CMATVS3V3
CMATVS5V0
表面贴装硅
瞬态电压抑制器
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMATVS3V3
系列类型是低漏电，快速响应的TVS
封装在一个节省空间的SOD- 923表面贴装
封装。这些设备旨在保护
针对ESD损坏敏感设备。
标记代码： CMATVS3V3 ：电子
CMATVS5V0 ：F
SOD- 923案例
应用范围：
- 掌上电脑
存储卡端口
- 手机
仪表
最大额定值：
(TA=25°C)
峰值功耗（ 8x20μs ）
ESD电压（ IEC 61000-4-2 ）
工作和存储结温
产品特点：
小，
FEMTOmini
1.0× 0.6× 0.4mm，则SOD- 923
表面贴装封装
低漏电流
ESD保护符合IEC 61000-4-2 ： 4级（ 15千伏）
符号
PPK
VESD
TJ ， TSTG
单位
W
kV
°C
80
15
-55到+150
电气特性：
（ TA = 25 ℃） VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安（所有类型）
最大
反向
对峙
电压
VRWM
V
CMATVS3V3
CMATVS5V0
3.3
5.0
最低
击穿
电压
VBR @ IT
V
5.0
6.2
TEST
当前
IT
mA
1.0
1.0
最大
反向
泄漏
当前
IR @ VRWM
μA
2.5
1.0
最大
夹紧
电压
VC @伊普
V
11
12.3
PEAK
脉冲
当前
IPP
A
7.0
7.0
典型
电容
@ 0V偏置
C
pF
45
40
TYPE
R4 （ 2012年5月）
CMATVS3V3
CMATVS5V0
表面贴装硅
瞬态电压抑制器
SOD- 923案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
标记代码：
CMATVS3V3 ：电子
CMATVS5V0 ：F
R4 （ 2012年5月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMATVS3V3
CMATVS5V0
表面贴装硅
瞬态电压抑制器
典型电气特性
R4 （ 2012年5月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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