大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP外延平面硅晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT200
CMBT200A
SOT23
标记：如下
3
1
2
专为通用放大器应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C除非另有说明）
描述
符号
价值
VCBO
60
集电极基极电压
VCEO
45
集电极发射极电压
VEBO
6.0
发射极电压
IC
500
连续集电极电流 -
PD
350
功耗
2.8
减免上述= 25℃
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
热阻
值（Rth J-一）
357
结到环境
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
最大
VCBO
IC = 10uA的， IE = 0
60
-
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
45
-
集电极发射极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
6.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 50V ， IE = 0
-
50
收藏家切断电流
冰
VCE = 4V ， IE = 0
-
50
IEBO
VEB = 4V ， IC = 0
-
50
发射器切断电流
的hFE
IC=100uA,VCE=1V
CMBT200
80
-
直流电流增益
CMBT200A
240
-
IC=10mA,VCE=1V
CMBT200
CMBT200A
CMBT200A
CMBT200
CMBT200A
100
300
100
100
100
450
600
-
350
-
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
单位
V
V
V
nA
nA
nA
IC=100mA,VCE=1V*
IC=150mA,VCE=5V*
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
CMBT200 ，A
描述
符号测试条件
民
最大
-
0.2
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC =的200mA， IB = 20mA下*
-
0.4
VBE （星期六） IC = 10毫安， VCE = 1V
-
0.85
基极发射极饱和电压
IC =的200mA， IB = 20mA下*
-
1.0
动态特性
ft
VCE=20V,IC=20mA,
250
-
跃迁频率
科博
VCB = 10V ， F = 1MHz的
-
6.0
输出电容
NF
IC = 100uA的， VCE = 5V
CMBT200
-
5.0
噪声系数
RG = 2千欧， F = 1.0
CMBT200A
-
4.0
千赫
CMBT200
CMBT200A
设备
记号
N2
N2A
*脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
单位
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
SOT- 23形成SMD封装
±0.05
2.50
± 0.02
0.60
±0.025
1.30
±0.02
0.60
SOT- 23封装卷信息
卷筒规格W"包装（ 13"卷轴）
14.4
最大
100.0± 0.5 / 54.5 ± 0.5
329.2± 0.5 / 178 ± 0.5
7.9 – 10.9
9.2± 0.5
±0.025
2.90
±0.05
1.90
+0.08
0.40 -0.02
1
cL
3
+0.5
–0.2
13.0
180
or
330
拖车
2
20.2 MIN
3°
3°
细节X
±0.02
0.60
分型线
RO.08
±0.01
0.12
±4"
±3"
±0.04
0.06
R0.08
±0.025
0.95
在M M所有毛钱nsions
一百八十零分之三百三mm - 防静电有限公司ated塑料卷轴
N 2 O TES ：
N}÷ 。的D- evices
1.
2.
3.
4.
5.
8米米钽PE
卷的大小
330毫米（ 13" ）
万颗
8米米钽PE
卷的大小
180毫米（ 7" ）
3000颗
6°
0.21
7°
±0.05
2.50
5°
330mm的稀土元素升BA ndolier包含至少10,000个设备。
为180mm稀土元素升BA ndolier至少包含3000 evices 。
N}÷米矿比0.5 ％丢失的设备S /卷。 50 EM PTY COM partm经济需求测试FO 330米米卷轴。
15 EM PTY COM partments公寓为18 0 M M卷轴。
连续三个EM PTY地方米飞行发现只要这种差距遵循第6版。
连续设备。
载分接开关E（铅ER ）站RTS瓦特第i个至少75 EM PTY位数（相当于330
M M ） 。为了解决这个嘉莉 - [R带的20至50毫米的自粘合带施加。在
在连接D中的子弹带至少40 EMP TY位置（相当于1 60 MM）是个ERE 。
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数据表
分页： 1 2 3
FIXING
TAPE
0.08
利达
± 0.02
0.60
1.30
7°
0.08
± 0.02
0.60
2.0± 0.5
磁带规格SOT- 23表面贴装器件
± 0.1
4.0
± 0.05
± 0.1
2.0
4.0
± 0.1
1.75
+0.3 ± 0.05
- 0.1 3.5
8.0
5.75
最大
± 0.05
± 0.05
1.55
± 0.10
2.77
± 0.1
1.22
1.6
最大
1.0
± 0.10
3.15
退绕方向
尺寸：mm
包装细节
包
详细
SOT- 23 T&R
3K/reel
10K/reel
标准包装
净重量/数量
136克/个3K
415克/ 10K个
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
9" X 9" X 9"
13" X 13" X 0.5"
内箱箱
数量
12.0K
51.0K
10.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
192.0K
408.0K
300.0K
克重量
12公斤
28公斤
16公斤
笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
数据表
第3页3
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一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
PNP外延平面硅晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT200
CMBT200A
SOT23
标记：如下
3
1
2
专为通用放大器应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C除非另有说明）
描述
符号
价值
VCBO
60
集电极基极电压
VCEO
45
集电极发射极电压
VEBO
6.0
发射极电压
IC
500
连续集电极电流 -
PD
350
功耗
2.8
减免上述= 25℃
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
热阻
值（Rth J-一）
357
结到环境
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
最大
VCBO
IC = 10uA的， IE = 0
60
-
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
45
-
集电极发射极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
6.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 50V ， IE = 0
-
50
收藏家切断电流
冰
VCE = 4V ， IE = 0
-
50
IEBO
VEB = 4V ， IC = 0
-
50
发射器切断电流
的hFE
IC=100uA,VCE=1V
CMBT200
80
-
直流电流增益
CMBT200A
240
-
IC=10mA,VCE=1V
CMBT200
CMBT200A
CMBT200A
CMBT200
CMBT200A
100
300
100
100
100
450
600
-
350
-
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
单位
V
V
V
nA
nA
nA
IC=100mA,VCE=1V*
IC=150mA,VCE=5V*
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数据表
第1页3
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
CMBT200 ，A
描述
符号测试条件
民
最大
-
0.2
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC =的200mA， IB = 20mA下*
-
0.4
VBE （星期六） IC = 10毫安， VCE = 1V
-
0.85
基极发射极饱和电压
IC =的200mA， IB = 20mA下*
-
1.0
动态特性
ft
VCE=20V,IC=20mA,
250
-
跃迁频率
科博
VCB = 10V ， F = 1MHz的
-
6.0
输出电容
NF
IC = 100uA的， VCE = 5V
CMBT200
-
5.0
噪声系数
RG = 2千欧， F = 1.0
CMBT200A
-
4.0
千赫
CMBT200
CMBT200A
设备
记号
N2
N2A
*脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
单位
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
SOT- 23形成SMD封装
±0.05
2.50
± 0.02
0.60
±0.025
1.30
±0.02
0.60
SOT- 23封装卷信息
卷筒规格W"包装（ 13"卷轴）
14.4
最大
100.0± 0.5 / 54.5 ± 0.5
329.2± 0.5 / 178 ± 0.5
7.9 – 10.9
9.2± 0.5
±0.025
2.90
±0.05
1.90
+0.08
0.40 -0.02
1
cL
3
+0.5
–0.2
13.0
180
or
330
拖车
2
20.2 MIN
3°
3°
细节X
±0.02
0.60
分型线
RO.08
±0.01
0.12
±4"
±3"
±0.04
0.06
R0.08
±0.025
0.95
在M M所有毛钱nsions
一百八十零分之三百三mm - 防静电有限公司ated塑料卷轴
N 2 O TES ：
N}÷ 。的D- evices
1.
2.
3.
4.
5.
8米米钽PE
卷的大小
330毫米（ 13" ）
万颗
8米米钽PE
卷的大小
180毫米（ 7" ）
3000颗
6°
0.21
7°
±0.05
2.50
5°
330mm的稀土元素升BA ndolier包含至少10,000个设备。
为180mm稀土元素升BA ndolier至少包含3000 evices 。
N}÷米矿比0.5 ％丢失的设备S /卷。 50 EM PTY COM partm经济需求测试FO 330米米卷轴。
15 EM PTY COM partments公寓为18 0 M M卷轴。
连续三个EM PTY地方米飞行发现只要这种差距遵循第6版。
连续设备。
载分接开关E（铅ER ）站RTS瓦特第i个至少75 EM PTY位数（相当于330
M M ） 。为了解决这个嘉莉 - [R带的20至50毫米的自粘合带施加。在
在连接D中的子弹带至少40 EMP TY位置（相当于1 60 MM）是个ERE 。
大陆设备印度有限公司
数据表
分页： 1 2 3
FIXING
TAPE
0.08
利达
± 0.02
0.60
1.30
7°
0.08
± 0.02
0.60
2.0± 0.5
磁带规格SOT- 23表面贴装器件
± 0.1
4.0
± 0.05
± 0.1
2.0
4.0
± 0.1
1.75
+0.3 ± 0.05
- 0.1 3.5
8.0
5.75
最大
± 0.05
± 0.05
1.55
± 0.10
2.77
± 0.1
1.22
1.6
最大
1.0
± 0.10
3.15
退绕方向
尺寸：mm
包装细节
包
详细
SOT- 23 T&R
3K/reel
10K/reel
标准包装
净重量/数量
136克/个3K
415克/ 10K个
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
9" X 9" X 9"
13" X 13" X 0.5"
内箱箱
数量
12.0K
51.0K
10.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
192.0K
408.0K
300.0K
克重量
12公斤
28公斤
16公斤
笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
www.cdil.com
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