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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1289页 > CM75TU-34KA
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
CM75TU-34KA
I
C .....................................................................
75A
V
CES ................................................. .........
1700V
预绝缘
TYPE
在一包6元
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
CM
N
11
21.7
E
G
P
11
E
21.7
G
11 14.4
E
GUP
EUP
GVP
EVP
GWP
EWP
G
G
E
G
E
G
E
EUN
GVN
EVN
周报
EWN
3.75
80
±0.25
102
48.5
17
3.75
107
90
±0.25
23
12
12
4–φ5.5
安装孔
(4)
U
V
W
12
5–M5NUTS
TC测量点2.8
7.1
11
23
21.7
12
23
11
12
0.5
0.8
11
4
8.1
P
G
U
P
E
U
P
U
G
U
N
E
U
N
N
29
–0.5
+1
21.7
TC测量点
LABEL
26
G
V
P
E
V
P
V
G
V
N
E
V
N
G
W
P
E
W
P
W
G
W
N
E
W
N
电路图
2009年2月
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
最大额定值
( TJ = 25 ° C,除非另有规定)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1700
±20
75
150
75
150
660
–40 ~ +150
–40 ~ +125
3500
2.5 ~ 3.5
2.5 ~ 3.5
680
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
(注2 )
(注2 )
终端底板, F = 60Hz的, AC 1分钟
主端子M5螺丝
安装M5螺丝
典型的价值
电气特性
( TJ = 25 ° C,除非另有规定)
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
V
EC (注1 )
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
日( J- C' )
Q
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A
V
GE
=
±15V
R
G
= 4.2Ω ,电感性负载
I
E
= 75A
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V , TJ = 25°C
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V , TJ = 125°C
IGBT的一部分( 1/6模块)
FWDI部分( 1/6模块)
案件散热片,热复合应用
*2
( 1/6模块)
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
4
范围
典型值。
5.5
3.2
3.8
340
5.3
2.2
0.09
马克斯。
1
7
0.5
4.0
10.5
1.8
0.55
100
100
400
800
200
4.6
0.19
0.35
0.13*
3
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
V
K / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
1 :外壳温度(Tc )测量点显示在外形图。
*
*
2 :典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / (米 K) ] 。
*
3 :如果使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
2009年2月
2
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
150
T
j
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
传输特性
(典型值)
11
集电极电流( A)
12
150
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
125
T
j
= 125°C
100
75
50
25
0
125
100
75
V
GE
= 20V
15
14
10
9
50
25
0
8
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
10
T
j
= 25°C
6
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
5
T
j
= 125°C
4
3
2
1
0
8
6
I
C
= 150A
4
I
C
= 75A
I
C
= 30A
2
0
20
40
60
80 100 120 140
0
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
T
j
= 25°C
10
1
7
5
3
2
C
IES
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
V
GE
= 0V
C
水库
10
1
1
2
3
4
5
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2009年2月
3
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
半桥
开关特性
(典型值)
10
4
7
5
3
2
7
5
3
2
开关时间(纳秒)
t
f
t
D(关闭)
10
3
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
10
3
7
条件:
5
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
3
R
G
= 4.2
2
T
j
= 25°C
感性负载
10
2
7
5
3
2
10
2
10
1
V
GE
=
±15V
7
R
G
= 4.2
5
t
r
3
T
j
= 125°C
2
感性负载
10
0 0
10
2 3
5 7
10
1
7
5
条件:
3
2
V
CC
= 1000V
t
D(上)
I
rr
t
rr
2
3
5 7
10
2
10
1 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J -C )
(比)
发射极电流I
E
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
IGBT部分:
5
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.19K / W
3
FWDI部分:
2
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.35K / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
栅极电荷
特征
(典型值)
20
I
C
= 75A
16
V
CC
= 800V
V
CC
= 1000V
12
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
8
10
–2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–2
4
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
10
–3
0
0
100
200
300
400
500
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
4
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
CM75TU-34KA
G
I
C .....................................................................
75A
G
V
CES ................................................. .........
1700V
G
预绝缘
TYPE
G
在一包6元
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
CM
N
11
21.7
E
G
P
11
E
21.7
G
11 14.4
E
GUP
EUP
GVP
EVP
GWP
EWP
G
G
E
G
E
G
E
EUN
GVN
EVN
周报
EWN
3.75
80
±0.25
102
48.5
17
3.75
107
90
±0.25
23
12
12
4–φ5.5
安装孔
(4)
U
V
W
12
5–M5NUTS
TC测量点2.8
7.1
11
23
21.7
12
23
11
12
0.5
0.8
11
4
8.1
P
G
U
P
E
U
P
U
G
U
N
E
U
N
N
29
–0.5
+1
21.7
TC测量点
LABEL
26
G
V
P
E
V
P
V
G
V
N
E
V
N
G
W
P
E
W
P
W
G
W
N
E
W
N
电路图
2001年9月
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
最大额定值
( TJ = 25 ° C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1700
±20
75
150
75
150
660
–40 ~ +150
–40 ~ +125
3500
2.5 ~ 3.5
2.5 ~ 3.5
680
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
(注2 )
(注2 )
主航站楼到基板上, AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M5
典型的价值
电气特性
( TJ = 25 ° C)
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 4.2Ω ,电感性负载切换操作
I
E
= 75A
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V , TJ = 25°C
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V , TJ = 125°C
IGBT的一部分( 1/6模块)
FWDI部分( 1/6模块)
案例鳍,热复合应用
*2
( 1/6模块)
TC测量点就是芯片下
分钟。
4
范围
典型值。
5.5
3.2
3.8
340
5.3
2.2
0.09
马克斯。
1
7
0.5
4.0
10.5
1.8
0.55
100
100
400
800
200
4.6
0.19
0.35
0.13*
3
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
V
° C / W
V
EC (注1 )
发射极 - 集电极电压
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
日( J- C' )
Q
热阻
*1
接触热阻
热阻
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
,模/ DT代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管的特性。 ( FWDI ) 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 (T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
1 :TC测量点显示在外形图。
*
*
2 :典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 :如果使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
2001年9月
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
150
T
j
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
传输特性
(典型值)
11
集电极电流( A)
12
150
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
125
T
j
= 125°C
100
75
50
25
0
125
100
75
V
GE
= 20V
15
14
10
9
50
25
0
8
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
10
T
j
= 25°C
6
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
5
T
j
= 125°C
4
3
2
1
0
8
6
I
C
= 150A
4
I
C
= 75A
I
C
= 30A
2
0
20
40
60
80 100 120 140
0
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
T
j
= 25°C
10
1
7
5
3
2
C
IES
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
V
GE
= 0V
C
水库
10
1
1
2
3
4
5
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
2001年9月
三菱IGBT模块
CM75TU-34KA
高功率开关使用
半桥
开关特性
(典型值)
10
4
7
5
3
2
7
5
3
2
开关时间(纳秒)
t
f
t
D(关闭)
10
3
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
10
3
7
条件:
5
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
3
R
G
= 4.2
2
T
j
= 25°C
感性负载
10
2
7
5
3
2
10
2
10
1
V
GE
=
±15V
7
R
G
= 4.2
5
t
r
3
T
j
= 125°C
2
感性负载
10
0 0
10
2 3
5 7
10
1
7
5
条件:
3
2
V
CC
= 1000V
t
D(上)
I
rr
t
rr
2
3
5 7
10
2
10
1 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J -C )
( ° C / W)
发射极电流I
E
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
IGBT部分:
5
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.19 ° C / W
3
FWDI部分:
2
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.35 ° C / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
栅极电荷
特征
(典型值)
20
I
C
= 75A
16
V
CC
= 800V
V
CC
= 1000V
12
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
8
10
–2
10
–2
单脉冲
T
C
= 25°C
4
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
TMIE (S )
0
0
100
200
300
400
500
栅极电荷q
G
( NC )
2001年9月
CM75TU-34KA
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
六IGBTMOD
KA系列模块
75安培/ 1700伏
的S - NUTS
( 5 TYP )
K
CM
J
K
R
牛逼 - ( 4 TYP 。 )
TC
测量
N
P
P
G
V
P·E
V
P
G
W
P·E
W
P
G
U
P·E
U
P
TC
测量
L
N
L
N
L
M
Q
G
U
否E
U
N
U
G
V
否E
V
N
V
W
G
W
否E
W
N
R
J
L
N
D
A
W - 厚x X - 宽
TAB ( 12个名额)
J
L
N
L
V
H
C
F
G
描述:
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
六个IGBT晶体管中的三
三相桥式结构中,与
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连被隔离
从散热基板,
提供简化的系统组装
和热管理。
产品特点:
低驱动电源
低V
CE ( SAT )
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
激光电源
订货信息:
例如:选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM75TU - 34KA是
1700V (V
CES
) , 75安培六连
IGBT IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
75
V
CES
伏( ×50 )
34
P
G
U
P
E
U
P
U
G
U
N
E
U
N
N
G
V
P
E
V
P
V
G
V
N
E
V
N
G
W
P
E
W
P
W
G
W
N
E
W
N
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
英寸
4.21
4.02
MILLIMETERS
107.0
102.0
尺寸
M
N
P
Q
R
S
T
V
W
X
英寸
0.57
0.85
0.67
1.91
0.15
M5
0.26直径。
0.03
0.02
0.110
MILLIMETERS
14.4
21.7
17.0
48.5
3.75
M5
6.5直径。
0.8
0.5
2.79
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.54±0.01
3.15±0.01
0.16
1.02
0.31
0.91
0.47
0.43
90.0±0.25
80.0±0.25
4.0
26.0
8.1
23.0
12.0
11.0
1
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75TU-34KA
六IGBTMOD KA系列模块
75安培/ 1700伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压(G -E SHORT )
栅极 - 发射极电压(C -E SHORT )
集电极电流(T
c
= 25°C)
峰值集电极电流(T
j
150°C)
发射极电流** (T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散(T
c
= 25°C)
安装扭矩, M5主要终端
安装扭矩, M5安装
重量
隔离电压(主候机楼至底座, AC 1分钟)
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
CM75TU-34KA
-40至150
-40至125
1700
±20
75
150*
75
150*
660
31
31
680
3500
单位
°C
°C
安培
安培
安培
安培
在磅
在磅
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
静态电气特性,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压*
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C
分钟。
4.0
典型值。
5.5
3.2
3.8
340
2.2
马克斯。
1
0.5
7.0
4.0
4.6
单位
mA
A
nC
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
动态电气特性,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 1000V ,我
C
= 75A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 4.2 ,电阻
感性负载
切换操作
I
E
= 75A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
典型值。
5.3
马克斯。
10.5
1.8
0.55
100
100
400
800
200
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
2
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75TU-34KA
六IGBTMOD KA系列模块
75安培/ 1700伏
热性能和机械性能,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
接触热阻
热阻
符号
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
D
R
TH( C-F )
R
日( J- C' )
Q
测试条件
每个IGBT模块1/6
每FWDI 1/6模块
每个模块,散热膏的应用
T
c
测量点
(根据芯片 - IGBT部分)
*如果您使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
分钟。
典型值。
0.09
马克斯。
0.19
0.35
0.13*
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
输出特性
(典型值)
传输特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
150
集电极电流,I
C
(安培)
125
100
75
15
11
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
集电极电流,I
C
(安培)
T
j
= 25
o
C
14
12
150
120
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
集电极电流,I
C
(安培)
V
GE
= 20V
10
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
90
9
50
25
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
60
30
0
8
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
续流二极管
正向特性
(典型值)
电容与V
CE
(典型值)
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) , (伏)
10
3
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
发射极电流,I
E
(安培)
10
2
8
6
4
2
10
1
C
IES
I
C
= 150A
I
C
= 75A
10
2
10
0
C
OES
V
GE
= 0V
C
水库
I
C
= 30A
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
10
1
1
2
3
4
5
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
(伏)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
3
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75TU-34KA
六IGBTMOD KA系列模块
75安培/ 1700伏
半桥
开关特性
(典型值)
反向恢复特性
(典型值)
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 4.2
T
j
= 25°C
电感
负载
反向恢复电流,I
rr
(安培)
栅极电荷V
GE
10
4
反向恢复时间,T
rr
(纳秒)
10
3
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
t
f
R
G
= 4.2
T
j
= 125°C
t
D(关闭)
10
2
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
I
C
= 75A
切换时间(纳秒)
10
3
16
12
8
4
V
CC
= 800V
V
CC
= 1000V
10
2
t
D(上)
10
2
t
rr
I
rr
10
1
10
1
t
r
10
0
10
0
10
1
集电极电流,I
C
(安培)
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
发射极电流,I
E
(安培)
10
2
0
0
100
200
300
400
500
栅极电荷,Q
G
( NC )
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
瞬态热
阻抗特性
(IGBT)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI )
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.19 ° C / W
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.35 ° C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-4
10
-3
10
-3
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-4
10
-3
10
-3
4
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CM75TU-34KA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
CM75TU-34KA
三菱Mitsubushi
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
CM75TU-34KA
三菱Mitsubushi
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
CM75TU-34KA
MITSUBISHI
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
CM75TU-34KA
MITSUBISHI/三菱
21+
1288
原装
原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
CM75TU-34KA
三菱
24+
1000
模块
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CM75TU-34KA
三菱
21+
9640
模块
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CM75TU-34KA
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9545
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CM75TU-34KA
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
CM75TU-34KA
MITSUBISHI
24+
2158
IGBT
公司大量全新正品 随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
CM75TU-34KA
三菱
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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