三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
CM75DU-12F
I
C .....................................................................
75A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点
94
7
17
80
±0.25
23
23
2–φ6.5
安装孔
4
E2 G2
24
C2E1
E2
C1
18
G1E1
4 11
48
24
27
24
12
3–M5NUTS
12毫米深
16 2.5
25
2.5 16
13.5
E2 G2
E2
RTC
TAB ＃ 110 。 T = 0.5
7.5
C2E1
4
13
30
–0.5
+1
21.2
LABEL
电路图
二月
2009
G1 E1
CM
RTC
C1
三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
75
150
75
150
290
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
带电部分底板中，f = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M5螺丝
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3Ω ，电感性负载
I
E
= 75A
I
E
= 75A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.3
范围
典型值。
—
6
—
1.6
1.6
—
—
—
465
—
—
—
—
—
1.4
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
7
20
2.2
—
20
1.4
0.75
—
100
80
300
250
150
—
2.6
0.43
0.9
—
0.34
*3
83
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
K / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
*
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在外形图。
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
二月
2009
2
三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
IGBT部分：
5
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.43K / W
3
FWDI部分：
2
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.90K / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
10
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1
7
5
3
2
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 25°C
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–2
10
0 0
10
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间（s）
发射极电流I
E
(A)
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
100 200 300 400 500 600 700
栅极电荷q
G
（ NC ）
二月
2009
4
CM75DU-12F
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
沟槽栅设计
双IGBTMOD
75安培/ 600伏
N
P - 螺母（ 3处）
TC量具
点
A
D
Q（ 2处）
E
E2G2
CM
C2E1
E2
C1
F
G
B
H
G1E1
F
M
K
K
J
R
C
L
G2
E2
RTC
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个转录桥配置
体管具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
UPS
□
电池供电耗材
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM75DU - 12F是
600V (V
CES
） ， 75安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
75
V
CES
伏（ ×50 ）
12
C2E1
E2
C1
RTC
E1
G1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
英寸
3.70
1.89
MILLIMETERS
94.0
48.0
尺寸
J
K
L
M
N
P
Q
R
英寸
0.53
0.91
1.13
0.67
0.28
M6.5
0.26直径。
0.16
MILLIMETERS
13.5
23.0
28.7
17.0
7.0
M6.5
6.5直径。
4.0
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
3.15±0.01
0.43
0.16
0.71
0.02
80.0±0.25
11.0
4.0
18.0
0.5
1
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM75DU-12F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
75安培/ 600伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
c
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** （T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
c
= 25 ° C，T
j
≤
150°C)
安装扭矩， M5主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM75DU-12F
-40至150
-40至125
600
±20
75
150*
75
150*
290
31
40
310
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 7.5毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A ，V
GE
= 15V
I
E
= 75A ，V
GE
= 0V
分钟。
–
–
5
–
–
–
–
典型值。
–
–
6
1.6
1.6
465
–
马克斯。
1
20
7
2.2
–
–
2.6
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM75DU-12F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
75安培/ 600伏
动态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 8.3 ,
感性负载
切换操作
I
E
= 75A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
1.4
马克斯。
20
1.4
0.75
100
80
300
250
150
–
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -C ）
'Q
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT模块的1/2 ，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每FWDI 1/2模块，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每个IGBT模块的1/2 ，
T
c
芯片的正下方参考点
接触热阻
每个模块，散热膏的应用
–
0.055
–
° C / W
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
分钟。
–
典型值。
马克斯。
0.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
–
–
0.9
–
0.29
3
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM75DU-12F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
75安培/ 600伏
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
150
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
120
90
V
GE
= 20V
9
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25
o
C
11
15
10 9.5
3
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
T
j
= 25°C
4
3
I
C
= 150A
2
60
30
8
7.5
8.5
2
1
1
I
C
= 75A
I
C
= 30A
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
0
30
60
90
120
150
集电极电流，I
C
（安培）
0
0
6
8
10 12 14
16
18 20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
10
3
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 125°C
感性负载
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
10
2
10
1
切换时间（纳秒）
C
IES
10
2
10
1
10
0
C
OES
V
GE
= 0V
C
水库
10
1
t
r
10
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
0
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
2
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
2
t
rr
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
C
= 75A
16
12
8
4
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
0
I
rr
每单位基础
R
日（J -C ）
= 0.43 ℃/ W（ IGBT ）
R
日（J -C ）
= 0.9 ℃/ W（ FWDI ）
单脉冲
T
C
= 25°C
10
1
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 25°C
感性负载
10
1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
0
10
0
10
0
10
1
10
2
0
0
200
400
600
800
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
发射极电流，I
E
（安培）
4
三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
CM75DU-12F
I
C .....................................................................
75A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点
94
7
17
80
±0.25
23
23
2–φ6.5
安装孔
4
E2 G2
24
C2E1
E2
C1
18
G1E1
4 11
48
24
27
24
12
3–M5NUTS
12毫米深
16 2.5
25
2.5 16
13.5
E2 G2
E2
RTC
TAB ＃ 110 。 T = 0.5
7.5
C2E1
4
13
30
–0.5
+1
21.2
LABEL
电路图
Sep.2000
G1 E1
CM
RTC
C1
三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
75
150
75
150
290
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
充电部向底板，AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 7.5毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
CES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 75A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 8.3Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 75A
I
E
= 75A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.3
范围
典型值。
—
6
—
1.6
1.6
—
—
—
465
—
—
—
—
—
1.4
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
7
20
2.2
—
20
1.4
0.75
—
100
80
300
250
150
—
2.6
0.43
0.9
—
0.34
*3
83
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
，模/ DT代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
*
1 ：TC测量点显示在外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
Sep.2000
三菱IGBT模块
CM75DU-12F
高功率开关使用
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
（ ° C / W）
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
IGBT部分：
5
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.43 ° C / W
3
FWDI部分：
2
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.9 ° C / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
10
2
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1
7
5
3
2
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 8.3
T
j
= 25°C
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–2
10
0 0
10
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
TMIE （S ）
发射极电流I
E
(A)
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
C
= 75A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
100 200 300 400 500 600 700
栅极电荷q
G
（ NC ）
Sep.2000
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