流增益
h
FE
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10V
h
FE
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10V
h
FE
l
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V
l
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= -55 °建华
FE
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V
跃迁频率在f = 100 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V
输出电容在f = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 10V
输入电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
EB
= 0,5V
噪声系数为R
S
= 1 k
I
C
= 100A ; V
CE
= 10V ; F = 1千赫
开关时间(10%和90%之间)
开启时间切换到我
c
= 150毫安
延迟时间
上升时间
从I关断时间开关
c
= 150毫安
贮存时间
下降时间
小信号电流增益
V
CE
= 10V ;我
C
= 1毫安; F = 1千赫
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
35
50
75
35
100至300
50
30
40
f
T
Co
Ci
F
& GT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
250
8,0
30
4,0
300
兆赫
pF
25
pF
dB
t
d
t
r
t
s
t
f
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
h
fe
& GT ;
& LT ;
& GT ;
& LT ;
50
300
75
375
V
CE
= 10V ;我
C
= 10毫安; F = 1千赫
h
fe
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
客户注意事项
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担不准确或不完整的责任
信息。此外, CDIL不承担任何责任,所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话:+ 91-11-2579 6150 , 5141 1112传真:+ 91-11-2579 5290 , 5141 1119
email@cdil.com
www.cdisemi.com
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数据表
第4页4
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
SOT- 23形成SMD封装
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
CMBT2222
CMBT2222A
硅平面外延晶体管
N-P - N型硅晶体管
记号
CMBT2222 = 1B中
CMBT2222A = LP
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
CMBT2222
CMBT2222A
集电极 - 基极电压(开ernitter )
V
CB0
集电极 - 发射极电压(开基)
V
CE0
发射极基极电压(集电极开路)
V
EB0
集电极电流(直流)
I
C
总功率耗散高达至T
AMB
= 25°C P
合计
直流电流增益
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10V
h
FE
LC = 500毫安; V
CE
= 10V
跃迁频率在f = 100 MHz的
f
T
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
60
30
5,0
600
250
100至300
75
40
6,0
V
V
V
mA
mW
& GT ;
& GT ;
30
250
40
300
兆赫
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4
CMBT2222
CMBT2222A
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
CMBT2222
CMBT2222A
集电极 - 基极电压(发射极开路)
V
CBO
集电极 - 发射极电压(开基)
V
首席执行官
发射极 - 基极电压(集电极开路)
V
EBO
集电极电流(直流转换, )
I
C
总功率耗散高达至T
AMB
= 25°C P
合计
存储温度范围
T
英镑
结温
T
j
热阻
从结点到环境
特征
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
马克斯。
rnax 。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
60
30
5,0
600
250
-55到+150
150
75
40
6,0
V
V
V
mA
mW
°C
°C
R
日J-一
500
K / W
CMBT2222
CMBT2222A
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
E =
0; V
CB
= 60 V
I
E =
0; V
CB
= 50 V ;牛逼
i
– 125 °C
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j =
125 °C
V
EB
= 3 V; V
CE
= 60 V
基极电流
与反向偏置发射结
V
FB
= 3V; V
CE
= 60V
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 3V
饱和电压
I
C
= 150毫安;升
B
= 15毫安
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CEX
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
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0,01
10
0,01
10
10
m
A
m
A
m
A
mA
nA
I
BEX
I
EBO
& LT ;
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400
1.3
1.6
2.6
30
60
5,0
20
10
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nA
V
CESAT
& LT ;
V
BESAT
& LT ;
V
BESAT
V
CESAT
& LT ;
V
BESAT
& LT ;
V
( BR ) CEO
& GT ;
V
( BR ) CBO
& GT ;
V
( BR ) EBO
& GT ;
300
mV
V
0,6到1,2 V
1.0
2.0
40
75
6,0
V
V
V
V
V
I
C
= 500毫安;升
B
= 50毫安
击穿电压
I
C
= 1,0mA ;我
B
= 0
I
C
= 100毫安;我
E
= 0
I
C
= 0; I
E
= 10毫安
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数据表
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CMBT2222
CMBT2222A
CMBT2222
CMBT2222A
直流电流增益
h
FE
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10V
h
FE
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10V
h
FE
l
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V
l
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= -55 °建华
FE
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V
跃迁频率在f = 100 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V
输出电容在f = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 10V
输入电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
EB
= 0,5V
噪声系数为R
S
= 1千瓦
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10V ; F = 1千赫
开关时间(10%和90%之间)
开启时间切换到我
c
= 150毫安
延迟时间
上升时间
从I关断时间开关
c
= 150毫安
贮存时间
下降时间
小信号电流增益
V
CE
= 10V ;我
C
= 1毫安; F = 1千赫
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
& GT ;
35
50
75
35
100至300
50
30
40
f
T
Co
Ci
F
& GT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
250
8,0
30
4,0
300
兆赫
pF
25
pF
dB
t
d
t
r
t
s
t
f
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ;
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
h
fe
& GT ;
& LT ;
& GT ;
& LT ;
50
300
75
375
V
CE
= 10V ;我
C
= 10毫安; F = 1千赫
h
fe
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担不准确或不完整的责任
信息。此外, CDIL不承担任何责任,所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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