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CYStech电子股份有限公司
高电压开关(双)二极管
规格。编号: C335N3
发行日期: 2003年5月30日
修订日期:
页页次: 1/4
CMBD2004/A/C/SN3
描述
高压开关二极管封装在一个SOT -23小型塑料SMD封装。
单二极管和双二极管不同的钉扎可供选择。
特点
·快速
开关速度
ULOW
正向电压降
塑料SMD封装
机械数据
=案例
: SOT - 23 ,模压塑料
★终端
:每MIL -STD- 202方法208可焊性
Weight
: 0.008克(约)
钉扎
1
2
3
描述
CMBD2004 CMBD2004A CMBD2004C CMBD2004S
A
K1
A1
A1
NC
K2
A2
K2
K
A1,A2
K1,K2
K1,A1
概要
SOT-23
3
1
2
(1) CMBD2004
(2)CMBD2004A
标记:
TYPE
CMBD2004 N3
CMBD2004AN3
CMBD2004CN3
CMBD2004SN3
标识代码
D53
DB8
DB7
DB6
(3)CMBD2004C
(4)CMBD2004S
二极管配置和符号
CMBD2004/A/C/SN3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃ ,除非另有规定)
规格。编号: C335N3
发行日期: 2003年5月30日
修订日期:
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最高温度
贮藏温度Tstg ............................................... .................................................. .. -65 + 150
°C
结温Tj ............................................................................................................. 150
°C
最大功率耗散
总功耗P合计
(注)
.................................................. ......................................... 350毫瓦
最大电压和电流
反向重复峰值电压V
RRM
............................................................................................ 300 V
DC阻断电压V
R
………………………………………………………………………….. 240V
RMS反向电压V
R
(
RMS )
…………………………………………………………………….. 170V
连续正向电流I
F
(注)
..................................................................... 225毫安
峰值重复正向电流I
FRM
(注)
......... .. ................................................ 0.625毫安。
浪涌不重复正向电流I
FSM
@ TP = 1μs的.............................................. .......................... 4A
@ TP = 1秒...... 。 ................................................ 。 1A
热阻,结到环境空气
θJA
……………………………………….……357℃/W
注:零件安装在FR-4板。为双二极管, Ptot的是两个二极管的总功耗。
特征
(Ta=25°C)
特征
反向击穿电压
正向电压
(注)
符号
V
BR
V
F
(1)
V
F
(2)
I
R
(1)
I
R
(2)
C
D
t
rr
条件
I
R
=100A
I
F
=20mA
I
F
=100mA
V
R
=240V,Tj=25℃
V
R
=240V,Tj=150℃
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 30毫安RL = 100Ω
在IR = 3毫安测
分钟。
300
-
-
-
-
-
马克斯。
-
870
1000
100
100
5
50
单位
V
mV
mV
nA
A
pF
ns
反向漏电流
(注)
二极管电容
反向恢复时间
笔记
:
脉冲测试, TP = 380μs ,占空比cycle<2 % 。
CMBD2004/A/C/SN3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
正向特性
1000
瞬时正向电流---我
F
(MA )
反向漏电流---我
R
(μA)
规格。编号: C335N3
发行日期: 2003年5月30日
修订日期:
页页次: 3/4
反向漏电流与结温
100
100
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
1
正向电压 - V
F
(V)
2
0.01
0
100
结温TJ --- ( ℃ )
200
功率降额曲线
400
350
功耗--- P
D
( mW)的
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
环境温度--- T
A
(℃)
CMBD2004/A/C/SN3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 23外形尺寸
图:
L
3
B
1
2
S
规格。编号: C335N3
发行日期: 2003年5月30日
修订日期:
页页次: 4/4
A
标记:
L4_
DXX
V
G
C
D
K
3引脚SOT- 23塑料表面贴装
封装。
CYStek包装代码: N3
J
H
CMBD2004 N3 :单二极管
(标识代码D53 )
CMBD2004AN3 :共阳极。 (标识代码DB 8 )
CMBD2004CN3 :共阴极。 (标识代码DB7 )
CMBD2004SN3 :系列关连。 (标识代码DB6 )
* :典型
暗淡
A
B
C
D
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.1102 0.1204
0.0472 0.0630
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0005 0.0040
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
1.20
1.60
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.013
0.10
暗淡
J
K
L
S
V
英寸
分钟。
马克斯。
0.0034 0.0070
0.0128 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1083
0.0098 0.0256
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.85
0.177
0.32
0.67
0.85
1.15
2.10
2.75
0.25
0.65
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
CMBD2004/A/C/SN3
CYStek产品规格
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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