CM50TF-28H
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
六个IGBT IGBTMOD
H系列模块
50安培/ 1400伏
X
- M4 THD
（ 7 TYP 。 ）
B
u
P·E
u
P
A
C
Q X
S
Q X
N
B
v
P·E
v
P
B
w
P·E
w
P
P
B
u
否E
u
N
P
B
v
否E
v
N
B
w
否E
w
N
P
G
B
E
D
G
U
V
W
N
R
K
J
N
U
T
N
W
AA
L
M
M
AA
L
DIA 。 （ 4 TYP 。 ）
0.110 TAB
V
F
H
AB
P
BUP
P
EUP
BVP
EVP
BWP
EWP
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
六个IGBT晶体管中的三
三相桥式结构中，与
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连被隔离
从散热基板，
提供简化的系统assem-
布莱和热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
（ 135ns ），续流二极管
□
高频率运行
(20-25kHz)
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
运动/伺服控制
□
UPS
□
焊接电源
□
激光电源
订货信息：
例如：选择完整的零件
你想要的模块数量
下面-i.e.表CM50TF - 28H
是1400V （V
CES
） ， 50安培
六个IGBT IGBTMOD 电源
模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
50
V
CES
伏（ ×50 ）
28
包子
EUN
u
N
BVN
EVN
v
BWN
EWN
w
N
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
4.02±0.02
3.58±0.02
3.150±0.01
2.913±0.01
1.69
MILLIMETERS
102.0±0.5
91.0±0.5
80.0±0.25
74.0±0.25
43.0
尺寸
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
英寸
0.65
0.55
0.47
0.43
0.39
0.33
0.32
0.24拉德。
0.24
0.22直径。
M4公制
0.08
0.28
MILLIMETERS
16.5
14.0
12.0
11.0
10.0
8.5
8.1
弧度。 6
6.0
直径。 5.5
M4
2.0
7.0
1.18 +0.06/-0.02 30 +1.5/-0.5
1.18
1.16
1.06
0.96
0.87
0.79
0.67
30.0
29.5
27.0
24.5
22.0
20.0
17.0
347
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM50TF-28H
六个IGBT IGBTMOD H系列模块
50安培/ 1400伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（ G- E- SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E - SHORT ）
集电极电流
峰值集电极电流
二极管的正向电流
二极管正向脉冲电流
功耗
马克斯。安装扭矩M4端子螺丝
马克斯。安装扭矩M5安装螺丝
模块重量（典型）
V绝缘
*脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温不超过该装置的评价。
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
EC
I
ECM
P
d
–
–
–
V
RMS
CM50TF-28H
-40至150
-40至125
1400
±20
50
100*
50
100*
400
13
17
540
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
FM
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 5毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
总栅极电荷
二极管的正向电压
V
CC
= 800V ，我
C
= 50A ，V
GS
= 15V
I
E
= 50A ，V
GS
= 0V
分钟。
–
–
5.0
–
–
–
–
典型值。
–
–
6.5
3.1
2.95
255
–
马克斯。
1.0
0.5
8.0
4.2**
–
–
3.8
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
**脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
动态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
E
= 50A ，二
E
/ DT = -100A / μs的
I
E
= 50A ，二
E
/ DT = -100A / μs的
V
CC
= 800V ，我
C
= 50A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V ，R
G
= 6.3
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
0.5
马克斯。
10
3.5
2
100
250
150
500
300
–
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT
每FWDI
每个模块，散热膏的应用
分钟。
–
–
–
典型值。
–
–
–
马克斯。
0.31
0.70
0.033
单位
° C / W
° C / W
° C / W
348
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM50TF-28H
六个IGBT IGBTMOD H系列模块
50安培/ 1400伏
输出特性
（典型值）
传输特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
100
集电极电流，I
C
（安培）
集电极电流，I
C
（安培）
100
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
5
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25 C
o
15
13
12
80
V
GE
= 20V
11
80
4
60
60
3
40
10
40
2
20
7
9
8
20
1
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
0
0
20
40
60
80
100
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
10
2
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
10
2
8
I
C
= 100A
10
1
C
IES
6
I
C
= 50A
10
1
10
0
C
OES
4
10
-1
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
C
水库
2
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
10
4
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
I
rr
10
1
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
C
= 50A
10
3
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
t
f
16
V
CC
= 600V
V
CC
= 800V
t
rr
12
10
2
t
D（上）
10
2
10
0
8
10
1
t
r
V
CC
= 800V
V
GE
= ±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
的di / dt = -100A /微秒
T
j
= 25°C
4
10
0
10
0
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
1
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
0
0
100
200
300
400
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
349
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM50TF-28H
六个IGBT IGBTMOD H系列模块
50安培/ 1400伏
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.31 ° C / W
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
10
-3
10
1
瞬态热
阻抗特性
（IGBT）
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
1
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI ）
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.7C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
350
三菱IGBT模块
CM50TF-28H
中功率切换使用
绝缘型
X
- M4 THD
（ 7 TYP 。 ）
G
u
P·E
u
P
A
C
Q X
S
Q X
N
G
v
P·E
v
P
G
w
P·E
w
P
P
G
u
否E
u
N
P
G
v
否E
v
N
G
w
否E
w
N
P
G
B
E
D
G
U
V
W
N
R
K
J
N
U
T
N
AA
L
TAB ＃ 110 ，T = 0.5
M
M
AA
L
DIA 。 （ 4 TYP 。 ）
V
F
H
AB
P
GUP
P
EUP
GVP
EVP
GWP
EWP
描述：
三菱IGBT模块是否变形
在切换应用程序签名的使用
阳离子。每个模块包括
在一个三相桥式六个IGBT
构，每个晶体管
具有反向连接的超
快恢复续流二极管。所有
组件和互连产品
从散热隔离
底板，提供简化的系
TEM装配和热MAN-
理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
高频率运行
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
订货信息：
例如：选择完整的零件
你想要的模块数量
下面-i.e.表CM50TF - 28H
是1400V （V
CES
） ， 50安培
六个IGBT模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
50
V
CES
伏（ ×50 ）
28
枪
EUN
U
N
GVN
EVN
V
周报
EWN
W
N
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
4.02±0.02
3.58±0.02
3.150±0.01
2.913±0.01
1.69
MILLIMETERS
102.0±0.5
91.0±0.5
80.0±0.25
74.0±0.25
43.0
尺寸
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
AA
AB
英寸
0.65
0.55
0.47
0.43
0.39
0.33
0.32
0.24
0.22直径。
M4公制
0.08
0.28
MILLIMETERS
16.5
14.0
12.0
11.0
10.0
8.5
8.1
6.0
直径。 5.5
M4
2.0
7.0
1.18 +0.06/-0.02 30 +1.5/-0.5
1.18
1.16
1.06
0.96
0.87
0.79
0.67
30.0
29.5
27.0
24.5
22.0
20.0
17.0
Sep.1998
三菱IGBT模块
CM50TF-28H
中功率切换使用
绝缘型
绝对最大额定值，T
j
= 25
°
C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（ G- E- SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E - SHORT ）
集电极电流（T
C
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** （T
C
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
C
= 25 ° C，T
j
≤
150°C)
安装扭矩， M4主要终端
安装扭矩， M5安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM50TF-28H
-40至150
-40至125
1400
±20
50
100*
50
100*
400
0.98 ~ 1.47
1.47 ~ 1.96
540
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
N·m的
N·m的
克
VRMS
静态电气特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 5毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
V
CC
= 800V ，我
C
= 50A ，V
GE
= 15V
I
E
= 50A ，V
GE
= 0V
分钟。
–
–
5.0
–
–
–
–
典型值。
–
–
6.5
3.1
2.95
255
–
马克斯。
1.0
0.5
8.0
4.2**
–
–
3.8
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
**脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
动态电气特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
E
= 50A ，二
E
/ DT = -100A / μs的
I
E
= 50A ，二
E
/ DT = -100A / μs的
V
CC
= 800V ，我
C
= 50A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V ，R
G
= 6.3
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
0.5
马克斯。
10
3.5
2
100
250
150
500
300
–
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热和机械特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT
每FWDI
每个模块，散热膏的应用
分钟。
–
–
–
典型值。
–
–
–
马克斯。
0.31
0.70
0.033
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Sep.1998
QQ：2881677436 复制
