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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第546页 > CM75DU-12H
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
CM75DU-12H
I
C .....................................................................
75A
V
CES ................................................. .........
600V
绝缘型
在一包2元
应用
UPS ,数控机床,交流传动控制,伺服,焊工
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
T
C
测量点
94
7
17
80
±0.25
23
23
2–φ6.5
安装孔
4
E2 G2
24
C2E1
E2
C1
18
G1E1
4 11
48
12
3–M5NUTS
12毫米深
16 2.5
25
2.5 16
13.5
E2 G2
TAB
7.5
4
#110. t=0.5
C2E1
E2
13
CM
C1
G1 E1
30
–0.5
+1
LABEL
21.2
电路图
2009年2月
1
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注2 )
I
EM (注2)
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
75
150
75
150
310
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
(注1 )
(注1 )
带电部分底板中,f = 60Hz的, AC 1分钟
主端子M5螺丝
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
符号
I
CES
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
阻性负载
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V
I
E
= 75A,
模具/ DT = -150A /
s
结到管壳, IGBT部分(每1/2模块)
结到外壳, FWDI部分(每1/2模块)
案件散热片,导电脂应用
(每1/2模块)
(注6 )
(注4 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE (日)
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE ( SAT )
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
Q
G
总栅极电荷
t
D(上)
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统(注2)
发射极 - 集电极电压
t
RR (注2 )
反向恢复时间
Q
RR (注2 )
反向恢复电荷
R
日(J -C ) Q
热阻(注5 )
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
接触热阻
4.5
范围
典型值
6
2.4
2.6
150
0.18
0.07
最大
1
7.5
0.5
3.0
6.6
3.6
1
100
250
200
300
2.6
160
0.4
0.9
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
C
K / W
K / W
K / W
注: 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管的特性。
结温(T
j
)不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
外壳温度(T
C
)测点显示在页面外形图。
典型的值是通过使用导热润滑脂测
λ
= 0.9 [W / (米 K) ] 。
2009年2月
2
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
(典型值)
150
集电极电流I
C
(A)
传输特性
(典型值)
150
集电极电流I
C
(A)
V
GE
=20
(V)
15
14
13
V
CE
= 10V
125
100
75
50
25
0
125 T
j
=25°C
100
75
50
25
0
12
11
10
9
8
0
2
4
6
8
10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
5
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
4
10
T
j
= 25°C
8
3
6
I
C
= 150A
I
C
= 75A
2
I
C
= 30A
0
0
4
8
12
16
20
2
4
1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
电容特性
(典型值)
10
1
7
5
3
2
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
C
IES
3
2
10
0
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
C
OES
10
–1
7
5
3
2
C
水库
10
1
7
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
V
GE
= 0V
10
–2 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2009年2月
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
3
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
半桥
切换时间特性
(典型值)
t
f
t
D(关闭)
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
7
5
T
j
= 125°C
开关时间(纳秒)
3
2
5
3
2
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
t
rr
10
1
7
5
3
2
t
r
t
D(上)
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
I
rr
10
1
7
10
0
10
1 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
0
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.4K / W
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.9K / W
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
栅极电荷特性
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
15
5
0
0
50
100
150
200
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
4
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
10
3
10
2
- 的di / dt = 150A / μs的
7
7
T
j
= 25°C
CM75DU-12H
Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
双IGBTMOD
U系列模块
75安培/ 600伏
T
C
E
F
G
E2
A
B
H
J
D
C
G1 E1
G2 G2
U
C1
3 - M5螺母
O
P
O
Q
CM
C2E1
K
2 - 安装
( 6.5直径)。
V
L
M
N
0.110 - 0.5标签
P
S
R
T
E2
G2
描述:
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个转录桥配置
体管具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座,提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点:
低驱动电源
低V
CE ( SAT )
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
激光电源
订货信息:
例如:选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM75DU - 12H是一个
600V (V
CES
) , 75安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
75
V
CES
伏( ×50 )
12
C2E1
E2
C1
E1
G1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
英寸
3.7
3.15±0.01
1.89
0.94
0.28
0.67
0.91
0.91
0.43
0.71
0.16
MILLIMETERS
94.0
80.0±0.25
48.0
24.0
7.0
17.0
23.0
23.0
11.0
18.0
4.0
尺寸
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.47
0.53
0.1
0.63
0.98
MILLIMETERS
12.0
13.5
2.5
16.0
25.0
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
0.3
0.83
0.16
0.51
7.5
21.2
4.0
13.0
17
Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75DU-12H
双IGBTMOD U系列模块
75安培/ 600伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压(G -E SHORT )
栅极 - 发射极电压(C -E SHORT )
集电极电流(T
c
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** (T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散(T
c
= 25 ° C,T
j
150°C)
安装扭矩, M5主要终端
安装扭矩, M6安装
重量
隔离电压(主候机楼至底座, AC 1分钟)
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
CM75DU-12H
-40至150
-40至125
600
±20
75
150*
75
150*
310
31
40
310
2500
单位
°C
°C
安培
安培
安培
安培
在磅
在磅
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
静态电气特性,T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V
分钟。
4.5
典型值。
6
2.4
2.6
150
马克斯。
1
0.5
7.5
3.0
2.6
单位
mA
A
nC
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
动态电气特性,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 8.3 ,电阻
负载开关操作
I
E
= 75A ,二
E
/ DT = -150A / μs的
I
E
= 75A ,二
E
/ DT = -150A / μs的
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
典型值。
0.18
马克斯。
6.6
3.6
1
100
250
200
300
160
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
热性能和机械性能,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
接触热阻
符号
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
D
R
TH( C-F )
测试条件
每个IGBT模块1/2
每FWDI 1/2模块
每个模块,散热膏的应用
分钟。
典型值。
0.035
马克斯。
0.4
0.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
18
Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75DU-12H
双IGBTMOD U系列模块
75安培/ 600伏
输出特性
(典型值)
传输特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
150
集电极电流,I
C
(安培)
125
100
75
50
25
0
0
V
GE
=
20V
12
125
100
75
50
25
0
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏
)
T
j
= 25
o
C
集电极电流,I
C
(安培)
14
15
150
13
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
4
3
2
1
11
10
9
8
0
0
4
8
12
16
20
0
40
80
120
160
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
集电极电流,I
C
(安培)
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
续流二极管
正向特性
(典型值)
电容与V
CE
(典型值)
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) , (伏)
10
3
T
j
= 25°C
10
2
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
8
6
4
2
I
C
= 30A
I
C
= 75A
I
C
= 150A
发射极电流,I
E
(安培)
10
1
C
IES
10
2
10
0
C
OES
C
水库
10
1
10
-1
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
10
0
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
(伏)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
半桥
开关特性
(典型值)
反向恢复特性
(典型值)
的di / dt = -150A /微秒
T
j
= 25°C
反向恢复电流,I
rr
(安培)
栅极电荷V
GE
10
3
反向恢复时间,T
rr
(纳秒)
10
3
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
t
D(关闭)
10
2
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
切换时间(纳秒)
15
t
f
10
2
10
2
t
rr
10
1
10
t
D(上)
I
rr
5
10
1
10
0
t
r
10
1
集电极电流,I
C
(安培)
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
发射极电流,I
E
(安培)
0
0
50
100
150
200
栅极电荷,Q
G
( NC )
19
Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM75DU-12H
双IGBTMOD U系列模块
75安培/ 600伏
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
瞬态热
阻抗特性
(IGBT)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI )
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.4C / W
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.9 ° C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-3
10
-4
10
-3
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-3
10
-4
10
-3
20
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
T
C
E
F
G
E2
A
B
H
J
D
C
G1 E1
G2 G2
U
C1
3 - M5螺母
O
P
O
Q
CM
C2E1
K
2 - 安装
( 6.5直径)。
V
L
M
N
TAB 110# T = 0.5
P
S
R
T
E2
G2
描述:
三菱IGBT模块是否变形
在切换应用程序签名的使用
系统蒸发散。每个模块由两个
在半桥结构的IGBT
与具有重新每个晶体管
诗连接速度超快恢
红霉素续流二极管。所有康波
堂费和互连的异
从散热基地 - 迟来
板,提供简化的系统
装配和热管理
换货。
产品特点:
低驱动电源
低V
CE ( SAT )
离散超快速恢复
续流二极管
高频率运行
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
订货信息:
例如:选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM75DU - 12H是一个
600V (V
CES
) , 75安培双
IGBT模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
75
V
CES
伏( ×50 )
12
C2E1
E2
C1
E1
G1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
英寸
3.7
3.15±0.01
1.89
0.94
0.28
0.67
0.91
0.91
0.43
0.71
0.16
MILLIMETERS
94.0
80.0±0.25
48.0
24.0
7.0
17.0
23.0
23.0
11.0
18.0
4.0
尺寸
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.47
0.53
0.1
0.63
0.98
MILLIMETERS
12.0
13.5
2.5
16.0
25.0
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
0.3
0.83
0.16
0.51
7.5
21.2
4.0
13.0
Sep.1998
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
绝对最大额定值,T
j
= 25
°
C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压(G -E SHORT )
栅极 - 发射极电压(C -E SHORT )
集电极电流(T
c
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** (T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散(T
c
= 25 ° C,T
j
150°C)
安装扭矩, M5主要终端
安装扭矩, M6安装
重量
隔离电压(主候机楼至底座, AC 1分钟)
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
CM75DU-12H
-40至150
-40至125
600
±20
75
150*
75
150*
310
2.5~3.5
3.5~4.5
310
2500
单位
°C
°C
安培
安培
安培
安培
N·m的
N·m的
VRMS
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
静态电气特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 7.5毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 75A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A ,V
GE
= 15V
I
E
= 75A ,V
GE
= 0V
分钟。
4.5
典型值。
6
2.4
2.6
150
马克斯。
1
0.5
7.5
3.0
2.6
单位
mA
A
nC
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
动态电气特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 8.3Ω ,电阻
负载开关操作
I
E
= 75A ,二
E
/ DT = -150A / μs的
I
E
= 75A ,二
E
/ DT = -150A / μs的
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
典型值。
0.18
马克斯。
6.6
3.6
1
100
250
200
300
160
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
热和机械特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
接触热阻
符号
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
D
R
TH( C-F )
测试条件
每个IGBT模块1/2
每FWDI 1/2模块
每个模块,散热膏的应用
分钟。
典型值。
0.035
马克斯。
0.4
0.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Sep.1998
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
输出特性
(典型值)
传输特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
150
集电极电流,I
C
(安培)
125
100
75
50
25
0
0
V
GE
=
20V
12
125
100
75
50
25
0
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏
)
T
j
= 25
o
C
集电极电流,I
C
(安培)
14
15
150
13
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
4
3
2
1
11
10
9
8
0
0
4
8
12
16
20
0
40
80
120
160
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
集电极电流,I
C
(安培)
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
续流二极管
正向特性
(典型值)
电容与V
CE
(典型值)
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) , (伏)
10
3
T
j
= 25°C
10
2
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
V
GE
= 0V
8
6
4
2
I
C
= 30A
I
C
= 75A
I
C
= 150A
发射极电流,I
E
(安培)
10
1
C
IES
10
2
10
0
C
OES
C
水库
10
1
10
-1
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
10
0
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
(伏)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
半桥
开关特性
(典型值)
反向恢复特性
(典型值)
的di / dt = -150A /微秒
T
j
= 25°C
反向恢复电流,I
rr
(安培)
栅极电荷V
GE
10
3
反向恢复时间,T
rr
(纳秒)
10
3
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
t
D(关闭)
10
2
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
切换时间(纳秒)
15
t
f
10
2
10
2
t
rr
10
1
10
t
D(上)
I
rr
5
10
1
10
0
t
r
10
1
集电极电流,I
C
(安培)
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
发射极电流,I
E
(安培)
0
0
50
100
150
200
栅极电荷,Q
G
( NC )
Sep.1998
三菱IGBT模块
CM75DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
归一化瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
Z
th
= R
th
(标准值)
瞬态热
阻抗特性
(IGBT)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI )
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.4C / W
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.9 ° C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-4
10
-3
10
-3
10
-3
10
-5
TIME , (S )
10
-4
10
-3
10
-3
Sep.1998
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CM75DU-12H
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
CM75DU-12H
MITSUBISHI
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355640692 复制
电话:755-83258123
联系人:赵先生
地址:深圳市福田区振中路新亚洲电子商城2期N4A073
CM75DU-12H
MITSUBISH
1602+
97
M0DULE
进口原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
CM75DU-12H
MITSUBISHI/三菱
21+
1288
原装
原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
CM75DU-12H
三菱Mitsubushi
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
CM75DU-12H
MITSUBISH
1602+
235
M0DULE
绝对全新原装/自己库存现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1637756666 复制
电话:+021-51099758
联系人:蔡经理
地址:上海市嘉定区新成路500号J
CM75DU-12H
三菱
21+
200
标准封装
全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
CM75DU-12H
MITSUBISHI/三菱
2024
286
MOUDLE
上海原装现货,专营模块
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
CM75DU-12H
三菱Mitsubushi
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
CM75DU-12H
MITSUBISHI
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:877457095 复制 点击这里给我发消息 QQ:551130546 复制
电话:0755-82539336
联系人:陈
地址:深圳市福田区华强电子世界一店1号楼3楼13C156房间(老华强1号楼21号门的12-13号货梯旁)。
CM75DU-12H
MITSUBISHI/三菱
24+
300
MODULE
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