CM421255
CM421655
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
SCR /二极管
POW -R - BLOK 模块
55安培/ 1200-1600伏特
A
B
A1K2
K1
A2
H D
K1 G1
G
E
E
L - DIA 。
（ 2 TYP 。 ）
0.110 TAB
米 - M5 THD
（ 3 TYP 。 ）
描述：
POWEREX SCR /二极管
POW -R - BLOK 模块是
设计用于在应用程序中使用
需要半控制
孤立的包装。这些模块
被隔离，易于安装
与其它组分
常见的散热器。
产品特点：
J
C
F
K
CM421255 ， CM421655
SCR /二极管
POW -R - BLOK 模块
55安培/ 1200-1600伏特
安装隔离
玻璃钝化芯片
金属基板
低热阻
应用范围：
A1K2
K1
A2
K1 G1
外形绘图
电池供应
桥电路
MILLIMETERS
93.5最大。
80
30马克斯。
26最大。
23
21
16.5
13
9
6.5
直径。 6.5
M5
TYPE
CM42
电压
伏（ X100 ）
12
16
额定电流
安培（55）
55
维
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
英寸
3.681最大。
3.150
1.181最大。
1.024最大。
0.906
0.827
0.650
0.512
0.354
0.256
0.256直径。
M5公制
AC和DC电机控制
分接开关
照明控制
订货信息：
选择完整的八位
你想要的模块部件号
从下表中。
例如： CM421255是
1200伏， 55安培SCR /二极管
POW -R - BLOK 模块。
SD-13
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM421255 ， CM421655
SCR /二极管POW -R - BLOK 模块
55安培/ 1200-1600伏特
绝对最大额定值
特征
峰值正向阻断电压
瞬态峰值正向阻断电压（不重复） ，T < 5ms的
DC正向阻断电压
峰值反向阻断电压
瞬态峰值反向阻断电压（不重复） ，T < 5ms的
DC反向阻断电压
RMS通态电流
通态平均电流， TC = 81℃
峰值单周期浪涌（不重复）通态电流（ 60Hz）的
峰值单周期浪涌（不重复）通态电流（ 50赫兹）
的I2t （用于热熔） ， 8.3毫秒
爆击率-的高层通态电流*
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
储存温度
工作温度
最大安装扭矩M6安装螺丝
最大安装扭矩M5端子螺丝
模块重量（典型）
V绝缘
* TJ = 125°C ， IG = 0.5A ， VD = 1/2 VDRM
符号
VDRM
超深亚微米
性病（DC）的
VRRM
VRSM
VR （ DC ）
IT （ RMS ） ，
IT （ AV ） ，
ITSM ，
ITSM ，
IF （ RMS ）
IF （ AV ）
IFSM
IFSM
CM421255
1200
1350
960
1200
1350
960
86
55
1100
1000
5000
100
5.0
0.5
10
5.0
2.0
-40至125
-40至125
26
17
160
2500
CM421655
1600
1700
1280
1600
1700
1280
86
55
1100
1000
5000
100
5.0
0.5
10
5.0
2.0
-40至125
-40至125
26
17
160
2500
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
安培
A2sec
安培/秒
瓦
瓦
伏
伏
安培
°C
°C
英寸- Lb的
英寸- Lb的
克
伏
I2t
的di / dt
PGM
PG （AV）
VGFM
VGRM
IGFM
TSTG
Tj
—
—
—
VRMS
电气和热特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
阻塞状态最高配置
正向漏电流，峰值
反向漏电流，峰值
开展国家最高配置
峰值通态电压
开关最低金额
爆击率-的高层断态电压
热最高配置
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器（润滑）
门最高配置参数
栅电流到触发
栅极电压 - 触发
非触发栅极电压
符号
IDRM
IRRM
VFM ， VTM
dv / dt的
R（ J- C）
R（ C- S）
IGT
VGT
VGDM
测试条件
TJ = 125°C ， VDRM =额定
TJ = 125°C ， VRRM =额定
IFM = 165A ， ITM = 165A
TJ = 125°C ， VD = 2/3 VDRM
每个模块
每个模块
VD = 6V ， RL = 2Ω
VD = 6V ， RL = 2Ω
TJ = 125°C ， VD = 1/2 VDRM
CM421255/CM421655
10
10
1.5
500
0.8
0.2
100
2.0
0.25
单位
mA
mA
伏
伏/秒
° C /瓦
° C /瓦
mA
伏
伏
SD-14
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM421255 ， CM421655
SCR /二极管POW -R - BLOK 模块
55安培/ 1200-1600伏特
最大
通态特性
瞬时通态电压，V
TM
（伏）
最大允许峰值浪涌
（不重复） CURRENT
最大允许外壳温度
（正弦波）
最大允许外壳温度T
C
, (
o
C)
2.2
最大峰值浪涌（不重复）
目前，我
TSM
（安培）
1200
T
j
= 125
o
C
130
120
110
100
90
80
70
= 30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
360
o
电阻式，
电感
每个负载
单身
元素
1.8
1000
800
1.4
600
1.0
400
60
50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
0.6
10
0
10
1
10
2
10
3
200
10
0
10
1
个循环： 60 H
Z
10
2
瞬时通态电流I
TM
,
（安培）
最大通态功耗
（正弦波）
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大允许外壳温度
（方波）
最大允许外壳温度T
C
, ( C)
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
o
最大平均通态功耗
耗散（方波）
80
70
60
60
o
180
o
120
o
90
o
130
120
360
o
100
270
o
180
o
DC
80
110
100
90
80
70
60
50
0
20
40
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
360
o
阻性，感性
LOAD PER单个元素
阻性，感性
LOAD PER单
元素
120
o
90
o
=
30
o
60
= 30
o
60
o
40
120
o
= 30
o
60
o
90
o
180
o
270
o
DC
20
360
o
阻性，感性负载
PER单个元素
0
0
20
40
60
80
100
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
40
50
60
70
80
60
80
100
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
瞬态热阻抗，Z
（J -C ）
(t), (
o
C /瓦）
瞬态热阻抗
特性（结到外壳）
10
0
10
1
触发
特征
最大允许外壳温度T
C
, (
o
C)
最大允许外壳温度
（反向并联连接）
0.8
瞬时栅极电压，V
G
（伏）
10
2
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
20
360
o
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GFM
= 10V
P
GM
= 5.0W
V
GT
= 3.0V
P
G（ AV ）
=
0.50W
I
GFM
=
2.0A
注：曲线表示
关系的情况之间
温度和RMS
接通电流为
每个模块。
60
o
90
o
120
o
180
o
= 30
o
10
0
I
GT
= 100毫安
T
j
= 25 C
V
GDM
= 0.25V
o
电阻式，
感性负载
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
4
40
60
80 100 120 140 160
时间t （秒）
瞬时栅极电流I
G
（毫安）
RMS通态电流，我
（ RMS）
（安培）
SD-15
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM421255 ， CM421655
SCR /二极管POW -R - BLOK 模块
55安培/ 1200-1600伏特
最大通态功耗
（反向并联连接）
最大允许外壳温度T
C
, (
o
C)
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大允许外壳温度
（单相桥式连接）
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大通态功耗
（单相桥式连接）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
360
o
电阻式，
感性负载
180
o
120
o
90
o
60
o
=
30
o
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
20
40
60
80 100 120 140 160
直流输出电流I
C
（安培）
360
o
160
180
o
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
= 30
o
60
o
120
o
90
o
电阻式，
电感
负载
90
o
= 30
o
60
o
120
o
180
o
360
o
电阻式，
感性负载
80 100 120 140 160
80 100 120 140 160
RMS通态电流，我
（ RMS）
（安培）
注：曲线表明之间的关系
平均通态功耗每个模块
和RMS通态电流。
直流输出电流I
O
（安培）
注：曲线表明之间的关系
平均通态功耗和DC
输出电流为单相桥式
配置（功耗明示FOR EACH
表达了对PAIR模块和DC输出电流）
注：曲线表明之间的关系
外壳温度和直流输出电流
（ FOR两个元素）时，用于单相
桥配置。
最大允许外壳温度
（三相桥式连接）
最大允许外壳温度T
C
, (
o
C)
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大通态功耗
（三相桥式连接）
130
120
360
o
160
140
120
60
o
120
o
90
o
110
100
90
80
70
60
50
0
20
40
60
80 100 120 140 160
直流输出电流I
O
（安培）
电阻式，
电感
负载
100
80
60
40
360
o
= 30
o
=
30
o
60
o
90
o
120
o
20
0
0
20
40
60
阻性，感性负载
PER单个元素
80 100 120 140 160
直流输出电流I
O
（安培）
注：曲线表明之间的关系
通态功耗（每个模块）及
DC输出电流（三个模块）在三
三相桥式配置。
注：曲线表明之间的关系
外壳温度和直流输出电流
（ FOR三个模块）在三相配置。
SD-16
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