三菱IGBT模块
CM75TL-12NF
高功率开关使用
CM75TL-12NF
I
C .....................................................................
75A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
6-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
11
7
13.62
40.78
12
35
12
A
B
U
V
W
B
(13.5)
32
6 - M5螺母
10.75
(19.75)
12
22
23
12
23
12
23
12
12
（旋盖深度）
11.75
55
1
1
1
1
8
P
22
–0.5
16
23.2
+1
3
WP
VP
L A B 左
120
106
±0.5
17
17
2-φ5.5
安装孔
UP
CN
N
A和B的房屋类型
（ J.S.T.Mfg.Co.Ltd ）
A = B8P - VH -FB -B ， B = B2P - VH -FB -B
P
UP-1
UP-2
U
CN-5
CN-6
CN-3
CN-4
VP-1
VP-2
V
WP-1
WP-2
W
CN-1
CN-2
B
CN-7
CN-8
N
NC
NC
NC
电路图
2004年6月
三菱IGBT模块
CM75TL-12NF
高功率开关使用
绝对最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
= 102°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
75
150
75
150
430
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
2.5 ~ 3.5
350
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M5
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 8.3Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 75A
I
E
= 75A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
*1
FWDI部分（ 1/6模块）
*1
案例鳍，热复合应用（ 1/6模块）
*2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.3
范围
典型值。
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
300
—
—
—
—
—
1.2
—
—
—
0.085
—
马克斯。
1
8
0.5
2.2
—
11.3
1.4
0.45
—
120
100
300
300
100
—
2.8
0.29
0.51
—
83
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
*
1 ：TC测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略不计的温升。
2004年6月
CM75TL-12NF
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
六IGBTMOD
NF系列模块
75安培/ 600伏
E
F
G
K
C
CN
N
8
1
A
D
H
J
J
M
1
1
1
B
UP
VP
WP
K
U
T
P
B
AA
U
V
AB
W
N
Q
P
L
K
S
R
K
R
K
R
K
V
K
X
Y
W
P
B
NC
UP-1
UP-2
U
VP-1
VP-2
V
WP-1
WP-2
W
CN-7
CN-8
N
NC
NC
CN-5
CN-6
CN-3
CN-4
CN-1
CN-2
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块
由六个IGBT晶体管
三相桥式结构，
每个晶体管具有一
反向连接速度超快
恢复续流二极管。所有
组件和互连
从散热隔离
底板，提供简化的
系统组装和热
管理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
太阳能/燃料电池
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
下面-i.e.表CM75TL - 12NF
是600V （V
CES
） ， 75安培六连
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
75
V
CES
伏（ ×50 ）
12
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
英寸
4.72
2.17
1.39
4.17±0.02
0.43
0.28
0.54
1.61
0.67
0.47
M5
0.22直径。
MILLIMETERS
120.0
55.0
35.0
106.0±0.5
11.0
7.0
13.62
40.78
17.0
12.0
M5
直径。 5.5
尺寸
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
英寸
1.23
0.47
0.53
0.91
0.87
MILLIMETERS
32.0
11.75
13.5
23.0
22.0
0.76
19.75
0.42
10.75
0.87+0.04/-0.02 22.0+1.0/-0.5
0.91
0.63
0.12
23.2
16.0
3.0
房屋类型（ J.S.T.制作所有限公司）
AA - B8P -VH -FB -B的
AB - B2P -VH -FB -B的
10月10日第1版
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
CM75TL-12NF
六IGBTMOD NF系列模块
75安培/ 600伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率器件结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 102°C)*
峰值集电极电流（ TJ
≤
150°C)
发射极电流***
峰值发射极电流***
最大集电极耗散（T
C
= 25 ° C，T
j
< 150 ° C）
安装扭矩， M5螺丝安装
安装扭矩， M5主接线螺丝
模块重量（典型）
隔离电压， AC 1分钟， 60Hz的正弦
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
C
—
—
—
V
ISO
CM75TL-12NF
-40至150
-40至125
600
±20
75
150**
75
150**
430
31
31
350
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
电气和机械特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
电感
负载
开关
时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
QRR
V
EC
I
E
= 75A ，V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 8.3Ω, I
E
= 75A,
感应负载开关操作
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
300
—
—
—
—
—
1.2
—
马克斯。
1.0
8
0.5
2.2
—
11.3
1.4
0.45
—
120
100
300
300
100
—
2.8
单位
mA
伏
A
伏
伏
nf
nf
nf
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
伏
反向恢复时间***
反向恢复电荷***
发射极 - 集电极电压***
*T
C
, T
f
测量点就是芯片下。
**脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
***表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
10月10日第1版
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
CM75TL-12NF
六IGBTMOD NF系列模块
75安培/ 600伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
热阻，结到管壳*
热阻，结到管壳*
接触热阻
外部栅极电阻
*T
C
, T
f
测量点就是芯片下。
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
R
G
测试条件
每个IGBT模块1/6
每FWDI 1/6模块
每1/6模块，导热硅脂的应用
分钟。
—
—
—
8.3
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
0.29
0.51
0.085
83
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Ω
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
150
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极电流，I
C
（安培）
V
GE
= 20V
15
13
T
j
= 25°C
12
4
3
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
8
T
j
= 25°C
100
11
I
C
= 150A
6
4
2
0
2
50
10
I
C
= 75A
I
C
= 30A
1
8
9
0
0
2
4
6
8
10
0
0
50
100
150
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与VCE
（典型值）
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
2
V
GE
= 0V
10
3
t
D（关闭）
t
f
10
1
C
IES
切换时间（纳秒）
10
2
t
D（上）
10
2
10
0
C
OES
C
水库
10
1
t
r
10
1
0
1
2
3
4
5
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
0
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
感性负载
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
10月10日第1版
3
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
CM75TL-12NF
六IGBTMOD NF系列模块
75安培/ 600伏
反向恢复特性
（典型值）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 25°C
感性负载
I
rr
t
rr
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅电荷VS. VGE
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
开关损耗， ê
SW （ON）的
, E
SW （OFF）的
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗与
集电极电流
（典型值）
10
3
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
1
16
12
8
4
0
10
2
10
2
10
0
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
1
10
0
10
1
10
1
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
0
100
200
300
400
500
10
-1
10
0
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
开关损耗与
栅极电阻
（典型值）
开关损耗， ê
SW （ON）的
, E
SW （OFF）的
（兆焦耳/脉冲）
反向恢复开关损耗VS.
发射极电流
（典型值）
反向恢复开关损耗VS.
栅极电阻
（典型值）
10
2
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
E
rr
10
1
10
-1
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
0
10
0
E
rr
10
-1
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
E
= 75A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
-2
10
0
10
1
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
10
-2
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
归一化瞬态热阻抗，Z
日（ J- C' ）
Z
th
= R
th
（标准值）
10
0
10
-3
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
-2
单脉冲
T
C
= 25°C
每单位基础=
R
日（J -C ）
=
0.29°C/W
（IGBT）
R
日（J -C ）
=
0.51°C/W
（ FWDI ）
10
-1
10
-2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
4
10月10日第1版
QQ：2881677436 复制
