三菱HVIGBT模块
编制
经批准
rd
K.Kurachi
修订版：A
I.Umezaki三月- 1-2011
CM400HG-130H
高功率开关使用
绝缘型
3 -Version HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
CM400HG-130H
●I
C
……………………… 400 A
●V
CES
…………………… 6500 V
高
绝缘型
●1-element
一包
●铝碳化硅
底板
应用
牵引传动，可靠性高转换器/逆变器，直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
HVM-1045-A
1第8
三菱HVIGBT模块
CM400HG-130H
3 -Version HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
rd
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大功率耗散
隔离电压
局部放电熄灭电压
结温
工作温度
储存温度
最大短路脉冲宽度
（注2 ）
（注3）
条件
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V ，T
j
= 25 °C
DC ，T
c
= 80 °C
（注1 ）
脉冲
DC
（注1 ）
脉冲
T
c
= 25 ° C， IGBT的一部分
有效值，正弦中，f = 60Hz时，吨= 1分钟。
RMS ，正弦， F = 60Hz的，Q
PD
≤
10件
T
j
= -40 °C
T
j
= +25 °C
T
j
= +125 °C
评级
5800
6300
6500
± 20
400
800
400
800
5900
10200
5100
40
~ +150
40
~ +125
40
~ +125
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
V
°C
°C
°C
s
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
V
e
T
j
T
op
T
英镑
T
PSC
V
CC
=4500V, V
CE
≤
V
CES
, V
GE
= 15V ，T
j
=125°C
10
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
V
CE （ SAT ）
t
D（上）
t
r
E
on(10%)
t
D（关闭）
t
f
t
f2
E
off(10%)
V
EC
t
rr
t
rr2
Q
rr
E
rec(10%)
项
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
集电极 - 发射极饱和电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断下降时间
关断开关能量
发射极 - 集电极电压
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
（注5 ）
（注5 ）
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
民
—
—
5.0
-0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
—
—
—
范围
典型值
—
20
6.0
—
82
5.0
1.4
6.6
4.50
4.60
1.20
0.35
3.00
8.20
0.50
3.10
2.70
4.00
3.60
1.00
2.40
最大
7
60
7.0
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
mA
V
A
nF
nF
nF
C
V
s
s
焦耳/ P
s
s
s
焦耳/ P
V
s
s
C
焦耳/ P
V
CE
= 10 V，I
C
= 40毫安，T
j
= 25 °C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0 V ，T
j
= 25 °C
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0 V ， F = 100千赫
T
j
= 25 °C
V
CC
= 3600 V，I
C
= 400 A
V
GE
= -15 V，T
j
= 25 °C
I
C
= 400 A
（注4 ）
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
V
CC
= 3600 V，I
C
= 400 A
V
GE
= ± 15 V ，R
G（ ON）的
= 15
T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 150 nH的
t
（ IGBT_off ）
= 60 s
（注6 ）
，感性负载
V
CC
= 3600 V，I
C
= 400 A
V
GE
= ± 15 V ，R
G（ OFF）
= 50
T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 150 nH的
感性负载
I
E
= 400 A
V
GE
= 0 V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ） （注5 ）
（注4 ）
（注2 ）
V
CC
= 3600 V，I
E
= 400 A
V
GE
= ± 15 V ，R
G（ ON）的
= 15
T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 150 nH的
t
（ IGBT_off ）
= 60 s
（注6 ）
，感性负载
—
—
740
1.40
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CM400HG-130H
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高功率开关使用
绝缘型
热特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）R
R
TH （ C- S）
项
热阻
热阻
接触热阻
条件
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，
λ
油脂
= 1W / M ·K ，D
（ C-F ）
= 100 m
范围
民
—
—
—
典型值
—
—
9.0
最大
21.0
33.0
—
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
M
t
M
s
M
t
m
CTI
d
a
d
S
L
P CE
R
CC' + EE '
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
注5 。
注6 。
项
条件
M8 ：主TERMIN ALS螺丝
范围
民
7.0
3.0
1.0
—
600
26
56
—
典型值
—
—
—
1.00
—
—
—
27
0.19
最大
15.0
6.0
3.0
—
—
—
—
—
—
单位
N·m的
N·m的
N·m的
kg
—
mm
mm
nH
m
安装力矩
M6 ：安装SCR EW
M4 ：辅助接线端子螺丝
块
漏电起痕指数
净空
Creepag ê距离
在寄生感抗流浪
内部引线电阻
T
c
= 25 °C
—
脉冲宽度和重复速率应使得结点温度（T
j
）不超过牛逼
opmax
评级（ 125°C ） 。
各符号表示的反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
结温（T
j
）不应超过牛逼
JMAX
评级（ 150 ° C） 。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
E
on(10%)
/ E
off(10%)
/ E
rec(10%)
是的积分
0.1V
CE
X 0.1I
C
X DT 。
t
（ IGBT_off ）
定义如下所示。
I
C
时间
t
（ IGBT_off ）
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高功率开关使用
绝缘型
90%V
GE
10%V
GE
0
V
GE
V
CC
I
C
90%I
C
di
10%V
CE
V
CE
10%V
CE
90%I
C
50%I
C
10%I
C
0
TD （上）
吨
tr
dt
10%I
C
EON =
t1
t2
∫
t2
t1
IC VCE DT
TD （关闭）
tf2
EOFF =
t3
t4
∫
t4
t3
IC VCE DT
TF = （ 0.9ic
0.1ic ） / （ di / dt的）
花花公子= TD （关闭） + TF
图。
２
- 的开关时间&能量的IGBT的一部分的说明
I
E
(I
F
)
的di / dt
V
EC
(V
R
)
10%I
E
QRR
= –
∫
t6
0
即DT
0
IRR
di
TRR
EREC
= –
∫
t6
也就是说 VEC
dt
t5
dt
0
10%V
EC
trr2
0
t5
t6
图。
３
- 反向恢复电荷定义FWDI一部分&能源
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高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
（典型值）
800
TJ = 125°C
V
GE
= 20V
传输特性
（典型值）
800
V
CE
= 20V
600
集电极电流[ A]
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
400
V
GE
= 8V
集电极电流[ A]
V
GE
= 15V
600
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
200
200
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压[ V]
门 - 发射极电压[V]
集电极 - 发射极饱和电压
特性（典型值）
800
V
GE
= 15V
续流二极管正向
特性（典型值）
800
600
集电极电流[ A]
TJ = 25°C
TJ = 125°C
600
400
发射极电流[ A]
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
200
200
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极饱和电压[ V]
发射极 - 集电极电压[ V]
HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
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5 8
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