三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
CM600DU-24NF
I
C ...................................................................
600A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
140
130
110
±0.25
36
43.8
10
13.8 11.5
14.5 20.4 10
(15)
9
G2
(26)
(26)
(26)
E2
TC测量点
（底板）
110
±0.25
LABEL
130
C2E
20
PPS
E1
3 -M8螺母
65
4 -M4螺母
G1
14.5
40
C1
E2
(15)
TC测量点
（底板）
4 φ6.5MOUNTING孔
E2 G2
24.5
+1.0
–0.5
35
+1.0
–0.5
C2E1
E2
C1
G1 E1
8
电路图
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 111°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
600
1200
600
1200
2080
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
8.8 ~ 10.8
3.5 ~ 4.5
1.3 ~ 1.7
1200
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M8
安装孔M6
G（ E）端子M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 60毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 600A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 600A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 600A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.0Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 600A
I
E
= 600A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
范围
典型值。
—
7
—
1.95
2.15
—
—
—
4000
—
—
—
—
—
28
—
—
—
0.019
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.65
—
140
12
2.7
—
800
180
900
350
300
—
3.35
0.06
0.11
—
0.023
*3
10
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
*
1 ：TC测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：TC '测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
7
5
3
2
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
7
5
3
2
I
rr
t
rr
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
IGBT部分：
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日（J -C ）
= 0.06 ° C / W
FWDI部分：
3
每单位基础=
2
R
日（J -C ）
= 0.11 ° C / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
TMIE （S ）
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 600A
16
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
12
8
4
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
栅极电荷q
G
（ NC ）
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
CM600DU-24NF
I
C ...................................................................
600A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
140
130
110
±0.25
36
43.8
10
13.8 11.5
14.5 20.4 10
(15)
9
G2
(26)
(26)
(26)
E2
TC测量点
（底板）
110
±0.25
LABEL
130
C2E
20
PPS
E1
3 -M8螺母
65
4 -M4螺母
G1
14.5
40
C1
E2
(15)
TC测量点
（底板）
4 φ6.5MOUNTING孔
E2 G2
24.5
+1.0
–0.5
35
+1.0
–0.5
C2E1
E2
C1
G1 E1
8
电路图
二月
2009
1
三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 111°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
600
1200
600
1200
2080
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
8.8 ~ 10.8
3.5 ~ 4.5
1.3 ~ 1.7
1200
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M8螺丝
M6安装螺钉
G（ E）端子M4螺钉
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 60毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 600A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 600A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 600A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.0Ω ，感性负载
I
E
= 600A
I
E
= 600A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
范围
典型值。
—
7
—
1.95
2.15
—
—
—
4000
—
—
—
—
—
28
—
—
—
0.019
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.65
—
140
12
2.7
—
800
180
900
350
300
—
3.35
0.06
0.11
—
0.023
*3
10
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
K / W
*
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：外壳温度（Tc ' ）测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
二月
2009
2
三菱IGBT模块
CM600DU-24NF
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
7
5
3
2
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
7
5
3
2
I
rr
t
rr
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
IGBT部分：
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日（J -C ）
= 0.06K / W
FWDI部分：
3
每单位基础=
2
R
日（J -C ）
= 0.11K / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间（s）
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 600A
16
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
12
8
4
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
栅极电荷q
G
（ NC ）
二月
2009
4
QQ：2881677436 复制
