大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
SOT- 23形成SMD封装
CMBD1201 ， CMBD1202 ， CMBD1203
CMBD1204 ， CMBD1205 ， CMBD4148
硅平面外延高速二极管
CMBD1201 ， 1202 ， CMBD4148都是单二极管
CMBD1203是一个双二极管，串联
CMBD1204是一个双二极管，共阴
CMBD1205是一个双二极管，共阳极
记号
CMBD1201 - 24
CMBD1202 - 25
CMBD1203 - 26
2
1
CMBD1204 - 27
CMBD1205 - 28
CMBD4148 - 5H
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
CMBD1201
3
CMBD4148
1
2
CMBD1202
3
2
1
CMBD1203
3
2
1
CMBD1204
3
2
1
CMBD1205
3
绝对最大额定值
（每二极管）
连续反向电压
反向重复峰值电压
重复峰值正向电流
正向电流
结温
在我正向电压
F
= 10毫安
V
R
V
RRM
I
FRM
I
F
T
j
V
F
马克斯。
75
马克斯。
100
马克斯。
500
马克斯。
215
马克斯。
150
＆ LT ;
0.855
V
V
mA
mA
°C
V
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数据表
第1页3
CMBD1201 ， CMBD1202 ， CMBD1203
CMBD1204 ， CMBD1205 ， CMBD4148
从切换时的反向恢复时间
I
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安
评级
（每二极管） （在T
A
= 25 ° C除非另有
极限值
连续反向电压
反向重复峰值电压
重复峰值正向电流
正向电流
非重复性峰值正向电流（每晶）
T = 1微秒
T = 1毫秒
t=1s
储存温度
结温
热阻
从结点到环境
特征
（每二极管）
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
正向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 200毫安
CMBD4148
I
F
= 10毫安
反向电流
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150 °C
正向恢复电压
I
F
= 10毫安;牛逼
p
= 20 ns的
恢复电荷
I
F
= 10 mA至V
R
= 5V ; R = 100
二极管电容
V
R
= 0; F = 1 MHz的
从切换时的反向恢复时间
I
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安
t
rr
特定网络版）
V
R
V
RRM
I
FRM
I
F
I
FSM
I
FSM
I
FSM
TSTG
Tj
＆ LT ;
4纳秒
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
75
100
500
215
V
V
mA
mA
马克斯。
4 A
马克斯。
1.0 A
马克斯。
0.5 A
-55至+150°C
马克斯。
150 ° C
R
日J-一
=
500多K / W
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
V
fr
Q
s
C
d
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
0.855 V
1.05 V
1.0 V
25 nA的
5 A
30 A
1.75 V
45 pC的
2 pF的
t
rr
＆ LT ;
4纳秒
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客户注意事项
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
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电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
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第3页3
CDIL是公司的注册商标
RECTRON
半导体
技术规格
CMBD4148
SOT-23
绝对最大额定值（Ta = 25
°
C)
项
符号
评级
单位
反向电压VR
75
V
峰值电流
IFSM
0.5 / 4
A
1秒/ 1微秒
正向电压VF
1.0
V
@ IF = 10毫安
正向电流IF
215
mA
结温。
Tj
-55到150
°
C
储存温度。
TSTG
-55到150
°
C
机械数据
项
物料
包
SOT-23
引线框架
42合金
无铅封装
镀锡
键合线
Au
模具树脂
环氧树脂
芯片
硅
(B)
(C)
(A)
A. NC
B.阳极
C.阴极
（单位：毫米）
电气特性（ TA = 25
°
C)
评级
最小的反向击穿电压
IR = 100uA的
连续反向电压
正向电压
IF = 10毫安
反向电流
VR = 20V
VR = 75V
结电容
VR = 0 V ， F = 1MHz的
反向恢复时间
IF = IR = 10毫安; RL = 100欧姆
热Resstance （结到环境）
符号
VBR
VR
VF
IR
评级
100
75
1.0
单位
V
V
V
uA
.025
5
Cj
2
TRR
R
Θ
JA
4
500
ns
°
C / W
pF
RECTRON美国
13405约巴林达大道，奇诺，CA 91710
联系电话： （ 909 ） 517-3323传真： （ 909 ） 517-3022
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