CM450DX-24S
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
双IGBT
NX系列模块
450安培/ 1200伏
J
L
Q
ST
R
S T
Q
U
48
A
D
E
F
G
H
AR
AS
AN
J
AQ
详细信息"A"
Y
（4处）
AP
S
AE
AF
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
K
U
47
24
Z
23
AA B
AB
详细信息"B"
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AG
AY
AC （4处）
AL
AM
C
AW
AJ
AH
AT
AU
W
V
X
M
AD
K
N
K
P
AV
AK
详细信息"A"
C2E1 （ 24 ） C2E1 （ 23 ）
Cs1(22)
Tr2
G2(38)
Es2(39)
E2
(47)
C1
(48)
Di2
Di1
Tr1
Es1(16)
G1(15)
TH1
(1)
Th
NTC
TH2
(2)
宽容另有说明（毫米）
尺寸公差科
0.5-3
±0.2
过度
3至6
±0.3
过度
630个
±0.5
在30至120
±0.8
在120 400
±1.2
尺寸之间的公差
终端被假设为± 0.4
AX
详细信息"B"
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
05/13修订版5
描述：
POWEREX IGBT模块是
在开关设计用于
应用程序。每个模块
由两个IGBT晶体管
在同一个半桥式配置
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
太阳能/燃料电池
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
下面-i.e.表
CM450DX - 24S是1200V （V
CES
),
450安培双IGBT功率
模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
450
V
CES
伏（ ×50 ）
24
英寸
5.98
2.44
0.67+0.04/-0.02
5.39
4.79
4.33±0.02
3.89
3.72
0.53
0.15
1.64
0.30
1.95
0.9
0.55
0.87
0.67
0.48
0.24
0.16
0.37
0.83
M6
1.53
MILLIMETERS
152.0
62.0
17.0+1.0/-0.5
137.0
121.7
110.0±0.5
99.0
94.5
13.5
3.81
41.66
7.75
49.53
22.86
14.0
22.0
17.0
12.0
6.0
4.2
6.5
21.14
M6
39.0
尺寸
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
AM
AN
AP
AQ
AR
AS
AT
AU
AV
AW
AX
AY
英寸
1.97±0.02
2.26
0.22直径。
0.6
0.51
0.27
0.03
0.81
0.12
0.14
0.26
0.53
0.15
0.05
0.025
0.29
0.05
0.17直径。
0.102直径。
0.088直径。
0.12
0.49
0.14
MILLIMETERS
50.0±0.5
57.5
5.5直径。
15.0
13.0
7.0
0.8
20.5
3.0
3.5
6.5
13.5
3.81
1.15
0.65
7.4
1.2
4.3直径。
2.6直径。
2.25直径。
3.0
12.5
3.75
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
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CM450DX-24S
双IGBT NX系列模块
450安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
逆变部分的IGBT / FWDI
特征
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0V)
栅极 - 发射极电压（V
CE
= 0V)
集电极电流（ DC ，T
C
= 119°C)
*2,*4
集电极电流（脉冲）
*3
总功率耗散（T
C
= 25°C)
*2,*4
发射极电流（T
C
= 25°C)
*2
发射极电流（脉冲）
*3
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
I
E
*1
I
企业风险管理
*1
等级
1200
±20
450
900
3405
450
900
单位
伏
伏
安培
安培
瓦
安培
安培
模块
特征
隔离电压（码头至底座， RMS中，f = 60Hz的， AC 1分钟）
最高结温，瞬时事件（过载）
最大外壳温度
*4
工作结点温度，连续运转（交换）
储存温度
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流
二极管（ FWDI ） 。
* 2结温（T
j
）不应该增加超过最大结
温度（T
J（下最大）
）的评级。
* 3脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
)
不超过
J（下最大）
投资评级。
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
符号
V
ISO
T
J（下最大）
T
C（最大值）
T
J（下操作）
T
英镑
等级
2500
175
125
-40到+150
-40到+125
0
单位
伏
°C
°C
°C
°C
29.2
43.4
27.7
43.0
51.5
47
24
TR2迪2 Tr2的
48
迪2 Tr2的
Tr1
Di1
Di2
Tr1
23
26.3
42.4
27.8
43.9
DI1 Tr1的Di1中
Th
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
标签的一面
0
22.5
35.6
48.8
73.0
86.1
23.3
99.2
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
2
05/13修订版5
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CM450DX-24S
双IGBT NX系列模块
450安培/ 1200伏
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
逆变部分的IGBT / FWDI
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
发射极 - 集电极电压
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
EC
*1
（终奌站）
发射极 - 集电极电压
V
EC
*1
（片）
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部引线电阻
内部栅极电阻
t
rr
*1
Q
rr
*1
E
on
E
关闭
E
rr
*1
R
CC' + EE '
r
g
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*5
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*5
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*5
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*5
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*5
I
E
= 450A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*5
V
CC
= 600V ，我
E
= 450A ，V
GE
=
±15V
R
G
= 0Ω ，感性负载
V
CC
= 600V ，我
C
= I
E
= 450A ，V
GE
=
±15V
R
G
= 0, T
j
= 150°C
感性负载
主要终端芯片，
每个开关，T
C
= 25°C
*4
每个交换机
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 45毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*5
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 450A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*5
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 450A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 450A ，V
GE
=
±15V,
R
G
= 0Ω ，感性负载
分钟。
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
6.0
1.80
2.00
2.05
1.70
1.90
1.95
—
—
—
1050
—
—
—
—
1.80
1.80
1.80
1.70
1.70
1.70
—
24
54.9
48.0
32.4
—
4.3
马克斯。
1.0
0.5
6.6
2.25
—
—
2.15
—
—
45
9.0
0.75
—
800
200
600
300
2.25
—
—
2.15
—
—
300
—
—
—
—
0.7
—
0
单位
mA
A
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
伏
伏
伏
伏
伏
伏
ns
C
mJ
mJ
mJ
m
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流
二极管（ FWDI ） 。
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
29.2
43.4
27.7
43.0
51.5
47
24
TR2迪2 Tr2的
48
迪2 Tr2的
Tr1
Di1
Di2
Tr1
23
26.3
42.4
27.8
43.9
DI1 Tr1的Di1中
Th
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
标签的一面
0
22.5
35.6
48.8
73.0
86.1
23.3
99.2
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
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3
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双IGBT NX系列模块
450安培/ 1200伏
电气特性，
T
j
= 25°C除非另有说明（续）
NTC热敏电阻的一部分
特征
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
符号
R
25
R/R
B
(25/50)
P
25
测试条件
T
C
= 25°C
*4
T
C
= 100°C
*4
, R
100
= 493
通过近似公式
*6
T
C
= 25°C
*4
分钟。
4.85
-7.3
—
—
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
k
%
K
mW
热阻特性
热阻，结到外壳
*4
热阻，结到外壳
*4
接触热阻，
案件散热器
*4
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
IGBT的一部分
FWDI部分
导热硅脂的应用，
每1模块
*7
—
—
—
—
—
15
44
78
—
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
安装力矩
安装力矩
爬电距离
净空
重量
底板的平整度
M
t
M
s
d
s
d
a
m
e
c
在中线X，Y
*8
主端子，螺钉M6
安装到散热器， M5螺丝
终端到终端
终端底座
终端到终端
终端底座
31
22
11.55
12.32
10.00
10.85
—
±0
35
27
—
—
—
—
350
—
40
31
—
—
—
—
—
±100
在磅
在磅
mm
mm
mm
mm
克
m
推荐工作Conditons ，
T
a
= 25°C
直流电源电压
门极驱动电压
外部栅极电阻
V
CC
V
GE （上）
R
G
整个P -N端应用
跨应用
G * P-居* P / G * N -居* N端子
每个交换机
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
—
13.5
0
600
15.0
—
0
850
16.5
10
伏
伏
22.5
35.6
48.8
73.0
86.1
散热器侧面
- ：凹
+ ：凸
Y
X
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
- ：凹
+ ：凸
散热器侧面
4
23.3
99.2
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
R
25
1
1
*6 B
(25/50)
=在（
)/(
–
)
R
50
T
25
T
50
R
25
;阻力位在绝对温T
25
[K] ;牛逼
25
= 25 [℃] + 273.15 = 298.15 [K]的
R
50
;阻力位在绝对温T
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] + 273.15 = 323.15 [K]的
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米
K)].
* 8底板（安装侧）的平坦度的测量点（x，y ）示于下图。
29.2
43.4
27.7
43.0
51.5
47
24
TR2迪2 Tr2的
48
迪2 Tr2的
Tr1
Di1
Di2
Tr1
23
26.3
42.4
27.8
43.9
DI1 Tr1的Di1中
Th
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
标签的一面
0
05/13修订版5
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
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双IGBT NX系列模块
450安培/ 1200伏
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
900
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
V
GE
=
20V
15
13.5
T
j
= 25°C
12
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
11
10
9
2
4
6
8
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
8
6
4
I
C
= 180A
I
C
= 900A
I
C
= 450A
10
2
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
2
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
05/13修订版5
5
< IGBT模块>
CM450DX-24S
高功率开关使用
绝缘型
集电极电流I
C
.............….......................…
最高结温T
J·M一个X
..............
“平
基本类型
②Copper
底板（非电镀）
●田
电镀引脚端子
· RoHS指令
指令兼容
双（半桥）
450
A
1 7 5
°C
集电极 - 发射极电压V
CES
......................…
1 2 0 0
V
UL
UL1557认可下，文件E323585
应用
交流电机控制，运动/伺服控制，电源等
外形绘图&内部连接
尺寸以毫米
终奌站
A节
宽容另有规定
维司
0.5
过度
过度
3
6
to
to
to
3
6
30
公差
±0.2
±0.3
±0.5
±0.8
±1.2
C1
(48)
E2
(47)
内部连接
Es2
(39)
G2
(38)
Tr2
Di2
Di1
Th
Tr1
NTC
C2E1
(24)
C2E1
(23)
30
超过120个
120
400
尺寸之间的公差
终端被假设为±0.4 。
t=0.8
TH1 TH2
(1) (2)
G1
(15)
ES1 CS1
(16) (22)
出版日期： August.2011
1
< IGBT模块>
CM450DX-24S
高功率开关使用
绝缘型
绝对最大额定值（T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
逆变部分的IGBT / FWDI
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
I
E
I
企业风险管理
(Note.1)
(Note.1)
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
总功耗
发射极电流
G- ê短路
C- ê短路
DC ，T
C
=119 °C
脉冲，重复
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
（注2 ，4）
（注2 ，4）
条件
等级
1200
± 20
450
900
3405
450
单位
V
V
A
W
A
（注2 ，4）
(Note.3)
脉冲，重复
项
(Note.3)
900
等级
175
125
-40 ~ +150
-40 ~ +125
2500
模块
符号
T
JMAX
T
CMAX
T
JOP
T
英镑
V
ISOL
条件
-
(Note.2)
单位
°C
°C
V
最高结温
最大外壳温度
工作结温
储存温度
隔离电压
-
-
终端底板， RMS ， F = 60Hz时， AC 1分钟
电气特性（T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
逆变部分的IGBT / FWDI
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
项
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
CE
=V
CES
，G -E短路
V
GE
=V
GES
，C -E短路
I
C
= 45 mA时， V
CE
=10 V
I
C
=450 A
V
GE
=15 V,
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
（终奌站）
I
C
=450 A
V
GE
=15 V,
（片）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
CC
= 600 V，I
C
= 450 A，V
GE
=15 V
V
CC
= 600 V，I
C
= 450 A，V
GE
=±15 V,
R
G
=0
,
感性负载
I
E
=450 A
（终奌站）
I
E
=450 A
（片）
t
rr
Q
rr
E
on
E
关闭
E
rr
(Note.1)
(Note.1)
(Note.1)
(Note.5)
(Note.5)
(Note.5)
(Note.5)
范围
分钟。
-
-
5.4
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
T
j
=150 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
T
j
=150 °C
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
T
j
=150 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
6.0
1.80
2.00
2.05
1.70
1.90
1.95
-
-
-
1050
-
-
-
-
1.80
1.80
1.80
1.70
1.70
1.70
-
24
54.9
48.0
32.4
-
4.3
马克斯。
1.0
0.5
6.6
2.25
-
-
2.15
-
-
45
9.0
0.75
-
800
200
600
300
2.25
-
-
2.15
-
-
300
-
-
-
-
0.7
-
单位
mA
μA
V
V
,
,
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
T
j
=150 °C
V
V
CE
= 10 V ，G -E短路
nF
nC
ns
,
G- ê短路，
V
EC
(Note.1)
V
发射极 - 集电极电压
,
G- ê短路，
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部引线电阻
内部栅极电阻
V
CC
= 600 V，I
E
= 450 A，V
GE
=±15 V,
R
G
=0
,
感性负载
V
CC
= 600 V，I
C
=I
E
=450 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
=0
,
T
j
=150 °C,
感性负载
主要终端芯片，每个交换机，
T
C
=25 °C
每个交换机
(Note.2)
V
ns
μC
mJ
mJ
m
R
CC' + EE '
r
g
出版日期： August.2011
2
< IGBT模块>
CM450DX-24S
高功率开关使用
绝缘型
电气特性（续.;牛逼
j
= 25 ℃，除非另有规定）
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
25
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
项
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
T
C
=25 °C
(Note.2)
条件
范围
分钟。
4.85
-7.3
典型值。
5.00
-
3375
-
马克斯。
5.15
+7.8
-
10
单位
k
%
K
mW
T
C
= 100℃ ，R
100
=493
通过近似公式
T
C
=25 °C
(Note.2)
(Note.6)
-
-
热阻特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH （ C- S）
项
热阻
(Note.2)
条件
结到管壳，每个逆变器的IGBT
结到外壳，每个逆变器FWDI
(Note.2)
范围
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
15
马克斯。
44
78
-
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
接触热阻
案件散热片，每次1个模块，
导热硅脂应用
(Note.7)
机械特性
符号
M
t
M
s
d
s
d
a
m
e
c
安装力矩
爬电距离
净空
重量
底板的平整度
项
主要终端
安装到散热器
终端到终端
终端底板
终端到终端
终端底板
-
上的中心线，X，Y
(Note.8)
条件
M 6螺丝
（M 5）螺杆
范围
分钟。
3.5
2.5
11.55
12.32
10.00
10.85
-
±0
典型值。
4.0
3.0
-
-
-
-
350
-
马克斯。
4.5
3.5
-
-
-
-
-
+100
单位
N·m的
N·m的
mm
mm
g
μm
注1 。代表的评分和反平行的，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ）的特性。
2.外壳温度（T
C
）和散热器温度（T
s
）是在每个表面（安装面定义的）基板和散热片的正下方
该芯片。是指芯片位置的数字。
散热器的热阻应该只是衡量芯片下。
3.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
4.结温（T
j
）不应该增加超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
5.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
参阅测试电路的图。
R
1
1
6.
B
(
25
/
50
)
½
LN （
25
) /(
)
R
50
T
25
T
50
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 [℃] + 273.15 = 298.15 [K]的
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] + 273.15 = 323.15 [K]的
7.典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ=0.9
W / （M ·K ） 。
8.底板（安装侧）的平坦度的测量点（ x，y）是如下图的如下。
- ：凹
+ ：凸
Y
X
安装方
安装方
- ：凹
安装方
+ ：凸
9.在支架上权衡安装在印刷电路板（PCB）时，使用以下的螺钉。
"M2.6 × 10或M2.6 × 12自攻screw"
螺杆的长度依赖于在PCB的厚度。
出版日期： August.2011
3
< IGBT模块>
CM450DX-24S
高功率开关使用
绝缘型
推荐工作条件（T
a
=25 °C)
符号
V
CC
V
润
R
G
项
（DC ）电源电压
门（发射极驱动）电压
外部栅极电阻
条件
在C1 -E2应用
在整个G1 -ES1 / G2 -ES2适用
每个交换机
范围
分钟。
-
13.5
0
典型值。
600
15.0
-
马克斯。
850
16.5
10
单位
V
V
芯片位置（顶视图）
尺寸在毫米，公差： ± 1毫米
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
出版日期： August.2011
4
< IGBT模块>
CM450DX-24S
高功率开关使用
绝缘型
测试电路和波形
22
22
48
V
GE
=15 V
15
16
短期
短路
48
22
22
I
C
15
16
短期
短路
15
48
短期
短路
48
I
E
15
16
V
23/24
V
短期
短路
23/24
V
I
C
短期
短路
16
V
23/24
23/24
V
GE
=15 V
38
39
短期
短路
38
38
38
39
I
E
47
47
39
47
47
39
Tr1
V
权证是个吨
测试电路
Tr2
Di1
V
EC
测试电路
½
v
GE
90 %
Di2
i
E
C1
i
E
0V
0
Q
rr
=0.5×I
rr
×t
r r
-V
GE
G1
Es1
负载
C2E1
t
I
E
½
½
+
V
CC
i
C
t
rr
t
I
rr
0A
90 %
+V
GE
0V
-V
GE
R
G
V
GE
G2
Es2
V
CE
i
C
E2
0.5×I
r r
0A
t
（O N）
10%
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
开关特性测试电路和波形
t
r r
, Q
r r
测试波形
I
EM
v
EC
V
CC
i
E
v
CE
I
CM
V
CC
i
C
i
C
V
CC
I
CM
v
CE
0A
t
0
0.1×I
CM
0.1×V
CC
t
0
0.1×V
CC
0.02×I
CM
t
0V
t
t
i
t
i
t
i
IGBT导通开关能量
IGBT关断开关能量
FWDI反向恢复精力
导通/关断开关能量和反向恢复能量的测试波形（积分时间指令图）
出版日期： August.2011
5
QQ：2880707522 复制
